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公开(公告)号：CN103296063A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210359847.X
申请日：2012-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L29/0847 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/404 , H01L29/41758 , H01L29/42368 , H01L29/7816
Abstract: 高电压MOS晶体管包括在衬底上方形成的第一漏极/源极区、在衬底上方形成的第二漏极/源极区以及在衬底上方形成的第一金属层。第一金属层包括通过第一金属塞连接至第一漏极/源极区的第一导体，通过第二金属塞连接至第二漏极/源极区的第二导体以及在第一导体和第二导体之间形成的多个浮置金属环。浮置金属环有助于提高高电压MOS晶体管的击穿电压。本发明提供用于高电压MOS晶体管的装置和方法。
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公开(公告)号：CN101572270B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810212848.5
申请日：2008-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L27/092 , H01L29/402 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/66659 , H01L29/7834
Abstract: 本发明提供了金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。在一实施例中，本发明的金属氧化物半导体晶体管的栅电极具有延伸至一延伸介电层的一上部边缘的一部分，该延伸介电层分隔该栅电极与该金属氧化物半导体晶体管的一漏极区。另外，在邻近该栅电极的该部分的一边缘处，该栅电极还向下延伸进入于位于该延伸介电区内的该上部边缘的一凸状缺口或沟槽内，以形成一突出部。本发明可改善热载流子效应的抑制能力。
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公开(公告)号：CN101572270A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810212848.5
申请日：2008-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L27/092 , H01L29/402 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/66659 , H01L29/7834
Abstract: 本发明提供了金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。在一实施例中，本发明的金属氧化物半导体晶体管的栅电极具有延伸至一延伸介电层的一上部边缘的一部分，该延伸介电层分隔该栅电极与该金属氧化物半导体晶体管的一漏极区。另外，在邻近该栅电极的该部分的一边缘处，该栅电极还向下延伸进入于位于该延伸介电区内的该上部边缘的一凸状缺口或沟槽内，以形成一突出部。本发明可改善热载流子效应的抑制能力。
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公开(公告)号：CN103296063B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210359847.X
申请日：2012-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L29/0847 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/404 , H01L29/41758 , H01L29/42368 , H01L29/7816
Abstract: 高电压MOS晶体管包括在衬底上方形成的第一漏极/源极区、在衬底上方形成的第二漏极/源极区以及在衬底上方形成的第一金属层。第一金属层包括通过第一金属塞连接至第一漏极/源极区的第一导体，通过第二金属塞连接至第二漏极/源极区的第二导体以及在第一导体和第二导体之间形成的多个浮置金属环。浮置金属环有助于提高高电压MOS晶体管的击穿电压。本发明提供用于高电压MOS晶体管的装置和方法。
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