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公开(公告)号：CN114993991A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110851395.6
申请日：2021-07-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G01N21/45
摘要： 一种遮罩特征分析的方法及设备，遮罩特征分析的方法包含量测用于微影的反射或透射遮罩的干涉信号、以及基于干涉信号确定反射或透射遮罩的品质指标。一种遮罩特征分析的设备包含光源、光学光栅及光学侦测器阵列。光源经配置以用光照射反射或透射遮罩，由此产生遮罩反射或遮罩透射光。光学光栅经配置以将遮罩反射或遮罩透射光转换为干涉图案。光学侦测器阵列经配置以通过量测干涉图案来产生干涉信号。
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公开(公告)号：CN113053734A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110225684.5
申请日：2021-03-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/027
摘要： 本公开提供了一种光罩的形成方法。此方法包括提供设置在吸收体顶部上的硬遮罩层、覆盖层和设置在基材上的多层。此方法包括在硬遮罩层上方形成中间层，在中间层上方形成光阻层，图案化光阻层，透过图案化的光阻层蚀刻中间层，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层，然后，透过图案化的硬遮罩层蚀刻吸收体。在部分实施例中，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层包括干式蚀刻制程，此干式蚀刻制程具有对硬遮罩层的第一去除速率和对中间层的第二去除速率，并且对硬遮罩层的第一去除速率与对中间层的第二去除速率的比例大于5。
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公开(公告)号：CN110967938A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910924604.8
申请日：2019-09-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种用于清洗微影工具的遮罩，包括遮罩基材以及遮罩基材上的涂层。涂层配置以捕捉来自微影工具的微粒污染物质。还提供了一种清洗微影工具的方法，包括制备清洗遮罩，清洗遮罩包含形成于基材上的粒子捕捉层。此方法包括经由微影工具的遮罩转移路径，转移清洗遮罩。更进一步地，此方法还包括分析由粒子捕捉层捕捉的粒子。
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公开(公告)号：CN115390357A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210010786.X
申请日：2022-01-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种反射型罩幕及其制造方法，反射型罩幕包括基板、设置于基板上方的下反射多层、设置于下反射多层上方的中间层、设置于中间层上方的上反射多层、设置于上反射多层上方的覆盖层、及设置于形成于上反射层中且在中间层上方的沟槽中的吸收层。中间层包括除了铬、钌、硅、硅化合物及碳以外的金属。
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公开(公告)号：CN110967917A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910909214.3
申请日：2019-09-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种用于极紫外线微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与该前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。
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公开(公告)号：CN110837203A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910754735.6
申请日：2019-08-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 光罩的制造方法包含形成保护层于基板上方。形成多个反射薄膜多层于保护层上方。形成覆盖层于多个反射薄膜多层上方。形成吸收层于覆盖层上方。形成第一光阻层于部分的吸收层上方。图案化部分的第一光阻层与吸收层，而形成第一开口于吸收层中。第一开口暴露出部分的覆盖层。移除第一光阻层的剩余部分，并形成第二光阻层于部分的吸收层上方。第二光阻层至少覆盖第一开口。图案化未被第二光阻层覆盖的吸收层、覆盖层、与多个反射薄膜多层的部分，而形成第二开口。第二开口暴露出部分的保护层，且移除第二光阻层。
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