公开(公告)号：CN109324471B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201711348855.3

申请日：2017-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 尤昶清 ,  许志东 ,  王世强 ,  胡致嘉 ,  陈尚承

IPC: G03F1/42

Abstract: 提供了多掩模多曝光光刻技术以及适当的掩模的实例。在一些实例中，光掩模包括：管芯区域；以及拼接区域，设置为邻近管芯区域并沿着光掩模的界线。拼接区域包括：用于形成集成电路部件的掩模部件；以及用于片内重叠测量的对准标记。本发明实施例涉及一种形成半导体器件的方法和掩模。

公开(公告)号：CN109324471A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201711348855.3

申请日：2017-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 尤昶清 ,  许志东 ,  王世强 ,  胡致嘉 ,  陈尚承

IPC: G03F1/42

Abstract: 提供了多掩模多曝光光刻技术以及适当的掩模的实例。在一些实例中，光掩模包括：管芯区域；以及拼接区域，设置为邻近管芯区域并沿着光掩模的界线。拼接区域包括：用于形成集成电路部件的掩模部件；以及用于片内重叠测量的对准标记。本发明实施例涉及一种形成半导体器件的方法和掩模。

公开(公告)号：CN1715889A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510080092.X

申请日：2005-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周怡儒 ,  许志东

IPC: G01N21/956 ,  G01N21/88 ,  H01L21/66

CPC classification number: G06T7/0004 ,  G06T2207/30148

Abstract: 本发明是一种光罩缺陷侦测系统与方法，所述光罩缺陷侦测系统，包括第一处理装置、第二处理装置、第三处理装置、及储存装置。该第一处理装置是用以将光罩设计数据转换为第一读写机格式光罩数据，其中该第一处理装置包含第一处理模块。该第二处理装置，是用以将该光罩设计数据转换为第二读写机格式光罩数据，其中该第二处理装置包含第二处模块，是为该第一处理模块的不相同相对物。该第三处理装置，是用以比对该第一读写机格式光罩数据和该第二读写机格式光罩数据，以确认该第一读写机格式光罩数据和该第二读写机格式光罩数据之间是否有差异。该储存装置，是用以储存该光罩设计数据、该第一读写机格式光罩数据和该第二读写机格式光罩数据。