公开(公告)号：CN104253108A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410301605.4

申请日：2014-06-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林瑀宏 ,  叶菁馥 ,  蔡昕辰 ,  梁耀祥 ,  张育民 ,  林士琦

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种改进的互连结构及其形成方法，这允许互连结构实现较低Rc。为了降低互连结构的Rc，将α相诱导金属层引入到β相的第一Ta阻挡层上，从而诱导随后沉积在其上的Ta形成α相Ta阻挡层。与β相Ta阻挡层相比，随后沉积的主要的晶体结构为α相的Ta阻挡层具有较低的Rc。

公开(公告)号：CN109390276A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201811216101.7

申请日：2014-06-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林瑀宏 ,  叶菁馥 ,  蔡昕辰 ,  梁耀祥 ,  张育民 ,  林士琦

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

摘要： 本发明公开了一种改进的互连结构及其形成方法，这允许互连结构实现较低Rc。为了降低互连结构的Rc，将α相诱导金属层引入到β相的第一Ta阻挡层上，从而诱导随后沉积在其上的Ta形成α相Ta阻挡层。与β相Ta阻挡层相比，随后沉积的主要的晶体结构为α相的Ta阻挡层具有较低的Rc。

公开(公告)号：CN221947155U

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202420434337.2

申请日：2024-03-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭家邦 ,  杨竣翔 ,  林岳虢 ,  蔡昕辰 ,  林其锋 ,  苏鸿文

IPC分类号： H01L23/538

摘要： 提供具有铝结构的半导体装置。示例性装置包含互连结构和电性连接至互连结构的铝结构。铝结构包含第一铝层、第一铝层上方的迁移阻障层和迁移阻障层上方的第二铝层。