-
公开(公告)号：CN115867125A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210524236.X
申请日：2022-05-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H10N97/00
摘要： 根据本公开的半导体器件结构包括钝化层、设置在钝化层上的第一导体板层、设置在第一导体层上的第二导体板层、设置在第二导体层上的第三导体板层以及设置在第三导体层上的第四导体板层。第二导体板层包围第一导体板层，第四导体板层包围第三导体板层。该器件结构在用于后段制程无源器件时，减少因角部放电效应引起的泄漏和击穿。
-
公开(公告)号：CN114883296A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210328974.7
申请日：2022-03-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/768
摘要： 本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包含半导体基板以及位于有源装置上的内连结构。内连结构包含第一层、位于第一层上的第二层、位于第二层上的第三层以及位于第三层上的第四层。第一穿孔延伸穿过半导体基板、第一层以及第二层。第二穿孔延伸穿过第三层以及第四层，且第二穿孔的底面接触第一穿孔的顶面。
-
公开(公告)号：CN114975780A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210285654.8
申请日：2022-03-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 一种半导体装置，包括金属绝缘体金属(MIM)电容器。MIM电容器包括：多个电极，多个电极包括一或多个第一电极以及一或多个第二电极；以及一或多个绝缘层，设置于相邻的多个电极之间。MIM电容器设置于层间介电(ILD)层中，且ILD层设置于基板上方。一或多个第一电极连接至第一通孔电极的侧壁，其中第一通孔电极设置于ILD层中，而一或多个第二电极连接至第二通孔电极的侧壁，其中第二通孔电极设置于ILD层中。在一或多个上述或下列实施例中，一或多个绝缘层包括高k值介电材料。
-
公开(公告)号：CN116648133A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310347054.4
申请日：2023-04-03
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H10N97/00 , H01L21/768 , H01L23/64 , H01L23/48
摘要： 本文公开了用于金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的通孔阵列配置。示例性MIM电容器结构包括电容器底部金属层、位于电容器底部金属层上方的第一介电层、位于第一介电层上方的电容器中部金属层、位于电容器中部金属层上方的第二介电层以及位于第二介电层上方的电容器顶部金属层。具有第一金属通孔和第二金属通孔的金属通孔阵列被连接到电容器顶部金属层和电容器底部金属层。电容器顶部金属层的部分覆盖从第一金属通孔延伸到第二金属通孔的第二介电层的区域。本发明的实施例还提供了半导体器件和形成金属‑绝缘体‑金属电容器结构的方法。
-
公开(公告)号：CN114864484A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210288069.3
申请日：2022-03-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 在制造半导体装置的方法中，在第一介电层中形成开口，使得下部导电层的一部分在开口的底部暴露，一或多个衬垫导电层形成在下部导电层的部分、开口的内侧壁及第一介电层的上表面的上方，主要导电层形成于一或多个衬垫导电层上方，图案化的导电层借由图案化主要导电层和一或多个衬垫导电层而形成，且覆盖导电层形成于图案化导电层上方。被图案化的主要导电层被覆盖导电层和一或多个衬垫导电层的一者围绕。
-
公开(公告)号：CN113314499A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202011361604.0
申请日：2020-11-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
摘要： 提供了半导体器件、集成电路及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括金属‑绝缘体‑金属结构，金属‑绝缘体‑金属结构包括：底部导体板层，包括第一开口和第二开口；第一介电层，位于底部导体板层上方；中间导体板层，位于第一介电层上方，并且包括第三开口、设置在第三开口内的第一伪板、和第四开口；第二介电层，位于中间导体板层上方；以及顶部导体板层，位于第二介电层上方，并且包括第五开口、设置在第五开口内的第二伪板、第六开口、和设置在第六开口内的第三伪板。第一开口、第一伪板、和第二伪板垂直对准。
-
公开(公告)号：CN116544219A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310327670.3
申请日：2023-03-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本公开一种元件结构。元件结构包含金属‑绝缘体‑金属(Metal‑insulator‑metal；MIM)堆叠。MIM堆叠包含至少一下导体板层、一设置于下导体板层之上的第一绝缘层、一设置于第一绝缘层之上的第一导体板层、一设置于第一导体板层之上的第二绝缘层，以及一设置在第二绝缘层之上的第二导体板层。该元件结构进一步包含一接地导孔和一第一导孔，接地导孔延伸穿过并电性耦接至第一导体板层中的第一接地板，而第一导孔延伸穿过并电性耦接至第二导体板层中的高电压板。第一接地板与高电压板垂直交叠，且第二绝缘层不同于第一绝缘层。
-
公开(公告)号：CN109712957B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201810211593.4
申请日：2018-03-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 提供金属‑绝缘层‑金属电容结构与其形成方法。金属‑绝缘层‑金属电容结构包括基板、底电极层、第一介电层、顶电极层、与第一介电间隔物。底电极层位于基板上。第一介电层位于底电极层上。顶电极层位于第一介电层上。第一介电间隔物位于底电极层其两侧的侧壁上。第一介电层具有第一介电常数。第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。
-
公开(公告)号：CN114927463A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210238220.2
申请日：2022-03-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本公开提出一种装置结构。装置结构包含结构、设置于结构上的第一保护层、设置于第一保护层上的缓冲层、设置于缓冲层的第一部分上的阻挡层、设置于阻挡层上方的重布线层、设置于阻挡层上和重布线层的侧面上的粘着层以及设置于缓冲层的第二部分上的第二保护层。第二保护层接触阻挡层、粘着层和重布线层。
-
公开(公告)号：CN109712957A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201810211593.4
申请日：2018-03-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 提供金属-绝缘层-金属电容结构与其形成方法。金属-绝缘层-金属电容结构包括基板、底电极层、第一介电层、顶电极层、与第一介电间隔物。底电极层位于基板上。第一介电层位于底电极层上。顶电极层位于第一介电层上。第一介电间隔物位于底电极层其两侧的侧壁上。第一介电层具有第一介电常数。第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.04 秒)
