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公开(公告)号：CN107024831B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201610912772.1
申请日：2016-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种修复掩模的方法。该方法包括检查掩模以识别掩模上的缺陷；对掩模使用非热化学溶液来对掩模实施清洗工艺；以及修复掩模以从掩模去除缺陷。通过冷却模块冷却非热化学溶液至室温以下的工作温度。本发明实施例涉及利用非热溶液用于远紫外掩模清洗的方法和系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452602B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710398746.6
申请日：2017-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明实施例提供了一种反射掩模的实施例，该反射掩模包括衬底；设置在衬底上的反射多层；设置在反射多层上的抗氧化阻挡层并且抗氧化阻挡层是具有小于氧直径的平均原子间距离的非晶结构；和设置在抗氧化阻挡层上并根据集成电路布局图案化的吸收层。本发明实施例涉及高耐久性极紫外光掩模。
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公开(公告)号：CN106391542B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201510860059.2
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种清洁掩模的系统、清洁基板的系统、与清洁方法，系统包括：托架，设置以支撑掩模且位于掩模的第一侧；声音能量产生器，设置以产生声音能量，其包括超声波的频率与波长的机械振动；以及流体施加器，耦接至声音能量产生器，使流体施加器接收声音能量产生器产生的声音能量，以产生声音搅动的流体流导向掩模的第二侧，其中掩模的第一侧与第二侧对向设置，且其中掩模的第一侧包括图案。
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公开(公告)号：CN107452602A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710398746.6
申请日：2017-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明实施例提供了一种反射掩模的实施例，该反射掩模包括衬底；设置在衬底上的反射多层；设置在反射多层上的抗氧化阻挡层并且抗氧化阻挡层是具有小于氧直径的平均原子间距离的非晶结构；和设置在抗氧化阻挡层上并根据集成电路布局图案化的吸收层。本发明实施例涉及高耐久性极紫外光掩模。
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公开(公告)号：CN107024831A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610912772.1
申请日：2016-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/86 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B7/0035 , G03F1/22 , G03F1/72 , G03F1/82 , G03F1/84 , G03F7/2004 , G03F7/32
Abstract: 本发明实施例提供了一种修复掩模的方法。该方法包括检查掩模以识别掩模上的缺陷；对掩模使用非热化学溶液来对掩模实施清洗工艺；以及修复掩模以从掩模去除缺陷。通过冷却模块冷却非热化学溶液至室温以下的工作温度。本发明实施例涉及利用非热溶液用于远紫外掩模清洗的方法和系统。
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公开(公告)号：CN106391542A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510860059.2
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种清洁掩模的系统、清洁基板的系统、与清洁方法，系统包括：托架，设置以支撑掩模且位于掩模的第一侧；声音能量产生器，设置以产生声音能量，其包括超声波的频率与波长的机械振动；以及流体施加器，耦接至声音能量产生器，使流体施加器接收声音能量产生器产生的声音能量，以产生声音搅动的流体流导向掩模的第二侧，其中掩模的第一侧与第二侧对向设置，且其中掩模的第一侧包括图案。
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