传送盒与半导体制程元件传输系统

    公开(公告)号:CN108807245A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201710281809.X

    申请日:2017-04-26

    CPC classification number: H01L21/67703

    Abstract: 本公开提供一种传送盒,包括底座、控制电路、固定装置。底座设置于传送盒内部。固定装置被配置于底座上方且连接控制电路。固定装置包括传动装置以及固定件。其中,控制电路可通过传动装置选择性地使固定件向底座延伸。本公开提供的传送盒可通过自动化的方式于晶圆厂的不同设备之间传送,借此减少或避免人为搬运所产生的风险。

    设置以装载或卸下掩模盒的设备

    公开(公告)号:CN109326533A

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201710963389.3

    申请日:2017-10-17

    Inventor: 李雨青 方玉标

    Abstract: 本公开提供一种设置以装载或卸下掩模盒的设备,包括:第一装载端支撑物;以及第二装载端支撑物,与第一装载端支撑物相隔。第一装载端支撑物与第二装载端支撑物各自包含L型矩形棱柱的至少部分。第一装载端支撑物与第二装载端支撑物位于矩形区的对角线上,其中第一装载端支撑物的第一内侧壁与第二装载端支撑物的第二内侧壁划定矩形区的边界,且其中矩形区的第一宽度等于掩模盒的第二宽度,且矩形区的第一长度等于掩模盒的第二长度。

    传送盒与半导体制程元件传输系统

    公开(公告)号:CN108807245B

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN201710281809.X

    申请日:2017-04-26

    Abstract: 本公开提供一种传送盒,包括底座、控制电路、固定装置。底座设置于传送盒内部。固定装置被配置于底座上方且连接控制电路。固定装置包括传动装置以及固定件。其中,控制电路可通过传动装置选择性地使固定件向底座延伸。本公开提供的传送盒可通过自动化的方式于晶圆厂的不同设备之间传送,借此减少或避免人为搬运所产生的风险。

    一种半导体装置以及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN109427749B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201811003057.1

    申请日:2018-08-30

    Abstract: 覆盖标记包括第一、第二、第三和第四组件。第一组件位于第一覆盖标记的第一区域中,并且包括在第一方向上延伸的多个光栅。第二组件位于第一覆盖标记的第二区域中,并且包括在第一方向上延伸的多个光栅。第三组件位于第一覆盖标记的第三区域中,并且包括在与第一方向不同的第二方向上延伸的多个光栅。第四组件位于第一覆盖标记的第四区域中,并且包括在第二方向上延伸的多个光栅。第一区域与第二区域对准。第三区域与第四区域对准。本发明实施例涉及一种半导体装置以及制造半导体器件的方法。

    测量间隙、厚度的方法及系统

    公开(公告)号:CN106989701B

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN201610912552.9

    申请日:2016-10-20

    Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于确定制造工具和工件之间的空隙的系统和方法。在示例性实施例中,该方法包括在工具中接收衬底从而在其间限定间隙。在衬底的与间隙相反的底面上设置的变换器提供穿过衬底传导的声波信号。变换器还接收来自限定间隙的衬底的顶面的第一回声和来自进一步限定间隙的工具的底面的第二回声。基于第一回声和第二回声测量间隙的宽度。在一些实施例中,工具的底面是喷嘴的底面,且在变换器接收第一回声和第二回声时,喷嘴在间隙中提供液体或气体。本发明的实施例还提供了测量厚度的方法。

    制造半导体结构的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109786222A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201811314087.4

    申请日:2018-11-06

    Inventor: 李雨青 方玉标

    Abstract: 本公开实施例提供制造半导体结构的方法。此方法提供一基底。根据第一层掩模执行第一光刻,以在基底上方的一层的第一区域上形成具有第一间距的多个第一光子晶体。根据第二层掩模执行第二光刻,以在该层的第二区域上形成具有第二间距的多个第二光子晶体。提供光照射第一光子晶体和第二光子晶体。接收由第一光子晶体和第二光子晶体所反射或是穿透过第一光子晶体和第二光子晶体的光。分析所接收的光,以检测对应于第一层掩模的第一光子晶体和对应于第二层掩模的第二光子晶体之间的重叠位移。

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