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公开(公告)号：CN110970423A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910922906.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L21/8252
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括设置在半导体结构内并且具有第一源极、第一漏极和第一栅极的第一高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。第二HEMT器件设置在半导体结构内，并且包括耦合到第一漏极的第二源极、第二漏极和第二栅极。二极管连接的晶体管器件设置在半导体结构内，并且包括第三源极、第三栅极和耦合到第二栅极的第三漏极。根据本申请的其他实施例，还提供了高压器件和形成高压器件的方法。
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公开(公告)号：CN101110447A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710086297.8
申请日：2007-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构，包括：第一高压阱区，具有第一导电类型，位于衬底的上方；第二高压阱区，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，位于衬底的上方并侧向相邻于第一高压阱区；第三高压阱区，具有第二导电类型，位于第二高压阱区的下方，其中第三高压阱区的底部大体上低于第一高压阱区的底部；绝缘区，位于第一高压阱区的一部分，并从第一高压阱区的顶层延伸至第一高压阱区内；栅极介电质，从第一高压阱区的上方延伸至第二高压阱区的上方，其中部分栅极介电质位于绝缘区的上方；以及栅极电极，位于栅极介电质的上方。本发明可改善高压N型金属氧化物半导体元件的可靠度，并明显减少扩散至高压N型阱区的P型杂质原子。
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公开(公告)号：CN100563029C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710180148.8
申请日：2007-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/28 , H01L29/1045 , H01L29/36 , H01L29/66128 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L29/8611
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括：衬底；第一阱区，位于上述衬底上，具有第一导电类型；第二阱区，位于上述衬底上，具有与上述第一导电类型相反的第二导电类型；缓冲区，介于上述第一阱区与上述第二阱区之间，且邻接于上述第一阱区和上述第二阱区；隔离区，位于一部分上述第一阱区中，从上述第一阱区的顶面延伸至上述第一阱区中；栅极介电质，从上述第一阱区的上方延伸至上述第二阱区的上方，其中一部分上述栅极介电质位于上述隔离区的上方；栅极，位于上述栅极介电质上。本发明用内部净杂质浓度低的缓冲区来隔开n型阱区和p型阱区，由此改善了HVMOS元件的性能；并降低衬底电流从而增加了HVMOS元件的寿命。
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公开(公告)号：CN101043052A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610141051.1
申请日：2006-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L29/0653 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/7835
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其形成方法，包括：一栅极电极以及接近该栅极电极的一源极区与一漏极区。一硅化区位于该栅极电极、该源极区或该漏极区的顶部表面上。一非硅化区，邻近该硅化区并位于该栅极电极、该源极区或该漏极区顶部表面的边缘。本发明所述的半导体元件及其形成方法，改善了传统硅化制程所产生的问题，避免硅化物形成在栅极电极以及/或源极及漏极的边缘，从而使漏电流降低。
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公开(公告)号：CN1713394A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510002854.4
申请日：2005-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/7835
Abstract: 本发明是关于一种具有逆行井的高电压元件及其制造方法。该高电压元件至少包括：一基材；一闸极区形成于基材上；以及一逆行井位于基材中且紧邻闸极区。其制造方法包括如下步骤：形成第一型的一基材；形成一闸极区位于该基材上；形成第一型的一深井；形成一源极区直接位于该深井中；形成第二型的至少一逆行井于该基材中，其中该逆行井与该源极区分别位于该闸极区的相对侧；以及形成一掺杂区于该逆行井中，其中该逆行井形成一汲极延伸，且该汲极延伸具有一较低掺质浓度朝向该基材的表面。逆行井可降低基材的表面上的掺质浓度，因此可减轻对闸极区的损害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112447839B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202010235496.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种高电压器件，高电压器件包含衬底，衬底包括第一半导体材料。包括第二半导体材料的沟道层布置在衬底上方。包括第三半导体材料的有源层布置在沟道层上方。在有源层上方的是与漏极触点间隔开的源极触点。栅极结构横向地布置在源极触点与漏极触点之间且布置在有源层上方以界定高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。在栅极结构与源极触点之间的是顶盖结构，顶盖结构耦接到源极触点且与栅极结构横向间隔开。顶盖结构和栅极结构的栅极电极包括相同材料。
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公开(公告)号：CN101165921A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710180148.8
申请日：2007-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/28 , H01L29/1045 , H01L29/36 , H01L29/66128 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L29/8611
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括：衬底；第一阱区，位于上述衬底上，具有第一导电类型；第二阱区，位于上述衬底上，具有与上述第一导电类型相反的第二导电类型；缓冲区，介于上述第一阱区与上述第二阱区之间，且邻接于上述第一阱区和上述第二阱区；隔离区，位于一部分上述第一阱区中，从上述第一阱区的顶面延伸至上述第一阱区中；栅极介电质，从上述第一阱区的上方延伸至上述第二阱区的上方，其中一部分上述栅极介电质位于上述隔离区的上方；栅极，位于上述栅极介电质上。本发明用内部净杂质浓度低的缓冲区来隔开n型阱区和p型阱区，由此改善了HVMOS元件的性能；并降低衬底电流从而增加了HVMOS元件的寿命。
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公开(公告)号：CN116631994A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310275974.X
申请日：2023-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/482 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本申请的实施例涉及半导体结构、封装件及其形成方法。一种半导体器件包括第一半导体结构，该第一半导体结构包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，其中第一HEMT器件包括第一栅极、第一源极和第一漏极；第二半导体结构堆叠在第一半导体结构之上并接合到第一半导体结构，其中第二半导体结构包括第二HEMT器件和第三HEMT器件，第二HEMT器件包括第二栅极、第二源极和电连接到第一源极的第二漏极，其中第三HEMT器件包括第三栅极、第三源极和电连接到第一栅极的第三漏极。
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公开(公告)号：CN110970423B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910922906.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L21/8252
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括设置在半导体结构内并且具有第一源极、第一漏极和第一栅极的第一高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。第二HEMT器件设置在半导体结构内，并且包括耦合到第一漏极的第二源极、第二漏极和第二栅极。二极管连接的晶体管器件设置在半导体结构内，并且包括第三源极、第三栅极和耦合到第二栅极的第三漏极。根据本申请的其他实施例，还提供了高压器件和形成高压器件的方法。
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公开(公告)号：CN112447839A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010235496.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种高电压器件，高电压器件包含衬底，衬底包括第一半导体材料。包括第二半导体材料的沟道层布置在衬底上方。包括第三半导体材料的有源层布置在沟道层上方。在有源层上方的是与漏极触点间隔开的源极触点。栅极结构横向地布置在源极触点与漏极触点之间且布置在有源层上方以界定高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。在栅极结构与源极触点之间的是顶盖结构，顶盖结构耦接到源极触点且与栅极结构横向间隔开。顶盖结构和栅极结构的栅极电极包括相同材料。
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