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公开(公告)号：CN109390276A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811216101.7
申请日：2014-06-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 本发明公开了一种改进的互连结构及其形成方法，这允许互连结构实现较低Rc。为了降低互连结构的Rc，将α相诱导金属层引入到β相的第一Ta阻挡层上，从而诱导随后沉积在其上的Ta形成α相Ta阻挡层。与β相Ta阻挡层相比，随后沉积的主要的晶体结构为α相的Ta阻挡层具有较低的Rc。
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公开(公告)号：CN105097664A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410442910.5
申请日：2014-09-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/2855 , H01L21/28562 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76879 , H01L23/50 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了用于具有减小的接触电阻的集成电路的结构。该结构包括衬底、沉积在衬底上的覆盖层、沉积在覆盖层上的介电层、以及嵌入在介电层中的沟槽。该沟槽包括沉积在沟槽的侧壁上的TaN层，其中，TaN层具有大于钽的氮浓度；沉积在TaN层上的Ta层；以及沉积在Ta层上的Cu。该结构还包括在填充的沟槽的底部集成到沟槽的通孔。在一个实施例中，TaN层和Ta层均以物理汽相沉积(PVD)形成，其中，通过以至少20sccm的N2流量等离子体溅射Ta靶来形成TaN层。该结构提供低的接触电阻(Rc)和紧凑的Rc分布。本发明还涉及器件和用于减小金属的接触电阻的方法。
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公开(公告)号：CN105097664B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410442910.5
申请日：2014-09-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/2855 , H01L21/28562 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76879 , H01L23/50 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了用于具有减小的接触电阻的集成电路的结构。该结构包括衬底、沉积在衬底上的覆盖层、沉积在覆盖层上的介电层、以及嵌入在介电层中的沟槽。该沟槽包括沉积在沟槽的侧壁上的TaN层，其中，TaN层具有大于钽的氮浓度；沉积在TaN层上的Ta层；以及沉积在Ta层上的Cu。该结构还包括在填充的沟槽的底部集成到沟槽的通孔。在一个实施例中，TaN层和Ta层均以物理汽相沉积(PVD)形成，其中，通过以至少20sccm的N2流量等离子体溅射Ta靶来形成TaN层。该结构提供低的接触电阻(Rc)和紧凑的Rc分布。本发明还涉及器件和用于减小金属的接触电阻的方法。
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公开(公告)号：CN104253108A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410301605.4
申请日：2014-06-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/76876 , H01L21/76879 , H01L23/53228 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种改进的互连结构及其形成方法，这允许互连结构实现较低Rc。为了降低互连结构的Rc，将α相诱导金属层引入到β相的第一Ta阻挡层上，从而诱导随后沉积在其上的Ta形成α相Ta阻挡层。与β相Ta阻挡层相比，随后沉积的主要的晶体结构为α相的Ta阻挡层具有较低的Rc。
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