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公开(公告)号:CN105987957B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201510860140.0
申请日:2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N29/12
Abstract: 一薄膜设置于一蚀刻掩模之上,一声波生成器放置在薄膜之上,声波生成器用来产生多个声波以使薄膜以一目标共振频率振动。一共振检测工具用来检测回应声波的薄膜的一实际共振频率。一或多个电子处理器利用从目标共振频率到实际共振频率的偏移量来估算薄膜的老化状态。
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公开(公告)号:CN107045264A
公开(公告)日:2017-08-15
申请号:CN201611186679.3
申请日:2016-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F1/64 , G03F7/2004 , G03F7/70983
Abstract: 本发明实施例提供一种用于半导体光刻工艺的保护膜设备。上述保护膜设备包括一保护薄膜。一保护膜框架,附于上述保护薄膜。上述保护膜框架具有一表面,其定义至少一个凹槽。上述保护膜设备还包括一基板,接触上述保护膜框架的上述表面,使上述凹槽位于上述保护膜框架和上述基板之间。
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公开(公告)号:CN105987957A
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201510860140.0
申请日:2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N29/12
Abstract: 检测系统以及检测方法。一薄膜设置于一蚀刻掩模之上,一声波生成器放置在薄膜之上,声波生成器用来产生多个声波以使薄膜以一目标共振频率振动。一共振检测工具用来检测回应声波的薄膜的一实际共振频率。一或多个电子处理器利用从目标共振频率到实际共振频率的偏移量来估算薄膜的老化状态。
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