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公开(公告)号：CN110957413B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910912617.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N30/87 , H10N30/00 , H10N30/063
Abstract: 本公开的各种实施例涉及用于压电装置的击穿电压增强的结构与方法。一种压电金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)装置包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。
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公开(公告)号：CN112350612B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201911081771.7
申请日：2019-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露涉及一种用于恢复或防止压电装置的劣化装置性能的方法及其系统。用于恢复压电装置的劣化装置性能的方法包括在运行模式中藉由对压电装置施加大于或等于第一振幅的一或多个电压脉冲以在第一时间段内操作压电装置，和在第一时间段的期间确定压电装置的性能参数具有已与参考值偏离大于预定阈值的第一值。在第二时间段的期间，方法更包括向压电装置施加包括正电压偏压和负电压偏压的双极性半波。在第三时间段的期间，方法更包括在运行模式中操作压电装置，其中性能参数具有第二值。第二值与参考值之间的绝对差小于第一值与参考值之间的绝对差。
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公开(公告)号：CN112350612A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201911081771.7
申请日：2019-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露涉及一种用于恢复或防止压电装置的劣化装置性能的方法及其系统。用于恢复压电装置的劣化装置性能的方法包括在运行模式中藉由对压电装置施加大于或等于第一振幅的一或多个电压脉冲以在第一时间段内操作压电装置，和在第一时间段的期间确定压电装置的性能参数具有已与参考值偏离大于预定阈值的第一值。在第二时间段的期间，方法更包括向压电装置施加包括正电压偏压和负电压偏压的双极性半波。在第三时间段的期间，方法更包括在运行模式中操作压电装置，其中性能参数具有第二值。第二值与参考值之间的绝对差小于第一值与参考值之间的绝对差。
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公开(公告)号：CN110943155A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910789075.5
申请日：2019-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中提供一种压电器件。所述压电器件包括半导体衬底。在半导体衬底之上设置有第一电极。在第一电极上设置有压电结构。在压电结构上设置有第二电极。在半导体衬底之上设置有加热元件。加热元件被配置成将压电结构加热到恢复温度达一时间段，其中将压电结构加热到恢复温度达所述时间段会改善压电器件的劣化的电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110660781A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910573332.1
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开涉及一种金属-绝缘体-金属电容器，其具有上覆在衬底上的顶部电极。钝化层上覆在顶部电极上。钝化层具有台阶区，所述台阶区从顶部电极的顶表面连续地延伸到顶部电极的侧壁并连续地接触顶部电极的顶表面及侧壁。金属框架上覆在钝化层上。金属框架从钝化层的顶表面连续地延伸到台阶区中钝化层的上侧壁并连续地接触钝化层的顶表面及所述上侧壁。金属框架具有突起部，所述突起部延伸穿过钝化层并接触顶部电极的顶表面。
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公开(公告)号：CN110943155B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201910789075.5
申请日：2019-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中提供一种压电器件。所述压电器件包括半导体衬底。在半导体衬底之上设置有第一电极。在第一电极上设置有压电结构。在压电结构上设置有第二电极。在半导体衬底之上设置有加热元件。加热元件被配置成将压电结构加热到恢复温度达一时间段，其中将压电结构加热到恢复温度达所述时间段会改善压电器件的劣化的电特性。
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公开(公告)号：CN110957413A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910912617.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/08 , H01L41/293
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种压电金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)装置，其包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。
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公开(公告)号：CN112331770B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202010147423.1
申请日：2020-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)器件。金属‑绝缘体‑金属器件包含衬底，以及堆叠在衬底上方的第一电极和第二电极。介电层布置于第一电极与第二电极之间。此外，金属‑绝缘体‑金属器件包含安置于衬底上方且通过第一电极与介电层分离的钛吸气层。钛吸气层具有比介电层更高的吸氢能力。
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公开(公告)号：CN112331770A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010147423.1
申请日：2020-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)器件。金属‑绝缘体‑金属器件包含衬底，以及堆叠在衬底上方的第一电极和第二电极。介电层布置于第一电极与第二电极之间。此外，金属‑绝缘体‑金属器件包含安置于衬底上方且通过第一电极与介电层分离的钛吸气层。钛吸气层具有比介电层更高的吸氢能力。
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