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公开(公告)号：CN105719982A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610082472.5
申请日：2016-02-05
申请人： 东方晶源微电子科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01J37/20 , G03F1/86 , G03F7/7065 , H01J37/18 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/063 , H01J2237/18 , H01J2237/2002 , H01J2237/2007 , H01J2237/202 , H01J2237/20292 , H01J2237/24571 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要： 本发明公开一种检测系统。根据本发明一方面，检测系统包括：感测机构的多个镜筒；移动机构，用以在感测机构的多个镜筒下定位样品；和控制器，执行配置用以将所述镜筒配置成根据功能、权重和性能中的至少一种执行一种类型检测使得所述多个镜筒以适应的方式用于感测被检测的样品的模块。检测系统的感测机构的多个镜筒配置由不同的功能、权重和性能以检测样品，从而显著地减少如果相同地应用全部镜筒时所需的时间。
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公开(公告)号：CN1285612A
公开(公告)日：2001-02-28
申请号：CN00123809.4
申请日：2000-08-18
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 宫坂满美
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： G03F1/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/50 , G03F1/84 , G03F1/86 , H01J37/3175 , H01J2237/31761 , H01J2237/31762 , H01J2237/31794
摘要： 一种电子束曝光掩模包括主掩模和一个或多个补偿掩模。所述主掩模包括多个第一限定掩模。补偿掩模包括一个或多个无缺陷第二限定掩模,每个第二限定掩模具有按所述第一限定掩模中有缺陷的掩模形成的图形构形。在利用该电子束曝光掩模进行曝光时,只要第一限定掩模没有缺陷,则使用第一限定掩模,在第一限定掩模有缺陷时,使用对应于第一限定掩模的第二限定掩模。
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公开(公告)号：CN103703415B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201280035818.6
申请日：2012-07-16
申请人： 卡尔蔡司SMS有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种用于分析用于极紫外波长范围的光学元件的缺陷的方法，该光学元件包含至少一个基板及至少一个多层结构，该方法包含以下步骤：(a)通过使缺陷曝光于紫外辐射，确定第一数据；(b)通过用扫描探针显微镜扫描缺陷，确定第二数据；(c)通过用扫描粒子显微镜扫描缺陷，确定第三数据；及(d)组合第一、第二及第三数据。
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公开(公告)号：CN103703415A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280035818.6
申请日：2012-07-16
申请人： 卡尔蔡司SMS有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种用于分析极紫外波长范围的光学元件的缺陷的方法，该光学元件包含至少一个基板及至少一个多层结构，该方法包含以下步骤：(a)通过使缺陷曝光于紫外辐射，确定第一数据；(b)通过用扫描探针显微镜扫描缺陷，确定第二数据；(c)通过用扫描粒子显微镜扫描缺陷，确定第三数据；及(d)组合第一、第二及第三数据。
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公开(公告)号：CN108463876A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201780006207.1
申请日：2017-01-10
申请人： 科磊股份有限公司
CPC分类号： G06T7/0006 , G03F1/84 , G03F1/86 , G03F7/7065 , G06T7/0004 , G06T7/001 , G06T2207/10061 , G06T2207/20081 , G06T2207/30148
摘要： 本发明提供用于为样品产生模拟输出的方法及系统。一种方法包含使用一或多个计算机系统获取针对样品的信息。所述信息包含所述样品的实际光学图像、所述样品的实际电子束图像及针对所述样品的设计数据中的至少一者。所述方法还包含将针对所述样品的所述信息输入到基于学习的模型中。所述基于学习的模型包含于由一或多个计算机系统执行的一或多个组件中。所述基于学习的模型经配置以映射光学图像、电子束图像与设计数据之间的三角关系，且所述基于学习的模型将所述三角关系应用到所述输入以借此为所述样品产生模拟图像。
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公开(公告)号：CN107024831A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610912772.1
申请日：2016-10-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G03F1/86 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B7/0035 , G03F1/22 , G03F1/72 , G03F1/82 , G03F1/84 , G03F7/2004 , G03F7/32
摘要： 本发明实施例提供了一种修复掩模的方法。该方法包括检查掩模以识别掩模上的缺陷；对掩模使用非热化学溶液来对掩模实施清洗工艺；以及修复掩模以从掩模去除缺陷。通过冷却模块冷却非热化学溶液至室温以下的工作温度。本发明实施例涉及利用非热溶液用于远紫外掩模清洗的方法和系统。
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公开(公告)号：CN102187281A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141048.1
申请日：2009-10-15
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F1/82 , G03F1/86 , G03F7/70733 , G03F7/7085 , G03F7/70866
摘要： 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。
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公开(公告)号：CN105702597A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610082232.5
申请日：2016-02-05
申请人： 东方晶源微电子科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01J37/265 , G03F1/86 , G03F7/7065 , H01J2237/202 , H01J2237/2817 , H01L22/12 , H01L22/10
摘要： 本发明公开一种检测系统。根据本发明一方面，检测系统包括多工作台或多腔体，其中腔体或工作台(N≥2)被布置成形成一个或多个路线用于晶片或掩模的检测。每个腔体中(或在每个工作台)的检测流程通过其在路线中的次级和所用的相对镜筒确定。对于具有N个腔体或工作台的系统，可以同时处理最大数量N个晶片或掩模。
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公开(公告)号：CN102187281B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980141048.1
申请日：2009-10-15
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F1/82 , G03F1/86 , G03F7/70733 , G03F7/7085 , G03F7/70866
摘要： 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。
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公开(公告)号：CN1160762C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN00123809.4
申请日：2000-08-18
申请人： 恩益禧电子股份有限公司
发明人： 宫坂满美
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： G03F1/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/50 , G03F1/84 , G03F1/86 , H01J37/3175 , H01J2237/31761 , H01J2237/31762 , H01J2237/31794
摘要： 一种电子束曝光掩模包括主掩模和一个或多个补偿掩模。所述主掩模包括多个第一限定掩模。补偿掩模包括一个或多个无缺陷第二限定掩模，每个第二限定掩模具有按所述第一限定掩模中有缺陷的掩模形成的图形构形。在利用该电子束曝光掩模进行曝光时，只要第一限定掩模没有缺陷，则使用第一限定掩模，在第一限定掩模有缺陷时，使用对应于第一限定掩模的第二限定掩模。
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