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公开(公告)号：CN113192887B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011371841.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例描述了一种用于形成无衬垫或无阻挡件的导电结构的方法。该方法包括在设置在衬底上的钴接触件上沉积蚀刻停止层，在蚀刻停止层上沉积电介质，蚀刻电介质和蚀刻停止层以形成暴露钴接触件的顶面的开口，以及蚀刻钴接触件的暴露的顶面在钴接触件中形成在蚀刻停止层下方横向延伸的凹槽。该方法还包括沉积钌金属以基本填充凹槽和开口，以及使钌金属退火以在钌金属和电介质之间形成氧化物层。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN115566064A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210937879.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开描述了一种半导体结构。半导体结构可包括基板，基板上方的栅极结构，相邻栅极结构的源/漏极(S/D)接触结构，位于源/漏极接触结构上方和栅极结构上方的介电材料层，穿过介电材料层形成的有机金属材料层，以及穿过介电材料层形成且接触源/漏极接触结构和栅极结构的沟槽导体层。有机金属材料层可位于介电材料层和沟槽导体层之间。
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公开(公告)号：CN113488465A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110409617.9
申请日：2021-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 根据本发明的半导体器件结构包括：源极部件和漏极部件；至少一个沟道结构，在源极部件和漏极部件之间延伸；栅极结构，包裹至少一个沟道结构的每个；半导体层，位于栅极结构上方；介电层，位于半导体层上方；掺杂的半导体部件，延伸穿过半导体层和介电层以与源极部件接触；金属接触插塞，位于掺杂的半导体部件上方；以及掩埋电源轨，设置在金属接触插塞上方。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113675191A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110806301.3
申请日：2021-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；鳍结构，设置在衬底上；栅极结构，设置在鳍结构上；源极/漏极(S/D)区域，邻近栅极结构设置；接触结构，设置在S/D区域上；以及偶极子层，设置在三元化合物层和S/D区域之间的界面处。接触结构包括设置在S/D区域上的三元化合物层、设置在三元化合物层上的功函金属(WFM)硅化物层以及设置在WFM硅化物层上的接触插塞。
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公开(公告)号：CN113192887A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202011371841.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明的实施例描述了一种用于形成无衬垫或无阻挡件的导电结构的方法。该方法包括在设置在衬底上的钴接触件上沉积蚀刻停止层，在蚀刻停止层上沉积电介质，蚀刻电介质和蚀刻停止层以形成暴露钴接触件的顶面的开口，以及蚀刻钴接触件的暴露的顶面在钴接触件中形成在蚀刻停止层下方横向延伸的凹槽。该方法还包括沉积钌金属以基本填充凹槽和开口，以及使钌金属退火以在钌金属和电介质之间形成氧化物层。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110780540A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910690318.X
申请日：2019-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例涉及将金属非金属化合物用作前驱物的光产生系统及相关的光产生方法。本发明实施例提供一种光产生系统。所述光产生系统包含汽化装置、激光装置及透镜结构。所述汽化装置经配置以汽化金属非金属化合物以产生金属非金属前驱气体。所述激光装置经配置以提供激光，且用所述激光照射从所述汽化装置释放的所述金属非金属前驱气体以发射光信号。所述透镜结构经配置以朝向用于光刻工艺的光掩模引导所述光信号。
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公开(公告)号：CN113764414B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202110755558.0
申请日：2021-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了具有双侧源极/漏极(S/D)接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一S/D区域和第二S/D区域；纳米结构沟道区域，设置在第一S/D区域和第二S/D区域之间；栅极结构，围绕纳米结构沟道区域；第一接触结构和第二接触结构，设置在第一S/D区域和第二S/D区域的第一表面上；第三接触结构，设置在第一S/D区域的第二表面上；以及蚀刻停止层，设置在第二S/D区域的第二表面上。第三接触结构包括：金属硅化物层；氮化硅化物层，设置在金属硅化物层上；以及导电层，设置在氮化硅化物层上。
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公开(公告)号：CN113517258B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202110206998.0
申请日：2021-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明描述了一种用于在钴导电结构上方制造钌导电结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成位于介电层中的第一开口，以暴露第一钴接触件；用钌金属填充第一开口，以形成位于第一钴接触件上的钌接触件。该方法还包括：形成位于介电层中的第二开口，以暴露第二钴接触件和栅极结构；用钨填充第二开口，以形成位于第二钴接触件和栅极结构上的钨接触件。另外，该方法包括：形成位于钌接触件和钨接触件上的铜导电结构，其中，来自铜导电结构的铜与来自钌接触件的钌金属接触。本申请的实施例提供了混合导电结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113707720B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110504613.9
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一栅极结构和第二栅极结构、设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一源极/漏极(S/D)和第二S/D区域、设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一接触结和第二接触结构以及设置在第一nWFM硅化物层与第一S/D区域之间的界面处的偶极子层。第一接触结构包括设置在第一S/D区域上的第一nWFM硅化物层和设置在第一nWFM硅化物层上的第一接触插塞。第二接触结构包括设置在第二S/D区域上的pWFM硅化物层、设置在pWFM硅化物层上的第二nWFM硅化物层以及设置在pWFM硅化物层上的第二接触插塞。
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公开(公告)号：CN115566069A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210945046.5
申请日：2022-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开说明了一种半导体结构。半导体结构可包括一基底，位于基底上的一栅极结构，位于栅极结构上的一介电材料层，穿过栅极结构形成并与之相邻的一源极/漏极(S/D)接触层，以及位于源极/漏极(S/D)接触层上并与之接触的一沟槽导电层。源极/漏极(S/D)接触层可包括铂族金属材料层及形成于基底与铂族金属材料层之间的一硅化层。铂族金属材料层顶部的一顶部宽度可大于或实质上等于铂族金属材料层底部的底部宽度。
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