公开(公告)号：CN118444523A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311574500.1

申请日：2023-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  李信昌 ,  李环陵 ,  林进祥

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64

Abstract: 一种光罩护膜及其制造方法，用于EUV光罩的光罩护膜包括附接至框架的薄膜。薄膜包括纳米管、部分覆盖每一纳米管的表面的Ru‑O‑X催化剂结构、以及用以覆盖Ru‑O‑X催化剂结构及每一纳米管的表面的保护层。X为Mo、Ti、Zr或Nb的金属元素。Ru‑O‑X催化剂结构包括形成于每一纳米管的表面上的含X材料的第一纳米颗粒及形成于第一纳米颗粒上的含Ru材料的第二纳米颗粒，从而形成催化剂或催化剂桥。光罩护膜有利地具有高EUV穿透率及对攻击颗粒(诸如氢颗粒)的改善的耐久性，从而具有延长的寿命。

公开(公告)号：CN109960104A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201810457279.4

申请日：2018-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林进祥 ,  陈建诚 ,  李信昌 ,  陈嘉仁 ,  许倍诚 ,  苏益辰 ,  李环陵 ,  沈仓辉

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24

Abstract: 光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。

公开(公告)号：CN119310794A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411254025.4

申请日：2024-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  李环陵 ,  李信昌 ,  王锦焜

IPC: G03F1/62 ,  H01L21/027 ,  G03F1/64 ,  G03F1/48 ,  G03F1/56

Abstract: 本申请涉及薄膜、薄膜‑光掩模结构以及形成半导体器件的方法。提供了一种薄膜，该薄膜包括薄膜膜，该薄膜膜具有提升的对氢等离子体的稳定性。该薄膜膜包括多个碳纳米管的网络。多个碳纳米管中的至少一个碳纳米管被多层保护涂层围绕，该多层保护涂层包括应力控制层以及应力控制层之上的氢渗透阻挡层。应力控制层和氢渗透阻挡层各自包括含Me氮化物或含Me氧氮化物，Me选自由Si、Ti、Y、Hf、Zr、Zn、Mo、Cr及其组合组成的组。应力控制层中的含Me氮化物或含Me氧氮化物具有第一Me浓度，氢渗透阻挡层中的含Me氮化物或含Me氧氮化物具有第二Me浓度，第二Me浓度小于第一Me浓度。

公开(公告)号：CN109782531A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811313603.1

申请日：2018-11-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛文章 ,  李环陵 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/58

Abstract: 提供光掩模及其制造方法。光掩模包含掩模基底、反射式多层膜、盖层以及吸收复合结构。掩模基底具有前侧表面和后侧表面。反射式多层膜设置于掩模基底的前侧表面之上。盖层设置于反射式多层膜之上。吸收复合结构设置于盖层之上。吸收复合结构包含第一吸收层、第二吸收层、第三吸收层及蚀刻停止层。第一吸收层设置于盖层之上。第二吸收层设置于第一吸收层之上。第三吸收层设置于第二吸收层之上。蚀刻停止层设置于第一吸收层和第二吸收层之间。第一吸收层和第二吸收层是由相同材料所形成。

公开(公告)号：CN120029000A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411283959.0

申请日：2024-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙鼎弼 ,  李环陵 ,  李信昌

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本公开涉及用于EUV光刻的薄膜结构及其制造方法。一种制造半导体器件的方法包括：加热设置在光掩模之上的薄膜。光化辐射穿过所述薄膜以选择性地曝光衬底上的光致抗蚀剂层。对经选择性曝光的光致抗蚀剂层进行显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。

公开(公告)号：CN115903372A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210767783.0

申请日：2022-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李伟豪 ,  许倍诚 ,  李环陵 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林进祥

IPC: G03F1/48

Abstract: 本公开涉及具有涂层的光学组件和使用方法。经涂覆的纳米管和纳米管束被形成为用于EUV光刻系统中的光学组件的膜。这些光学组件可用于对半导体衬底上的材料进行图案化的方法。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件，如薄膜组件的涂覆层。穿过涂覆层的UV辐射穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵。穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处接收。

公开(公告)号：CN115220296A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210628062.1

申请日：2022-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建诚 ,  李环陵 ,  连大成 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: G03F1/30

Abstract: 本公开涉及光刻掩模和方法。提供了一种光刻掩模，包括衬底、位于衬底上的相移层和蚀刻停止层。相移层被图案化并且衬底被蚀刻停止层保护免受蚀刻。蚀刻停止层可以是对光刻工艺中使用的光半透射的材料，或者可以是对光刻工艺中使用的光透射的材料。

公开(公告)号：CN113053734B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202110225684.5

申请日：2021-03-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  王子奕 ,  林秉勳 ,  连大成 ,  李信昌 ,  李环陵

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开提供了一种光罩的形成方法。此方法包括提供设置在吸收体顶部上的硬遮罩层、覆盖层和设置在基材上的多层。此方法包括在硬遮罩层上方形成中间层，在中间层上方形成光阻层，图案化光阻层，透过图案化的光阻层蚀刻中间层，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层，然后，透过图案化的硬遮罩层蚀刻吸收体。在部分实施例中，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层包括干式蚀刻制程，此干式蚀刻制程具有对硬遮罩层的第一去除速率和对中间层的第二去除速率，并且对硬遮罩层的第一去除速率与对中间层的第二去除速率的比例大于5。

公开(公告)号：CN117471838A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310989867.3

申请日：2023-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  李伟豪 ,  李环陵 ,  李信昌 ,  林进祥

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/62

Abstract: 提供了用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光掩模的薄膜，包括：薄膜框架；以及主隔膜，附接到薄膜框架。主隔膜包括多个纳米管，并且多个纳米管中的每个纳米管都被包含硅和一个或多个金属元素的涂层所覆盖。

公开(公告)号：CN116184766A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202210817164.8

申请日：2022-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  李环陵 ,  李信昌 ,  林进祥

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/16

Abstract: 本申请公开了碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法。提供了一种用于形成用于极紫外光刻的防护膜的方法。该方法包括在过滤薄膜之上形成防护薄膜并且将防护薄膜从过滤薄膜转移到薄膜边界。形成防护薄膜包括在反应器的第一反应区域中从原位形成的金属催化剂颗粒生长碳纳米管(CNT)，CNT中的每一个在其生长尖端处包括金属催化剂颗粒，在第一反应区域的下游的反应器的第二反应区域中生长氮化硼纳米管(BNNT)以围绕单个CNT，从而形成各自包括CNT核和BNNT壳的异质结构纳米管，以及将异质结构纳米管收集在过滤薄膜上。