公开(公告)号：CN110957413B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN201910912617.3

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏燊 ,  郑创仁 ,  施启元 ,  黄士芬 ,  邓伊筌 ,  蔡易恒 ,  林佑儒 ,  陈彦文 ,  黄富骏 ,  胡凡 ,  林璟晖 ,  廖彦杰

IPC: H10N30/87 ,  H10N30/00 ,  H10N30/063

Abstract: 本公开的各种实施例涉及用于压电装置的击穿电压增强的结构与方法。一种压电金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)装置包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。

公开(公告)号：CN110957413A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910912617.3

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏燊 ,  郑创仁 ,  施启元 ,  黄士芬 ,  邓伊筌 ,  蔡易恒 ,  林佑儒 ,  陈彦文 ,  黄富骏 ,  胡凡 ,  林璟晖 ,  廖彦杰

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/08 ,  H01L41/293

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种压电金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)装置，其包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。

公开(公告)号：CN117250776A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310963930.6

申请日：2023-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏燊 ,  施启元 ,  袁锋 ,  黄士芬

IPC: G02F1/00 ,  G02F1/01

Abstract: 一种硅光子电路中的波长调谐的方法包括接收总线波导、与总线波导光学耦合的环形谐振器以及在总线波导和环形谐振器上方的介电层。所述方法还包括在第一温度执行第一加热工艺以加热介电层，其中第一加热工艺将环形谐振器的初始谐振波长位移到比初始谐振波长短的第一谐振波长。第一加热工艺将初始谐振波长永久位移到第一谐振波长，第一谐振波长是没有热量施加到环形谐振器时的波长，加热引起介电膜的性质变化，而导致介电膜对光波导产生应力，应力可以用受控的方式改变硅光子装置中的波长，而允许位移来调整谐振波长。

公开(公告)号：CN110660781A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910573332.1

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施启元 ,  张凯峯 ,  黄士芬 ,  戴文川 ,  邓伊筌 ,  蔡易恒 ,  林佑儒 ,  陈彦文 ,  林柏燊 ,  黄富骏 ,  郑创仁 ,  吴华书 ,  胡凡 ,  林璟晖 ,  廖彦杰

IPC: H01L23/64

Abstract: 本公开涉及一种金属-绝缘体-金属电容器，其具有上覆在衬底上的顶部电极。钝化层上覆在顶部电极上。钝化层具有台阶区，所述台阶区从顶部电极的顶表面连续地延伸到顶部电极的侧壁并连续地接触顶部电极的顶表面及侧壁。金属框架上覆在钝化层上。金属框架从钝化层的顶表面连续地延伸到台阶区中钝化层的上侧壁并连续地接触钝化层的顶表面及所述上侧壁。金属框架具有突起部，所述突起部延伸穿过钝化层并接触顶部电极的顶表面。