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公开(公告)号：CN110970423A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910922906.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L21/8252
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括设置在半导体结构内并且具有第一源极、第一漏极和第一栅极的第一高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。第二HEMT器件设置在半导体结构内，并且包括耦合到第一漏极的第二源极、第二漏极和第二栅极。二极管连接的晶体管器件设置在半导体结构内，并且包括第三源极、第三栅极和耦合到第二栅极的第三漏极。根据本申请的其他实施例，还提供了高压器件和形成高压器件的方法。
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公开(公告)号：CN107039427B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201611222514.7
申请日：2016-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L29/778
Abstract: 半导体器件包括晶体管、半导体层、有源区域和导电层。有源区域位于半导体层中。当触发晶体管运行时，导电层配置为保留有源区域中的沟道。
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公开(公告)号：CN107888167A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710741364.9
申请日：2017-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K3/03 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/6877 , H01L23/3107 , H02M3/07 , H03K17/063 , H03K2217/0036 , H03K2217/0081 , H03K3/0315 , H03K17/687
Abstract: 本发明实施例是关于一种低静止电流半导体装置。一种半导体装置包含功率晶体管及驱动电路。所述驱动电路耦合到所述功率晶体管且经配置以驱动所述功率晶体管且包含第一级及第二级。所述第二级耦合于所述第一级与所述功率晶体管之间。所述第一级及所述第二级的各者包含一对增强模式高电子迁移率晶体管HEMT。如此的建构降低所述驱动电路的静止电流。
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公开(公告)号：CN106684140A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610729466.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明的一些实施例提供了半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底。供给层位于半导体衬底上方。该供给层包括顶面。栅极结构、漏极和源极位于供给层上方。钝化层共形地覆盖在栅极结构和供给层上方。栅电极位于栅极结构上方。场板设置在栅电极和漏极之间的钝化层上。该场板包括底边。该栅电极具有接近于场板的第一边缘，该场板包括面向第一边缘的第二边缘，第一边缘和第二边缘之间的水平距离在从约0.05至约0.5微米的范围内。本发明的实施例还提供了半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN106684140B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201610729466.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明的一些实施例提供了半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底。供给层位于半导体衬底上方。该供给层包括顶面。栅极结构、漏极和源极位于供给层上方。钝化层共形地覆盖在栅极结构和供给层上方。栅电极位于栅极结构上方。场板设置在栅电极和漏极之间的钝化层上。该场板包括底边。该栅电极具有接近于场板的第一边缘，该场板包括面向第一边缘的第二边缘，第一边缘和第二边缘之间的水平距离在从约0.05至约0.5微米的范围内。本发明的实施例还提供了半导体器件的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109672159A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811191955.4
申请日：2018-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明实施例揭露一种静电放电保护的电路、系统及方法，其中所述电路包含放电装置、电阻元件及旁路装置。所述放电装置安置于第一电压总线与第二电压总线之间。所述电阻元件经配置以响应于高到低静电放电ESD事件而启动所述放电装置，在所述高到低ESD事件期间，所述第一电压总线相对于所述第二电压总线呈高电位。所述旁路装置经配置以响应于低到高ESD事件而绕过所述电阻元件且启动所述放电装置，在所述低到高ESD事件期间，所述第二电压总线相对于所述第一电压总线呈高电位。
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公开(公告)号：CN107039427A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611222514.7
申请日：2016-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L29/778
Abstract: 半导体器件包括晶体管、半导体层、有源区域和导电层。有源区域位于半导体层中。当触发晶体管运行时，导电层配置为保留有源区域中的沟道。
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公开(公告)号：CN112447839B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202010235496.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种高电压器件，高电压器件包含衬底，衬底包括第一半导体材料。包括第二半导体材料的沟道层布置在衬底上方。包括第三半导体材料的有源层布置在沟道层上方。在有源层上方的是与漏极触点间隔开的源极触点。栅极结构横向地布置在源极触点与漏极触点之间且布置在有源层上方以界定高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。在栅极结构与源极触点之间的是顶盖结构，顶盖结构耦接到源极触点且与栅极结构横向间隔开。顶盖结构和栅极结构的栅极电极包括相同材料。
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公开(公告)号：CN110970423B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910922906.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L21/8252
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括设置在半导体结构内并且具有第一源极、第一漏极和第一栅极的第一高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。第二HEMT器件设置在半导体结构内，并且包括耦合到第一漏极的第二源极、第二漏极和第二栅极。二极管连接的晶体管器件设置在半导体结构内，并且包括第三源极、第三栅极和耦合到第二栅极的第三漏极。根据本申请的其他实施例，还提供了高压器件和形成高压器件的方法。
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公开(公告)号：CN112447839A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010235496.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种高电压器件，高电压器件包含衬底，衬底包括第一半导体材料。包括第二半导体材料的沟道层布置在衬底上方。包括第三半导体材料的有源层布置在沟道层上方。在有源层上方的是与漏极触点间隔开的源极触点。栅极结构横向地布置在源极触点与漏极触点之间且布置在有源层上方以界定高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。在栅极结构与源极触点之间的是顶盖结构，顶盖结构耦接到源极触点且与栅极结构横向间隔开。顶盖结构和栅极结构的栅极电极包括相同材料。
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