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公开(公告)号：CN112447839B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202010235496.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种高电压器件，高电压器件包含衬底，衬底包括第一半导体材料。包括第二半导体材料的沟道层布置在衬底上方。包括第三半导体材料的有源层布置在沟道层上方。在有源层上方的是与漏极触点间隔开的源极触点。栅极结构横向地布置在源极触点与漏极触点之间且布置在有源层上方以界定高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。在栅极结构与源极触点之间的是顶盖结构，顶盖结构耦接到源极触点且与栅极结构横向间隔开。顶盖结构和栅极结构的栅极电极包括相同材料。
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公开(公告)号：CN114464616A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110408773.3
申请日：2021-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 奥雷利安·高迪尔·布伦 , 蔡俊琳 , 余俊磊 , 陈柏智 , 王云翔
IPC: H01L27/085 , H01L21/8252
Abstract: 本发明涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括设置在衬底上方的多个第一源极/漏极接触件。多个栅极结构设置在多个第一源极/漏极接触件之间的衬底上方。多个栅极结构以多个闭合环路包裹多个第一源极/漏极接触件。第二源极/漏极接触件设置在多个栅极结构之间的衬底上方。第二源极/漏极接触件作为连续结构连续地包裹多个栅极结构。本发明的实施例还涉及集成芯片和晶体管器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN113314602A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202011291682.8
申请日：2020-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 奥雷利安·高迪尔·布伦 , 蔡俊琳 , 余俊磊 , 陈柏智 , 王云翔
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L27/085 , H01L27/088
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括设置在衬底上方的源极接触件。源极接触件具有设置在第一端部和相对的第二端部之间第一侧和相对的第二侧。漏极接触件设置在衬底上方，并且沿着第一方向与源极接触件分隔开。栅极结构设置在源极接触件和漏极接触件之间的衬底上方。栅极结构沿着源极接触件的面向漏极接触件的第一侧延伸，并且还包裹源极接触件的第一端部和相对的第二端部。本发明的实施例还涉及晶体管器件的形成方法、集成芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113314602B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202011291682.8
申请日：2020-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 奥雷利安·高迪尔·布伦 , 蔡俊琳 , 余俊磊 , 陈柏智 , 王云翔
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L27/085 , H01L27/088
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括设置在衬底上方的源极接触件。源极接触件具有设置在第一端部和相对的第二端部之间第一侧和相对的第二侧。漏极接触件设置在衬底上方，并且沿着第一方向与源极接触件分隔开。栅极结构设置在源极接触件和漏极接触件之间的衬底上方。栅极结构沿着源极接触件的面向漏极接触件的第一侧延伸，并且还包裹源极接触件的第一端部和相对的第二端部。本发明的实施例还涉及晶体管器件的形成方法、集成芯片。
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公开(公告)号：CN113314459A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202011633256.8
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本申请的各种实施例针对包括前段制程(FEOL)衬底上半导体贯通孔(TSV)的集成电路(IC)芯片以及用于形成该IC芯片的方法。在一些实施例中，半导体层位于衬底上。半导体层可以例如是或包括III‑V族半导体和/或一些其他合适的半导体。半导体器件位于半导体层上，并且FEOL层位于半导体器件上。FEOLTSV在IC芯片的外围处延伸穿过FEOL层和半导体层至衬底。金属间介电(IMD)层位于FEOLTSV和FEOL层上，并且引线和通孔的交替堆叠件位于IMD层中。
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公开(公告)号：CN112447839A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010235496.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种高电压器件，高电压器件包含衬底，衬底包括第一半导体材料。包括第二半导体材料的沟道层布置在衬底上方。包括第三半导体材料的有源层布置在沟道层上方。在有源层上方的是与漏极触点间隔开的源极触点。栅极结构横向地布置在源极触点与漏极触点之间且布置在有源层上方以界定高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。在栅极结构与源极触点之间的是顶盖结构，顶盖结构耦接到源极触点且与栅极结构横向间隔开。顶盖结构和栅极结构的栅极电极包括相同材料。
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公开(公告)号：CN113284946A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110116931.8
申请日：2021-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片，其包含上覆于衬底的未掺杂层。第一阻挡层上覆于未掺杂层。掺杂层上覆于第一阻挡层。此外，第二阻挡层上覆于第一阻挡层，其中第二阻挡层以非零距离从掺杂层的周边横向偏移。第一阻挡层和第二阻挡层包括相同的III‑V半导体材料。第一阻挡层内的第一元素的第一原子百分比小于第二阻挡层内的第一元素的第二原子百分比。
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公开(公告)号：CN115132668A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210364528.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体结构及其形成方法。在一些实施例中，本公开涉及一种半导体结构。该半导体结构包括堆叠半导体衬底，该堆叠半导体衬底具有设置在基础半导体衬底之上的半导体材料。该基础半导体衬底具有第一热膨胀系数并且半导体材料具有第二热膨胀系数，该第二热膨胀系数不同于第一热膨胀系数。该堆叠半导体衬底包括一个或多个侧壁，该一个或多个侧壁限定止裂环沟槽，该止裂环沟槽在堆叠半导体衬底的中心区域和堆叠半导体衬底的围绕中心区域的外围区域之间的闭合路径中连续地延伸。堆叠半导体衬底的外围区域包括多个裂纹，而中心区域基本上没有裂纹。
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