公开(公告)号：CN108933175A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201711268385.X

申请日：2017-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈郁仁 ,  李文熙 ,  王琳松 ,  黄一珊 ,  洪展羽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  G06F17/50

Abstract: 一种半导体装置包括：主动区域，其排列在与第一方向平行的第一栅格中；及栅电极，其间隔排列在第二栅格中且覆盖对应的一主动区域，第二栅格与第二方向平行，第二方向与第一方向正交。第一缝隙散布在相邻的主动区域之间。于对应栅电极横跨对应主动区域及栅电极未功能地连接至对应主动区域的天桥交叉点，栅电极大体上未延伸超过对应主动区域且因此大体上未延伸至对应缝隙中。

公开(公告)号：CN109273530B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201710978729.X

申请日：2017-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪展羽 ,  王琳松 ,  陈郁仁 ,  黄一珊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 提供具有缩小的栅极端宽度的栅极结构的半导体元件结构及其制造方法。在一例子中，半导体元件结构包含数个栅极结构形成在数个鳍状结构上。栅极结构实质上垂直鳍状结构。栅极结构包含具有第一栅极端宽度的第一栅极结构以及具有第二栅极端宽度的第二栅极结构。其中，第二栅极端宽度小于第一栅极端宽度。

公开(公告)号：CN108933175B

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN201711268385.X

申请日：2017-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈郁仁 ,  李文熙 ,  王琳松 ,  黄一珊 ,  洪展羽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  G06F30/392

Abstract: 一种半导体装置包括：主动区域，其排列在与第一方向平行的第一栅格中；及栅电极，其间隔排列在第二栅格中且覆盖对应的一主动区域，第二栅格与第二方向平行，第二方向与第一方向正交。第一缝隙散布在相邻的主动区域之间。于对应栅电极横跨对应主动区域及栅电极未功能地连接至对应主动区域的天桥交叉点，栅电极大体上未延伸超过对应主动区域且因此大体上未延伸至对应缝隙中。生成半导体装置布局的方法与生成半导体装置布局的非暂态计算机可读媒体亦在此揭露。

公开(公告)号：CN108962888A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810468626.3

申请日：2018-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈郁仁 ,  王琳松 ,  黄一珊 ,  洪展羽

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体结构，包括：第一和第二主动区域，第一和第二主动区域设置于沿着一第一方向取向的一第一栅格中；以及多个栅极电极，栅极电极间隔布置于一第二栅格中，并位于对应的第一和第二主动区域上，第二栅格沿着一第二方向取向，第二方向实质上垂直于第一方向；其中：第一和第二主动区域相对于第二方向被一间隙所分开；各栅极电极包括一第一段和一栅极延伸；各栅极延伸相对于第二方向延伸超过对应的主动区域，并以高度HEXT进入间隙，其中HEXT≤(≈150nm)；以及各栅极延伸相对于由第一和第二方向所界定的一平面为实质上矩形。在一实施例中，高度HEXT为HEXT≤(≈100nm)。

公开(公告)号：CN108962888B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201810468626.3

申请日：2018-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈郁仁 ,  王琳松 ,  黄一珊 ,  洪展羽

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体结构，包括：第一和第二主动区域，第一和第二主动区域设置于沿着一第一方向取向的一第一栅格中；以及多个栅极电极，栅极电极间隔布置于一第二栅格中，并位于对应的第一和第二主动区域上，第二栅格沿着一第二方向取向，第二方向实质上垂直于第一方向；其中：第一和第二主动区域相对于第二方向被一间隙所分开；各栅极电极包括一第一段和一栅极延伸；各栅极延伸相对于第二方向延伸超过对应的主动区域，并以高度HEXT进入间隙，其中HEXT≤(≈150nm)；以及各栅极延伸相对于由第一和第二方向所界定的一平面为实质上矩形。在一实施例中，高度HEXT为HEXT≤(≈100nm)。

公开(公告)号：CN109273530A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201710978729.X

申请日：2017-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪展羽 ,  王琳松 ,  陈郁仁 ,  黄一珊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 提供具有缩小的栅极端宽度的栅极结构的半导体元件结构及其制造方法。在一例子中，半导体元件结构包含数个栅极结构形成在数个鳍状结构上。栅极结构实质上垂直鳍状结构。栅极结构包含具有第一栅极端宽度的第一栅极结构以及具有第二栅极端宽度的第二栅极结构。其中，第二栅极端宽度小于第一栅极端宽度。

公开(公告)号：CN222619763U

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202421131265.0

申请日：2024-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈高超 ,  何嘉政 ,  洪展羽

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H10D84/02 ,  H10D84/80

Abstract: 本实用新型提供一种集成电路。一些实施例是有关于一种包括半导体衬底的集成电路。在横截面图中，硅化物结构设置于半导体衬底之上。在横截面图中，介电结构直接接触硅化物结构的上表面。在横截面图中，金属结构直接接触介电层的上表面，使得硅化物结构及金属结构分别建立借由介电结构而彼此间隔开的底部电极与顶部电极，以在半导体衬底之上建立金属‑绝缘体‑硅化物电容器。

公开(公告)号：CN220189655U

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202320887060.4

申请日：2023-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪展羽 ,  何嘉政 ,  陈斐筠 ,  钟于彰 ,  蒋柏煜 ,  何敦义

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本揭露阐述一种具有导电板的半导体结构。所述结构包括：栅极结构，设置于衬底的扩散区上；保护层，与扩散区接触且覆盖栅极结构的侧壁与栅极结构的顶表面的一部分；以及第一绝缘层，与栅极结构及保护层接触。所述结构更包括：导电板，与第一绝缘层接触，其中导电板的第一部分在保护层的水平部分之上在侧向上延伸，且其中导电板的第二部分在保护层的覆盖栅极结构的侧壁的侧壁部分之上延伸。所述结构更包括与导电板接触的第二绝缘层。