公开(公告)号：CN111033377B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201880051202.5

申请日：2018-08-14

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 宋哲沃 ,  李承宪 ,  黄智泳 ,  徐汉珉 ,  裴南锡 ,  朴镇宇 ,  柳正善

IPC分类号： G03F1/58 ,  G03F1/60 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

摘要： 本申请提供了基板及其生产方法。本申请可以在具有包括依次形成的基础层、黑层和间隔物的结构的基板中提供具有优异的所述间隔物对所述基础层或所述黑层的粘合性且确保适当的暗化特性的基板，并且还可以提供能够在没有单独处理例如热处理的情况下有效地生产这样的基板而没有不利影响例如出现异物的生产方法。

公开(公告)号：CN115755516A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211047392.8

申请日：2022-08-29

申请人： SKC索密思株式会社

发明人： 李乾坤 ,  崔石荣 ,  李亨周 ,  孙晟熏 ,  金星润 ,  郑珉交 ,  金泰完 ,  申仁均

IPC分类号： G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58

摘要： 根据本实施方式的空白掩模，其包括：透光基板；以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。用二碘甲烷(Diiodomethane)测量的所述遮光膜的接触角为40°以上且45°以下。所述遮光膜的表面的Rsk值为‑1以上且0以下，所述遮光膜的表面的Rku值为7以下。所述空白掩模能够容易实现使用清洗溶液的遮光膜表面的清洗，并且在涂布抗蚀剂膜时能够与抗蚀剂膜之间具有稳定的附着力。

公开(公告)号：CN109643056B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201780050888.1

申请日：2017-08-02

申请人： HOYA株式会社

发明人： 岩下浩之 ,  松本淳志 ,  野泽顺

IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/26 ,  G03F1/58 ,  H01L21/3065

摘要： 本发明将具有由氮化硅材料构成的单层的相移膜中难以实现的20％以上的透过率的相移膜通过具有两组以上的由从透光性基板侧起依次配置的低透过层和高透过层构成为一组层叠结构的结构实现，且提供具备这种相移膜的掩模坯料。在透光性基板上具备相移膜的掩模坯料中，相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以20％以上的透过率透过的功能，相移膜具有两组以上的由低透过层和高透过层构成为一组的层叠结构，且低透过层由氮化硅系材料形成，高透过层由氧化硅系材料形成，设置于最上的高透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚，低透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚。

公开(公告)号：CN113874784A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202080039879.4

申请日：2020-04-20

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 松桥直树 ,  笹本纮平

IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F1/82

摘要： 本发明提供光掩模坯，其中，抗蚀剂膜相对于含有铬的膜的密合性高，在辅助光掩模的主要图案的分辨率的、线图案的辅助图案的形成中能够实现良好的分辨率极限、良好的CD线性度。光掩模坯(511)在基板上包括被加工膜(21)；从与基板分离的一侧起，包括第1层(311)、第2层(312)和第3层(313)，第1层(311)含有氧和氮，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为50原子％以上，氮含有率为10原子％以下，厚度为6nm以下，第2层(312)含有氧、氮和碳，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为30原子％以上，氮含有率为17原子％以上，碳含有率为13原子％以下，厚度为46nm以上，第3层(313)含有氧和氮，铬含有率为50原子％以上，氧含有率为20原子％以下，氮含有率为30原子％以上。

公开(公告)号：CN113138528A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202011388345.0

申请日：2020-12-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC分类号： G03F1/58 ,  G03F1/68

摘要： 本揭露提供一种极紫外(extreme ultra violet；EUV)光罩与其制造方法。例如：此极紫外光罩包含基材、形成于基材上的多层镜面层、形成于多层镜面层上的金属覆盖层、以及形成于金属覆盖层之上的多层吸收层。此多层吸收层包含蚀刻至多层吸收层中的特征，以在半导体元件上定义结构。

公开(公告)号：CN110837203A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910754735.6

申请日：2019-08-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 许倍诚 ,  连大成 ,  林秉勳 ,  王士哲 ,  李信昌

