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公开(公告)号：CN109205550B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810697127.1
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供微机电系统(MEMS)装置结构的形成方法，微机电系统装置结构包含微机电系统(MEMS)基底以及基底形成于微机电系统基底上方，基底包含半导体导通孔通过基底。微机电系统装置结构包含介电层形成于基底上方以及聚合物层形成于介电层上。微机电系统装置结构也包含导电层形成于介电层和聚合物层中，导电层电性连接至半导体导通孔，且聚合物层位于导电层与介电层之间。
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公开(公告)号：CN110943155B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201910789075.5
申请日：2019-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中提供一种压电器件。所述压电器件包括半导体衬底。在半导体衬底之上设置有第一电极。在第一电极上设置有压电结构。在压电结构上设置有第二电极。在半导体衬底之上设置有加热元件。加热元件被配置成将压电结构加热到恢复温度达一时间段，其中将压电结构加热到恢复温度达所述时间段会改善压电器件的劣化的电特性。
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公开(公告)号：CN110943155A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910789075.5
申请日：2019-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中提供一种压电器件。所述压电器件包括半导体衬底。在半导体衬底之上设置有第一电极。在第一电极上设置有压电结构。在压电结构上设置有第二电极。在半导体衬底之上设置有加热元件。加热元件被配置成将压电结构加热到恢复温度达一时间段，其中将压电结构加热到恢复温度达所述时间段会改善压电器件的劣化的电特性。
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公开(公告)号：CN110660781A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910573332.1
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开涉及一种金属-绝缘体-金属电容器，其具有上覆在衬底上的顶部电极。钝化层上覆在顶部电极上。钝化层具有台阶区，所述台阶区从顶部电极的顶表面连续地延伸到顶部电极的侧壁并连续地接触顶部电极的顶表面及侧壁。金属框架上覆在钝化层上。金属框架从钝化层的顶表面连续地延伸到台阶区中钝化层的上侧壁并连续地接触钝化层的顶表面及所述上侧壁。金属框架具有突起部，所述突起部延伸穿过钝化层并接触顶部电极的顶表面。
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公开(公告)号：CN110649157A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910305463.1
申请日：2019-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本发明的实施例，提供了一种电子器件，其包括电容器和覆盖电容器的钝化层。电容器包括第一电极、设置在第一电极上方的介电层和设置在介电层上方的第二电极。第一电极的面积大于介电层的面积，并且介电层的面积大于第二电极的面积，使得电容器的侧具有多阶梯结构。根据本发明的实施例，还提供了半导体器件以及制造电子器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109205550A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810697127.1
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供微机电系统(MEMS)装置结构的形成方法，微机电系统装置结构包含微机电系统(MEMS)基底以及基底形成于微机电系统基底上方，基底包含半导体导通孔通过基底。微机电系统装置结构包含介电层形成于基底上方以及聚合物层形成于介电层上。微机电系统装置结构也包含导电层形成于介电层和聚合物层中，导电层电性连接至半导体导通孔，且聚合物层位于导电层与介电层之间。
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公开(公告)号：CN112331770B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202010147423.1
申请日：2020-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)器件。金属‑绝缘体‑金属器件包含衬底，以及堆叠在衬底上方的第一电极和第二电极。介电层布置于第一电极与第二电极之间。此外，金属‑绝缘体‑金属器件包含安置于衬底上方且通过第一电极与介电层分离的钛吸气层。钛吸气层具有比介电层更高的吸氢能力。
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公开(公告)号：CN112331770A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010147423.1
申请日：2020-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)器件。金属‑绝缘体‑金属器件包含衬底，以及堆叠在衬底上方的第一电极和第二电极。介电层布置于第一电极与第二电极之间。此外，金属‑绝缘体‑金属器件包含安置于衬底上方且通过第一电极与介电层分离的钛吸气层。钛吸气层具有比介电层更高的吸氢能力。
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公开(公告)号：CN107293529B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710233628.X
申请日：2017-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/48 , H01L27/146
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于高接合结构的具有接触通孔阵列的焊盘结构。在一些实施例中，半导体衬底包括焊盘开口。互连结构位于半导体衬底下方，并且包括层间介电(ILD)层、布线层和接触通孔阵列。布线层和接触通孔阵列位于ILD层中。此外，接触通孔阵列邻接布线层并且位于布线层和半导体衬底之间。焊盘开口中的焊盘覆盖接触通孔阵列，并且突出至ILD层以接触位于接触通孔阵列的相对侧上的布线层。本发明也提供了用于制造焊盘结构的方法以及具有焊盘结构的图像传感器。本发明实施例涉及用于背照式(BSI)图像传感器的焊盘结构。
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公开(公告)号：CN109755264B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN201811325849.0
申请日：2018-11-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种图像传感器包括感光元件、存储元件及驱动电路。存储元件相邻于感光元件且包括存储节点、栅极介电层、存储栅极电极、刻蚀终止层、屏蔽层、以及保护层。栅极介电层位于存储节点上。存储栅极电极位于栅极介电层上。刻蚀终止层覆盖栅极介电层及存储栅极电极。屏蔽层位于存储栅极电极上。保护层夹置在刻蚀终止层与屏蔽层之间。驱动电路与存储元件相邻。
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