公开(公告)号：CN105845652A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610192275.9

申请日：2011-10-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张家龙 ,  赵治平 ,  陈俊宏 ,  曾华洲 ,  郑价言 ,  庄学理

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L29/665 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种衬底上具有栅极且栅极与源极/漏极(S/D)相邻的半导体器件。第一介电层覆盖栅极和S/D区域，第一介电层具有位于S/D区域上的第一接触孔且第一接触插塞由第一材料形成，第一接触插塞与各自的S/D区域连接。第二介电层覆盖第一介电层和第一接触插塞。由第二材料形成的第二接触插塞填充形成在第一介电层和第二介电层中的第二接触孔。第二接触插塞与形成在第二介电层中的栅极和互连结构连接，互连结构与第一接触插塞连接。第二材料与第一材料不同，且第二材料具有比第一材料低的电阻。

公开(公告)号：CN102456665A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110312112.7

申请日：2011-10-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 华伟君 ,  张家龙 ,  陈俊宏 ,  赵治平 ,  郑价言 ,  曾华洲

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01G4/005 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/43 ,  H01L2924/00

摘要： 用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构，一种电容器结构包括第一组电极、第二组电极以及多个线插头。第一组电极具有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在多个金属化层中的第一金属化层中，其中，第一电极和第二电极通过绝缘材料间隔开。第二组电极具有第三电极和第四电极，第三电极和第四电极形成在多个金属化层中的第二金属化层中，其中，第三电极和第四电极通过绝缘材料间隔开。多个线插头将第二组电极连接到第一组电极。

公开(公告)号：CN101409283B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200810098183.X

申请日：2008-05-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张家龙 ,  鲁定中 ,  陈家逸 ,  吴忆鲁

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/105 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种半导体结构，包括具有增大的电容量与改善的电性的电容。该半导体结构包含有一衬底和位于此衬底的一电容。该电容包含有一第一材料层，该第一材料层包含有一第一电容电极和一第二电容电极，其中第一电容电极由含金属材料所形成且未含有多晶硅。该半导体结构还包含有一金属氧化物半导体(MOS)组件，该金属氧化物半导体组件包含有位于衬底上的一栅极电介质层，以及位于此栅极电介质层上的一含金属栅极电极，其中该含金属栅极电极由与第一电容电极相同的材料与厚度所形成。

公开(公告)号：CN101488498B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910001320.8

申请日：2007-09-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈家逸 ,  张家龙 ,  赵治平

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01G4/38

CPC分类号： H01L27/0805 ,  H01G4/38 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。

公开(公告)号：CN100539143C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200710153396.3

申请日：2007-09-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈家逸 ,  张家龙 ,  赵治平

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L27/0805 ,  H01G4/38 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成，并且其中所述电容器阵列至少包括两行与两列。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。

公开(公告)号：CN100499121C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510087360.0

申请日：2005-07-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈岳猷 ,  张家龙 ,  赵治平 ,  陈俊宏

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0808 ,  H01L28/40 ,  H01L29/93 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属-绝缘层-金属(MIM)、金属-氧化层-金属(MOM)和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情况下，增加此电容元件每单位的电容值。

公开(公告)号：CN1661800A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200410088048.9

申请日：2004-10-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 连万益 ,  张家龙 ,  郭治群 ,  陈冠中

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭露一种半导体无线频率(RF)组件，此组件具有一个护罩结构，用以降低RF被动组件及主动组件的传导绕线之间的耦合效应。在一范例中，此组件于RF被动组件及传导绕线间设有至少一个护罩层。此护罩层包含至少一个开口。在另一范例中，可使用第二个护罩层。此第二护罩层也同样可以含有一个开口，且第一及第二护罩层中的开口彼此错开。第一及第二护罩层可透过一防护环来彼此连接，且亦能连接到一共同电位。

公开(公告)号：CN1606168A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410057104.2

申请日：2004-08-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张家龙 ,  陈俊宏

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L27/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种金属在金属上(MOM)的组件及其制造方法。该组件具有至少一组件单元位于一包含一框架部分以及一受到该框架部分所围绕的中心部分的第一层别上；该中心部分具有一十字型中心处以定义该框架与中心部分为四个空间象限。该中心部分具有一或一个以上中心指状物，每一中心指状物由其至少四个末端中的一末端于一象限中延伸；该框架部分也同样具有一或一个以上的框架指状物自此处延伸，每一框架指状物位于一象限中且不与位于同象限的中心指状物重叠。

公开(公告)号：CN101174620B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200710101842.6

申请日：2007-04-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈家逸 ,  张家龙 ,  赵治平

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体装置，包括：第一电容组件及第二电容组件。第一电容组件包括彼此连接的多个第一单元电容组件，且每一第一单元电容组件具有第一单元电容值，而第二电容组件包括彼此连接的多个第二单元电容组件，且每一第二单元电容组件具有第二单元电容值，其中所述第一单元电容组件与第二单元电容组件具有相同的数量。所述第一单元电容组件与第二单元电容组件排列成一个阵列，并在每一列及每一栏中交替排置且总数分别大于2。同时，本发明还公开了一种集成电路，包括有上述电容组件阵列。总之，本发明通过有效降低工艺变异的敏感性，使得在不增加电容值不匹配的情形下可以形成较大的电容组件对。

公开(公告)号：CN100477214C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610094199.4

申请日：2006-06-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈岳猷 ,  张家龙 ,  赵治平

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种集成电路的电容器结构及其制造方法，包含：一第一板状物层，包含一系列相互交叉(interdigitated)的第一板状物；一第一介电层，覆盖于该第一板状物层上；一第一延伸层，在该第一介电层上，包含一系列相互交叉的第一延伸板，各个该第一延伸板分别配置于各个该第一板状物上方；一系列的第一导通层，分别连接于各个该第一延伸板上；以及一第二板状物层，包含一系列相互交叉的第二板状物，各个该第二板状物分别连接于各个该第一导通层上；其中相连的第一延伸板、第一导通层、及第二板状物的极性与相对应的第一板状物的极性互异。本发明可有效地结合MOM电容器与MIM电容器，并还可改善对准误差所造成的影响。