IPC分类号： G03F1/58 ,  G03F1/24

摘要： 光罩的制造方法包含形成保护层于基板上方。形成多个反射薄膜多层于保护层上方。形成覆盖层于多个反射薄膜多层上方。形成吸收层于覆盖层上方。形成第一光阻层于部分的吸收层上方。图案化部分的第一光阻层与吸收层，而形成第一开口于吸收层中。第一开口暴露出部分的覆盖层。移除第一光阻层的剩余部分，并形成第二光阻层于部分的吸收层上方。第二光阻层至少覆盖第一开口。图案化未被第二光阻层覆盖的吸收层、覆盖层、与多个反射薄膜多层的部分，而形成第二开口。第二开口暴露出部分的保护层，且移除第二光阻层。

公开(公告)号：CN110809735A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201880043992.2

申请日：2018-09-06

申请人： 株式会社尼康

发明人： 小泽隆仁 ,  宝田庸平 ,  林贤利 ,  八神高史

IPC分类号： G03F1/58 ,  B32B15/04 ,  C03C15/00 ,  C03C17/36 ,  G03F1/38

摘要： 光掩模坯具有基板，并且从上述基板侧起依次至少具有第1层和第2层，上述第1层含有铬，上述第2层含有铬和氧，上述第2层的表面的算术平均高度为0.245nm以上。

公开(公告)号：CN118922779A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029334.9

申请日：2023-03-29

申请人： 凸版光掩模有限公司

发明人： 山形悠斗 ,  宫胁大辅 ,  关和范 ,  中野秀亮

IPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/32 ,  G03F1/58

摘要： 本公开的目的在于提供一种最大限度地利用相移效应、具有高转印性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本公开的一个方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、形成在基板(1)上的具有多层膜结构并反射EUV光的反射层(2)、形成在反射层(2)上并保护反射层(2)的保护层(3)、以及形成在保护层(3)上并吸收EUV光的吸收层(4)，吸收层(4)具备功能彼此不同的吸收层(4a)和吸收层(4b)，吸收层(4)具有190度以上270度以下范围内的相位差。

公开(公告)号：CN113242995B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN201980084509.X

申请日：2019-12-10

申请人： HOYA株式会社

发明人： 前田仁 ,  野泽顺

IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F1/70 ,  C23C14/06

摘要： 本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光光以给定的透射率透过的功能、和产生给定的相位差的功能，并且该相移膜可以抑制伴随着热膨胀的图案的错位。所述相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以15％以上的透射率透过的功能、和产生150度以上且210度以下的相位差的功能，该相移膜由含有非金属元素和硅的材料形成，包含依次层叠有第1层、第2层及第3层的结构，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＞n2及n2＜n3的关系，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＞k2及k2＜k3的关系，将第1层及第3层的膜厚分别设为d1、d3时，满足0.5≤d1/d3＜1的关系。

公开(公告)号：CN117970742A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202311574792.9

申请日：2023-11-23

申请人： 浙江微铸科技有限公司

发明人： 王阿丽 ,  杨礼林 ,  杨双锋

IPC分类号： G03F1/58

摘要： 本发明揭示一种遮光结构厚度可控的掩膜版，所述掩膜版包括透明衬底、第一遮光结构层以及第二遮光结构层，所述第一遮光结构与所述第二遮光结构层叠设置，所述第一遮光结构层形成于所述透明衬底表面，所述第一遮光结构层厚度不大于1微米且所述第一遮光结构层为导体，其中，所述第二遮光结构层的厚度大于所述第一遮光结构层的厚度。本发明提供的掩膜版，可以根据掩膜版的第二遮光结构层的厚度需要多厚就涂布多厚的感光胶即可，衬底PET或玻璃表面整面镀铜或其他金属在蚀刻时，采用的是化学蚀刻，厚度越薄，越容易做出陡直的结构，或用等离子蚀刻控制陡度，该种制备方法可以更好的控制遮光结构层的厚度，对于不同领域的需求都可以很好的满足。