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公开(公告)号：CN111243988B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201911192940.4
申请日：2019-11-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明实施例涉及用于使用脱水化学品形成半导体结构的方法及用于形成半导体结构的方法。本发明实施例提供一种用于在环境温度下使半导体衬底脱水的脱水化学品，其包含：第一化学品，其具有低于所述环境温度的熔点；及第二化学品，其具有高于所述第一化学品的所述熔点的熔点，其中所述脱水化学品具有比所述环境温度低预定ΔT0度的熔点，且所述第一化学品及所述第二化学品中的至少一者在1atm下具有高于预定压力Psv的饱和蒸汽压。
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公开(公告)号：CN113943314A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110506652.2
申请日：2021-05-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。有机金属前体包含芳族二齿配体、与所述芳族二齿配体配位的过渡金属和与所述过渡金属配位的极紫外(EUV)可裂解配体。所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。
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公开(公告)号：CN113156770A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110337729.8
申请日：2021-03-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/16
摘要： 本申请涉及光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上方形成光致抗蚀剂层，以及降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。
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公开(公告)号：CN113109995A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110334311.1
申请日：2021-03-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要： 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。
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公开(公告)号：CN113050369A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110047011.5
申请日：2021-01-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F1/56 , G03F1/76 , G03F7/30 , G03F7/42 , H01L21/027
摘要： 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
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公开(公告)号：CN112338794A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010773447.8
申请日：2020-08-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/015 , B24B57/02 , B24B7/22
摘要： 本发明实施例涉及用于化学机械研磨的装置与方法。本发明实施例涉及一种用于化学机械研磨CMP的设备，其包含：晶片载体，其在研磨操作期间保持半导体晶片；浆料分配器，其分配磨粒浆料；及浆料温度控制装置，其耦合到所述浆料分配器且经配置以控制所述磨粒浆料的温度。所述浆料温度控制装置包含包围所述浆料分配器的一部分的传热部分及耦合到所述传热部分且经配置以控制所述磨粒浆料的所述温度的热电TE芯片。
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公开(公告)号：CN110783261A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910683401.4
申请日：2019-07-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/67
摘要： 本发明实施例涉及一种制造半导体结构的方法，其包含：将衬底从第一加载锁腔室加载到第一处理腔室中；在所述第一处理腔室中在所述衬底上方安置导电层；将所述衬底从所述第一处理腔室加载到所述第一加载锁腔室中；将所述衬底从所述第一加载锁腔室加载到封壳中，所述封壳填充有惰性气体且安置于所述第一加载锁腔室与第二加载锁腔室之间；将所述衬底从所述封壳加载到所述第二加载锁腔室中；将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二处理腔室中；在所述第二处理腔室中在所述导电层上方安置导电部件；将所述衬底从所述第二处理腔室加载到所述第二加载锁腔室中；以及将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二加载端口中。
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公开(公告)号：CN103383913B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201310097345.9
申请日：2013-03-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/32 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1474 , H01J37/20 , H01J37/3023 , H01J37/3172 , H01J2237/12 , H01J2237/20228 , H01J2237/30477 , H01J2237/30483 , H01L21/265 , H01L21/68764
摘要： 提供了一种用于离子注入方法和装置的工艺控制方法以在衬底上提供诸如可以补偿明显非均匀性的高剂量区域。在离子注入工具中，提供单独可控电极作为设置于离子束外部的多组相对电极。离子束阻挡件可定位在离子束中。电极和离子束阻挡件都可控制地减少入射在衬底上的离子束的区域。电极和离子束阻挡件也改变入射在表面上的区域减小的离子束的位置。衬底扫描穿过离子束的速度可以在注入工艺期间动态改变以在衬底中生成各种剂量浓度。本发明还提供了离子注入工艺和装置的离子束尺寸控制以及先进工艺控制。
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公开(公告)号：CN106816374A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611080096.2
申请日：2016-11-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/321
CPC分类号： C09G1/04 , B24B37/20 , C09G1/02 , H01L21/30617 , H01L21/30625 , H01L21/3212
摘要： 本揭露是关于一种执行化学机械研磨制程的方法。于部分实施例中，此方法形成具有第一酸碱值的化学机械研磨液。确定化学机械研磨液的目标酸碱值。提供螯合剂至化学机械研磨液，以用于键结金属性离子。螯合剂配置于将化学机械研磨液的酸碱值自第一酸碱值调整至目标酸碱值。通过螯合剂将化学机械研磨液的酸碱调整至目标酸碱值，此方法可达到形成不具有酸碱调节剂的化学机械研磨液，借此降低成本以及化学机械研磨液的复杂性。
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公开(公告)号：CN104576313A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410119996.8
申请日：2014-03-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/31111
摘要： 本发明提供了一种选择性地去除氮化硅的方法。该方法包括：提供在该晶圆的表面上具有氮化硅的晶圆；提供磷酸和含硅材料的混合物；以及将混合物传送至晶圆的表面以去除氮化硅。还提供了选择性地去除氮化硅的单晶圆蚀刻装置。
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