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公开(公告)号：CN112530913B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202010096503.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括电路元件、第一半导体管芯、第二半导体管芯、散热元件以及绝缘包封体。第一半导体管芯及第二半导体管芯位于电路元件上。散热元件连接到第一半导体管芯，且第一半导体管芯位于电路元件与散热元件之间，其中第一半导体管芯的第一厚度与散热元件的第三厚度之和实质上等于第二半导体管芯的第二厚度。绝缘包封体包封第一半导体管芯、第二半导体管芯及散热元件，其中散热元件的表面与绝缘包封体实质上齐平。
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公开(公告)号：CN113380745B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202011040456.2
申请日：2020-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括彼此堆叠且彼此电连接的第一封装组件与第二封装组件。第一封装组件包括第一导电凸块及第二导电凸块，第二封装组件包括第三导电凸块及第四导电凸块，第一导电凸块及第二导电凸块的尺寸小于第三导电凸块及第四导电凸块的尺寸。半导体封装包括部分地包裹第一导电凸块及第三导电凸块的第一接合结构，以及部分地包裹第二导电凸块及第四导电凸块的第二接合结构。第一接合结构的曲率不同于第二接合结构的曲率。
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公开(公告)号：CN113380745A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202011040456.2
申请日：2020-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括彼此堆叠且彼此电连接的第一封装组件与第二封装组件。第一封装组件包括第一导电凸块及第二导电凸块，第二封装组件包括第三导电凸块及第四导电凸块，第一导电凸块及第二导电凸块的尺寸小于第三导电凸块及第四导电凸块的尺寸。半导体封装包括部分地包裹第一导电凸块及第三导电凸块的第一接合结构，以及部分地包裹第二导电凸块及第四导电凸块的第二接合结构。第一接合结构的曲率不同于第二接合结构的曲率。
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公开(公告)号：CN112530913A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010096503.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/98 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本揭露实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括电路元件、第一半导体管芯、第二半导体管芯、散热元件以及绝缘包封体。第一半导体管芯及第二半导体管芯位于电路元件上。散热元件连接到第一半导体管芯，且第一半导体管芯位于电路元件与散热元件之间，其中第一半导体管芯的第一厚度与散热元件的第三厚度之和实质上等于第二半导体管芯的第二厚度。绝缘包封体包封第一半导体管芯、第二半导体管芯及散热元件，其中散热元件的表面与绝缘包封体实质上齐平。
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公开(公告)号：CN220155524U
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202321131369.7
申请日：2023-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/29 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型提供一种半导体结构，包括晶圆、第一重布线路、结构晶粒以及第一模封材料。第一重布线路结构位在晶圆的第一侧。第一重布线路结构的侧壁从晶圆的相应侧壁凹陷。晶粒附接至第一重布线路结构。第一重布线路结构介于晶圆和晶粒之间。第一模封材料围绕晶粒和围绕第一重布线路结构。第一模封材料沿第一重布线路结构的侧壁和晶粒的侧壁延伸。
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