公开(公告)号：CN109782529A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811359663.7

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄旭霆 ,  罗世翔 ,  刘如淦

IPC: G03F1/36

Abstract: 一种掩模制造方法，包括通过调整多个参数，以校正光学邻近校正(OPC)模型，参数包括第一参数和第二参数，其中第一参数代表由电子束光刻机台引起的长程效应，并且第二参数代表半导体结构的几何特征或制造半导体结构的制程，电子束光刻机台用于制造掩模，掩模被使用以制造半导体结构、产生装置布局、计算出装置布局的第一网栅(grid)图案密度图、至少基于校正后的光学邻近校正模型和装置布局的第一网栅图案密度图，产生长程校正图、以及至少基于所产生的长程校正图和校正后的光学邻近校正模型，执行光学邻近校正以产生校正后的掩模布局。

公开(公告)号：CN111627799B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010123939.2

申请日：2020-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗世翔 ,  黄旭霆 ,  刘如淦

IPC: H01L21/027 ,  H01L27/02 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084

Abstract: 提供一种用于制造半导体元件的方法，其包括使用已量测的轮廓数据及已配合的约定模型项产生理想影像。方法进一步包括使用已配合的约定模型项及遮罩布局以提供约定模型空间影像。在一些实施例中，方法进一步包括使用遮罩布局产生多个遮罩光栅影像，其中遮罩光栅影像是针对已量测的轮廓数据的每一量测位点所产生。在各种实施例中，方法亦包括训练神经网络以模仿理想影像，其中已产生的理想影像提供神经网络的目标输出，且约定模型空间影像及遮罩光栅影像提供至神经网络的输入。

公开(公告)号：CN111627799A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010123939.2

申请日：2020-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗世翔 ,  黄旭霆 ,  刘如淦

IPC: H01L21/027 ,  H01L27/02 ,  G06N3/08 ,  G06N3/04

Abstract: 提供一种用于制造半导体元件的方法，其包括使用已量测的轮廓数据及已配合的约定模型项产生理想影像。方法进一步包括使用已配合的约定模型项及遮罩布局以提供约定模型空间影像。在一些实施例中，方法进一步包括使用遮罩布局产生多个遮罩光栅影像，其中遮罩光栅影像是针对已量测的轮廓数据的每一量测位点所产生。在各种实施例中，方法亦包括训练神经网络以模仿理想影像，其中已产生的理想影像提供神经网络的目标输出，且约定模型空间影像及遮罩光栅影像提供至神经网络的输入。

公开(公告)号：CN111258176A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911204439.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄旭霆 ,  吴东锦 ,  罗世翔 ,  赖志明 ,  余瑞晋 ,  刘如淦 ,  林进祥

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/84

Abstract: 一种制造用于一集成电路的一光微影遮罩的方法包括对一集成电路遮罩布局执行一光学近接校正(OPC)处理以产生一经校正遮罩布局。该方法进一步包括对该经校正遮罩布局执行一逆光微影技术(ILT)处理以增强该经校正遮罩布局，从而产生一OPC-ILT增强的遮罩布局。该方法亦包括对该经校正遮罩布局执行一逆光微影技术(ILT)处理以增强该经校正遮罩布局，从而产生一OPC-ILT增强的遮罩布局。

公开(公告)号：CN110967942A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910927935.7

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 田福安 ,  黄旭霆 ,  刘如淦 ,  罗世翔

IPC: G03F7/20

Abstract: 在以微影模拟最佳化微影模型的方法中，根据给定布局形成遮罩，使用遮罩列印晶圆，量测在列印晶圆上形成的图案，使用晶圆边缘偏压表及给定遮罩布局来模拟晶圆图案，获得模拟晶圆图案与量测图案之间的差异，并且根据差异调整晶圆边缘偏压表。