公开(公告)号：CN107968036A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710976389.7

申请日：2017-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  陈敏璋

Inventor： 陈敏璋 ,  李伟豪 ,  施奂宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L29/10

Abstract: 在制造高电子迁移率晶体管的方法中，第一Ⅲ-V族半导体层在基板上形成。第一Ⅲ-V族半导体层经图案化以形成鳍及凹陷表面。第二Ⅲ-V族半导体层形成以覆盖鳍及凹陷表面的顶表面及全部侧表面。第二Ⅲ-V族半导体层通过等离子辅助原子层沉积形成，其中在每次形成刚沉积的单层时进行等离子处理。

公开(公告)号：CN115903372A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210767783.0

申请日：2022-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李伟豪 ,  许倍诚 ,  李环陵 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林进祥

IPC: G03F1/48

Abstract: 本公开涉及具有涂层的光学组件和使用方法。经涂覆的纳米管和纳米管束被形成为用于EUV光刻系统中的光学组件的膜。这些光学组件可用于对半导体衬底上的材料进行图案化的方法。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件，如薄膜组件的涂覆层。穿过涂覆层的UV辐射穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵。穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处接收。

公开(公告)号：CN115877649A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210859358.4

申请日：2022-07-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  李伟豪 ,  林秉勋 ,  连大成 ,  余青芳

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F1/54

Abstract: 本公开涉及极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠、以及位于反射多层堆叠上的单层或多层帽盖特征。帽盖特征包括一个或多个帽盖层，该一个或多个帽盖层包括具有非晶结构的材料。其他描述的实施例包括(一个或多个)帽盖层，该(一个或多个)帽盖层包含具有小于约3的第一固态碳溶解度的(一种或多种)元素。在多层帽盖特征实施例中，各个帽盖层的(一种或多种)元素具有不同的固态碳溶解度特性。

公开(公告)号：CN115826345A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210816581.0

申请日：2022-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李伟豪 ,  许倍诚 ,  李信昌

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76

Abstract: 本申请公开了具有帽盖层的极紫外掩模。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠和位于反射多层堆叠上的多层帽盖特征。多层帽盖特征包括第一帽盖层和第二帽盖层，第一帽盖层包括包含具有第一碳溶解度的元素的材料，第二帽盖层包括包含具有第二碳溶解度的元素的材料。第一碳溶解度与第二碳溶解度不同。在一些实施例中，第一帽盖层的材料的元素和第二帽盖层的元素针对波长为13.5nm的EUV具有不同的消光系数。

公开(公告)号：CN117471838A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310989867.3

申请日：2023-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  李伟豪 ,  李环陵 ,  李信昌 ,  林进祥

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/62

Abstract: 提供了用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光掩模的薄膜，包括：薄膜框架；以及主隔膜，附接到薄膜框架。主隔膜包括多个纳米管，并且多个纳米管中的每个纳米管都被包含硅和一个或多个金属元素的涂层所覆盖。

公开(公告)号：CN117170179A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310631946.7

申请日：2023-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李伟豪 ,  许倍诚 ,  郭家彤 ,  李信昌

IPC: G03F1/62

Abstract: 本公开涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。在一种制造用于极紫外(EUV)光掩模的薄膜的方法中，形成Sp2碳的隔膜，对隔膜执行处理以改变隔膜的表面性质，并且在处理之后，在隔膜之上形成覆盖层。

公开(公告)号：CN115747765A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210817186.4

申请日：2022-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李伟豪 ,  许倍诚 ,  李信昌

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开涉及具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法。等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统包括工艺室。在工艺室内支撑靶材衬底。在工艺室内在靶材衬底之上放置网格。网格包括从网格的第一侧延伸到网格的第二侧的多个孔。在PEALD工艺期间，等离子体产生器产生等离子体。在等离子体与靶材衬底反应之前，通过使等离子体通过网格中的孔来降低等离子体的能量。