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公开(公告)号：CN112599472B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202011062589.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本申请的实施例提供一种制造半导体结构的方法，包括：在导电部件上方接收具有介电层的结构；蚀刻穿过介电层的孔，并且暴露导电部件；第一金属沉积至孔中并且直接接触介电层和导电部件；在第一金属上方沉积第二金属；以及对包括第一金属和第二金属的结构进行退火。本申请的实施例还提供一种半导体结构。
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公开(公告)号：CN113675191A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110806301.3
申请日：2021-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；鳍结构，设置在衬底上；栅极结构，设置在鳍结构上；源极/漏极(S/D)区域，邻近栅极结构设置；接触结构，设置在S/D区域上；以及偶极子层，设置在三元化合物层和S/D区域之间的界面处。接触结构包括设置在S/D区域上的三元化合物层、设置在三元化合物层上的功函金属(WFM)硅化物层以及设置在WFM硅化物层上的接触插塞。
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公开(公告)号：CN113192887A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202011371841.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明的实施例描述了一种用于形成无衬垫或无阻挡件的导电结构的方法。该方法包括在设置在衬底上的钴接触件上沉积蚀刻停止层，在蚀刻停止层上沉积电介质，蚀刻电介质和蚀刻停止层以形成暴露钴接触件的顶面的开口，以及蚀刻钴接触件的暴露的顶面在钴接触件中形成在蚀刻停止层下方横向延伸的凹槽。该方法还包括沉积钌金属以基本填充凹槽和开口，以及使钌金属退火以在钌金属和电介质之间形成氧化物层。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN111261549A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911212387.6
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开实施例涉及一种分配溶剂的方法。公开一种具有动态控制的多次喷洒光刻胶减量消耗工艺，以改善最终产出率且进一步地减少光刻胶成本。在一实施例中，一种分配溶剂的方法包括：在第一时段以第一速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂的第一层；在第二时段以第二速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第一层转换成溶剂的第二层；在第三时段以第三速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第二层转换成溶剂的第三层；在第四时段以第四速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第三层转换成溶剂的第四层；以及在第五时段以第五速度旋转的同时，在溶剂的第四层上分配光刻胶的第一层。
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公开(公告)号：CN113192887B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011371841.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例描述了一种用于形成无衬垫或无阻挡件的导电结构的方法。该方法包括在设置在衬底上的钴接触件上沉积蚀刻停止层，在蚀刻停止层上沉积电介质，蚀刻电介质和蚀刻停止层以形成暴露钴接触件的顶面的开口，以及蚀刻钴接触件的暴露的顶面在钴接触件中形成在蚀刻停止层下方横向延伸的凹槽。该方法还包括沉积钌金属以基本填充凹槽和开口，以及使钌金属退火以在钌金属和电介质之间形成氧化物层。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115566064A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210937879.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开描述了一种半导体结构。半导体结构可包括基板，基板上方的栅极结构，相邻栅极结构的源/漏极(S/D)接触结构，位于源/漏极接触结构上方和栅极结构上方的介电材料层，穿过介电材料层形成的有机金属材料层，以及穿过介电材料层形成且接触源/漏极接触结构和栅极结构的沟槽导体层。有机金属材料层可位于介电材料层和沟槽导体层之间。
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公开(公告)号：CN111261549B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201911212387.6
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开实施例涉及一种分配溶剂的方法。公开一种具有动态控制的多次喷洒光刻胶减量消耗工艺，以改善最终产出率且进一步地减少光刻胶成本。在一实施例中，一种分配溶剂的方法包括：在第一时段以第一速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂的第一层；在第二时段以第二速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第一层转换成溶剂的第二层；在第三时段以第三速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第二层转换成溶剂的第三层；在第四时段以第四速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第三层转换成溶剂的第四层；以及在第五时段以第五速度旋转的同时，在溶剂的第四层上分配光刻胶的第一层。
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公开(公告)号：CN113488465A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110409617.9
申请日：2021-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 根据本发明的半导体器件结构包括：源极部件和漏极部件；至少一个沟道结构，在源极部件和漏极部件之间延伸；栅极结构，包裹至少一个沟道结构的每个；半导体层，位于栅极结构上方；介电层，位于半导体层上方；掺杂的半导体部件，延伸穿过半导体层和介电层以与源极部件接触；金属接触插塞，位于掺杂的半导体部件上方；以及掩埋电源轨，设置在金属接触插塞上方。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN111180384A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911093292.7
申请日：2019-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及用于形成互连结构的一种或多种方法，诸如包括导线和导电通孔的双镶嵌互连结构，以及由此形成的结构。在一些实施例中，互连开口形成为穿过半导体衬底上方的一个或多个介电层。互连开口具有通孔开口和位于通孔开口上方的沟槽。在通孔开口中形成导电通孔。对沟槽的一个或多个暴露的介电表面实施成核增强处理。在沟槽的一个或多个暴露的介电表面上和导电通孔上的沟槽中形成导线。本发明的实施例还涉及互连结构。
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公开(公告)号：CN119947177A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510050658.1
申请日：2025-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底，设置在衬底上的第一源极/漏极(S/D)区域和第二源极/漏极区域，以及接触结构。接触结构包括设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一导电覆盖层和第二导电覆盖层、以及导电插塞。导电插塞包括设置在第一导电覆盖层和第二导电覆盖层的顶表面上的第一插塞部分，设置在第一导电覆盖层和第二导电覆盖层之间的第二插塞部分，和设置在第一S/D区域和第二S/D区域之间的第三插塞部分。
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