光罩及使用其的光微影方法

    公开(公告)号:CN110955111B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN201910244279.0

    申请日:2019-03-28

    Inventor: 廖啟宏 杨岳霖

    Abstract: 一种光罩及使用其的光微影方法。光罩包含基板、光反射结构、图案化层以及多个凸块。基板具有第一表面及第二表面。光反射结构位于基板的第一表面上。图案化层位于光反射结构上。多个凸块位于基板的第二表面上。多个空隙形成于凸块之间且凸块沿远离基板的第二表面的方向突出。

    在半导体制造中的微影方法

    公开(公告)号:CN113267960A

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202110119007.5

    申请日:2021-01-28

    Inventor: 廖啟宏 杨岳霖

    Abstract: 提供一种在半导体制造中的微影方法。该方法包括按以下方式经由许多喷嘴产生一目标材料的小滴的多个群组:这些群组中的每一者中的小滴聚集成该目标材料的一细长液滴。该方法亦包括自一激光产生器产生一激光脉冲,以将这些细长液滴转换至产生一EUV辐射的电浆。该方法进一步包括将一半导体晶圆曝露至该EUV辐射。

    用于去除半导体制造中的微粒的设备和方法

    公开(公告)号:CN112309892A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010112927.X

    申请日:2020-02-24

    Inventor: 杨岳霖 廖启宏

    Abstract: 提供一种包含至少以下步骤的用于从半导体工艺腔室中去除微粒的方法。具有第一极性的电荷通过将电压施加到衬底固持器来积累于衬底固持器的接收表面上。吸引半导体工艺腔室中的具有第二极性的微粒以朝向积累具有第一极性的电荷的衬底固持器的接收表面移动,其中第一极性与第二极性相反。从半导体工艺腔室中去除具有第二极性的微粒。还提供用于从半导体工艺腔室中去除微粒的其它方法。

    透镜总成
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110596850A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910489790.7

    申请日:2019-06-06

    Inventor: 杨岳霖 廖启宏

    Abstract: 本公开涉及一种透镜总成。本公开的实施例涉及在微影工具中使用的动态地控制的透镜。动态透镜的多个区域可用来传输用于微影工艺的辐射光束。通过允许多个区域传输辐射光束,动态地控制的透镜相较于传统的固定透镜可具有延长的生命周期。动态地控制的透镜可以较低的频率更换或调换,因此,改善微影工具的效率并降低生产成本。

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