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发明公开
沉积装置、沉积方法、以及沉积系统审中-实审

公开(公告)号：CN116265600A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202310116900.1

申请日：2023-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡家宏 , 李锦思 , 吴思桦 , 何瑞鸿 , 廖启宏 , 简钰人

IPC: C23C14/14 , C23C14/28 , C23C14/34

Abstract: 一种沉积装置，包括一磁屏蔽。磁屏蔽减少腔室中的外部噪声，腔室包括标靶以及至少一电磁铁用于铜物理气相沉积。屏蔽可具有厚度，在大约0.1毫米至大约10毫米的范围内，以提供足够的保护免受射频以及其他电磁信号的影响。因此，腔室中的铜原子遭受较少来自外部噪声的重定向。此外，即使在物理气相沉积期间发生硬件故障(例如，电磁铁失灵、晶圆台不水平、以及/或一流量优化器引起过多偏移等)，铜原子不易受来自外部噪声的小重定向的影响。因此，后段工艺以及/或中段工艺的导电结构以更一致的方式形成，这增加导电性并且改善包括后段工艺以及/或中段工艺的导电结构的电子装置的寿命。

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