-
公开(公告)号：CN110649155B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910309884.1
申请日：2019-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例描述了一种可以防止或减少Cu从互连层向磁隧道结(MTJ)结构向外扩散的示例性方法。该方法包括在衬底上形成互连层，该互连层包括其中具有开口的层间介电叠层；在开口中设置金属以形成相应的导电结构；以及选择性地在金属上沉积扩散阻挡层。在该方法中，选择性地沉积扩散阻挡层包括对金属表面进行预处理；设置前体以在金属上选择性地形成部分分解的前体层；以及将部分分解的前体层暴露于等离子体以形成扩散阻挡层。方法还包括在扩散阻挡层上方的互连层上形成MTJ结构，其中MTJ结构的底部电极与扩散阻挡层对准。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN116265600A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310116900.1
申请日：2023-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种沉积装置，包括一磁屏蔽。磁屏蔽减少腔室中的外部噪声，腔室包括标靶以及至少一电磁铁用于铜物理气相沉积。屏蔽可具有厚度，在大约0.1毫米至大约10毫米的范围内，以提供足够的保护免受射频以及其他电磁信号的影响。因此，腔室中的铜原子遭受较少来自外部噪声的重定向。此外，即使在物理气相沉积期间发生硬件故障(例如，电磁铁失灵、晶圆台不水平、以及/或一流量优化器引起过多偏移等)，铜原子不易受来自外部噪声的小重定向的影响。因此，后段工艺以及/或中段工艺的导电结构以更一致的方式形成，这增加导电性并且改善包括后段工艺以及/或中段工艺的导电结构的电子装置的寿命。
-
公开(公告)号：CN110649155A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910309884.1
申请日：2019-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例描述了一种可以防止或减少Cu从互连层向磁隧道结(MTJ)结构向外扩散的示例性方法。该方法包括在衬底上形成互连层，该互连层包括其中具有开口的层间介电叠层；在开口中设置金属以形成相应的导电结构；以及选择性地在金属上沉积扩散阻挡层。在该方法中，选择性地沉积扩散阻挡层包括对金属表面进行预处理；设置前体以在金属上选择性地形成部分分解的前体层；以及将部分分解的前体层暴露于等离子体以形成扩散阻挡层。方法还包括在扩散阻挡层上方的互连层上形成MTJ结构，其中MTJ结构的底部电极与扩散阻挡层对准。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.019 seconds)
