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公开(公告)号：CN114864484A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210288069.3
申请日：2022-03-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 在制造半导体装置的方法中，在第一介电层中形成开口，使得下部导电层的一部分在开口的底部暴露，一或多个衬垫导电层形成在下部导电层的部分、开口的内侧壁及第一介电层的上表面的上方，主要导电层形成于一或多个衬垫导电层上方，图案化的导电层借由图案化主要导电层和一或多个衬垫导电层而形成，且覆盖导电层形成于图案化导电层上方。被图案化的主要导电层被覆盖导电层和一或多个衬垫导电层的一者围绕。
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公开(公告)号：CN115867125A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210524236.X
申请日：2022-05-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H10N97/00
摘要： 根据本公开的半导体器件结构包括钝化层、设置在钝化层上的第一导体板层、设置在第一导体层上的第二导体板层、设置在第二导体层上的第三导体板层以及设置在第三导体层上的第四导体板层。第二导体板层包围第一导体板层，第四导体板层包围第三导体板层。该器件结构在用于后段制程无源器件时，减少因角部放电效应引起的泄漏和击穿。
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公开(公告)号：CN116544219A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310327670.3
申请日：2023-03-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本公开一种元件结构。元件结构包含金属‑绝缘体‑金属(Metal‑insulator‑metal；MIM)堆叠。MIM堆叠包含至少一下导体板层、一设置于下导体板层之上的第一绝缘层、一设置于第一绝缘层之上的第一导体板层、一设置于第一导体板层之上的第二绝缘层，以及一设置在第二绝缘层之上的第二导体板层。该元件结构进一步包含一接地导孔和一第一导孔，接地导孔延伸穿过并电性耦接至第一导体板层中的第一接地板，而第一导孔延伸穿过并电性耦接至第二导体板层中的高电压板。第一接地板与高电压板垂直交叠，且第二绝缘层不同于第一绝缘层。
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公开(公告)号：CN109712957B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201810211593.4
申请日：2018-03-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 提供金属‑绝缘层‑金属电容结构与其形成方法。金属‑绝缘层‑金属电容结构包括基板、底电极层、第一介电层、顶电极层、与第一介电间隔物。底电极层位于基板上。第一介电层位于底电极层上。顶电极层位于第一介电层上。第一介电间隔物位于底电极层其两侧的侧壁上。第一介电层具有第一介电常数。第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。
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公开(公告)号：CN114927463A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210238220.2
申请日：2022-03-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本公开提出一种装置结构。装置结构包含结构、设置于结构上的第一保护层、设置于第一保护层上的缓冲层、设置于缓冲层的第一部分上的阻挡层、设置于阻挡层上方的重布线层、设置于阻挡层上和重布线层的侧面上的粘着层以及设置于缓冲层的第二部分上的第二保护层。第二保护层接触阻挡层、粘着层和重布线层。
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公开(公告)号：CN109712957A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201810211593.4
申请日：2018-03-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 提供金属-绝缘层-金属电容结构与其形成方法。金属-绝缘层-金属电容结构包括基板、底电极层、第一介电层、顶电极层、与第一介电间隔物。底电极层位于基板上。第一介电层位于底电极层上。顶电极层位于第一介电层上。第一介电间隔物位于底电极层其两侧的侧壁上。第一介电层具有第一介电常数。第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。
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公开(公告)号：CN118198128A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410193764.0
申请日：2024-02-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明的实施例提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括第一导电焊盘在第一方向上设置在衬底的第一侧上方。该集成电路器件包括第二导电焊盘在第一方向上设置在衬底的第二侧上方。该集成电路器件包括衬底贯通孔(TSV)在第一方向上延伸至衬底中。TSV在第一方向上设置在第一导电焊盘和第二导电焊盘之间。该集成电路器件包括空气衬垫在与第一方向不同的第二方向上设置在TSV和衬底之间。本发明的另一些实施例还提供了形成集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN114975780A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210285654.8
申请日：2022-03-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 一种半导体装置，包括金属绝缘体金属(MIM)电容器。MIM电容器包括：多个电极，多个电极包括一或多个第一电极以及一或多个第二电极；以及一或多个绝缘层，设置于相邻的多个电极之间。MIM电容器设置于层间介电(ILD)层中，且ILD层设置于基板上方。一或多个第一电极连接至第一通孔电极的侧壁，其中第一通孔电极设置于ILD层中，而一或多个第二电极连接至第二通孔电极的侧壁，其中第二通孔电极设置于ILD层中。在一或多个上述或下列实施例中，一或多个绝缘层包括高k值介电材料。
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公开(公告)号：CN112563269A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011023396.3
申请日：2020-09-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要： 本发明实施例提供一种半导体装置，包括位于半导体基板上鳍状结构。鳍状结构包括底部与顶部。底部与顶部包括不同材料。装置亦包括位于底部的侧壁上的衬垫层、位于衬垫层的侧表面上的介电层、界面层、与位于介电层上并接合鳍状结构的栅极结构。衬垫层的上表面延伸低于顶部的下表面。界面层的第一部分位于底部的侧壁表面上并与其直接接触，且界面层的第二部分位于顶部的上表面与侧壁表面上并与其直接接触。栅极结构包括高介电常数的介电层，与高介电常数的介电层上的金属栅极。高介电常数的介电层直接接触界面层的第一部分。
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公开(公告)号：CN106505103A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510860676.2
申请日：2015-11-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，在上述方法中，一第一半导体层形成于一基底上方。一蚀刻停止层形成于第一半导体层上方。一虚置层形成于蚀刻停止层上方。多个隔离区形成于虚置层、蚀刻停止层及第一半导体层内。去除位于隔离区之间的虚置层及蚀刻停止层，以形成一空间。第一半导体层露出于空间内。一第二半导体层形成于空间内的第一半导体层上方。一第三半导体层形成于空间内的第二半导体层上方。下凹隔离区，以露出第三半导体层的一上部。本发明亦提供一种半导体装置。
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