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公开(公告)号：CN113140534B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202010994148.7
申请日：2020-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L21/60
Abstract: 一种封装结构，包含电路衬底和半导体器件。半导体器件安置在电路衬底上且电连接到电路衬底。半导体器件包含内连线结构、半导体管芯、绝缘密封体、保护层以及电连接件。内连线结构具有第一表面和第二表面。半导体管芯安置在第一表面上且电连接到内连线结构。绝缘密封体密封半导体管芯且部分地覆盖内连线结构的侧壁。保护层安置在内连线结构的第二表面上且部分地覆盖内连线结构的侧壁，其中保护层与绝缘密封体接触。电连接件安置在保护层上，其中内连线结构通过多个电连接件电连接到电路衬底。
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公开(公告)号：CN113380745B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202011040456.2
申请日：2020-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括彼此堆叠且彼此电连接的第一封装组件与第二封装组件。第一封装组件包括第一导电凸块及第二导电凸块，第二封装组件包括第三导电凸块及第四导电凸块，第一导电凸块及第二导电凸块的尺寸小于第三导电凸块及第四导电凸块的尺寸。半导体封装包括部分地包裹第一导电凸块及第三导电凸块的第一接合结构，以及部分地包裹第二导电凸块及第四导电凸块的第二接合结构。第一接合结构的曲率不同于第二接合结构的曲率。
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公开(公告)号：CN112509934B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202010856662.4
申请日：2020-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 提供一种形成封装结构的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒结构，以及在第一基板的第二表面下方形成多个电连接器。方法也包括在第一基板的第二表面下方形成第一突出结构，并且电连接器被第一突出结构围绕。方法还包括在第二基板上方形成第二突出结构，以及将第一基板接合至第二基板。电连接器被第二突出结构围绕，并且第一突出结构不与第二突出结构重叠。
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公开(公告)号：CN115116973A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210294799.4
申请日：2022-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开总体涉及具有多种类型底部填充物的封装件及其形成方法。一种方法包括：将第一封装组件接合在第二封装组件之上，在第一封装组件和第二封装组件之间散布第一底部填充物，并且将第三封装组件接合在第二封装组件之上。第二底部填充物在第三封装组件与第二封装组件之间。第一底部填充物和第二底部填充物是不同类型的底部填充物。
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公开(公告)号：CN114975326A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110759002.9
申请日：2021-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装，包含封装衬底、密封半导体器件以及多个导电凸块。封装衬底包含器件安装区、多个衬底衬垫以及阻焊层。密封半导体器件安置在器件安装区上方且包含多个器件衬垫。导电凸块通过阻焊层连接在多个衬底衬垫与多个器件衬垫之间且包含器件安装区的外围上的第一导电凸块。第一导电凸块的用于接触衬底衬垫中的相应一个的第一接触面积大体上大于第一导电凸块的用于接触器件衬垫中的相应一个的第二接触面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380745A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202011040456.2
申请日：2020-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括彼此堆叠且彼此电连接的第一封装组件与第二封装组件。第一封装组件包括第一导电凸块及第二导电凸块，第二封装组件包括第三导电凸块及第四导电凸块，第一导电凸块及第二导电凸块的尺寸小于第三导电凸块及第四导电凸块的尺寸。半导体封装包括部分地包裹第一导电凸块及第三导电凸块的第一接合结构，以及部分地包裹第二导电凸块及第四导电凸块的第二接合结构。第一接合结构的曲率不同于第二接合结构的曲率。
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公开(公告)号：CN113192894A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010856696.3
申请日：2020-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/04 , H01L23/367 , G02B6/12 , G02B6/42 , H04B1/40
Abstract: 一种半导体封装包括衬底、堆叠结构、包封材料、盖结构及耦合器。堆叠结构设置在衬底之上并结合到衬底。包封材料部分地包封堆叠结构。盖结构设置在衬底上，其中盖结构环绕堆叠结构并覆盖堆叠结构的顶表面。耦合器结合到堆叠结构，其中耦合器的一部分穿透盖结构并延伸出盖结构。
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公开(公告)号：CN109427597B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810082747.4
申请日：2018-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 一种实施例方法包括将第一管芯接合至中介层的第一侧，中介层包括衬底；在将第一管芯接合至中介层的第一侧之后，在中介层的与第一侧相对的第二侧上沉积第一绝缘层；图案化穿过衬底和第一绝缘层的开口；以及在第一绝缘层上方并沿着开口的侧壁和横向表面沉积第二绝缘层。第二绝缘层包括硅。该方法还包括去除第二绝缘层的横向部分以在开口的侧壁上限定侧壁间隔件并且在开口中形成通孔，其中，通孔电连接至第一管芯。本发明实施例涉及半导体封装件中的导电通孔及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109216215B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810263929.1
申请日：2018-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 为了防止在半导体管芯接合至其它衬底之后在半导体管芯的拐角处出现裂缝，邻近半导体管芯的拐角形成开口，并且用缓冲材料填充和过填充开口，其中，缓冲材料的物理特性介于半导体管芯和邻近缓冲材料放置的底部填充材料的物理特性之间。本发明实施例涉及一种半导体器件和制造方法。
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公开(公告)号：CN110648974A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910568406.2
申请日：2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 方法包括在衬底上方的第一氧化物层中形成硅波导段，第一氧化物层设置在衬底上，在第一氧化物层上方形成布线结构，该布线结构包括一个或多个绝缘层以及位于一个或多个绝缘层中的一个或多个导电部件，使布线结构的区域凹进，在布线结构的凹进区域中形成氮化物波导段，其中，氮化物波导段在硅波导段上方延伸，在氮化物波导段上方形成第二氧化物层，以及将半导体管芯附接至布线结构，管芯电连接至导电部件。本发明的实施例还涉及光子器件和形成光子器件方法。
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