公开(公告)号：CN118629873A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410611181.5

申请日：2024-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  林孟良 ,  赖杰隆 ,  陈宪伟

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

Abstract: 形成封装结构的方法包括在载体上方形成再分布线，再分布线包括通孔和位于通孔上方并且连接至通孔的金属迹线。再分布线的形成包括沉积第一金属层，在第一金属层上方沉积阻挡层，以及在阻挡层上方沉积第二金属层。该方法还包括将再分布线从载体脱粘，以及将封装组件接合至再分布线，其中金属凸块将封装组件接合至通孔。本公开的实施例还涉及封装结构。

公开(公告)号：CN117276236A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311030792.2

申请日：2023-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖杰隆 ,  林孟良 ,  陈宪伟 ,  郑心圃

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

Abstract: 半导体装置包括：裸片，具有多个裸片连接物于裸片的前侧上；成型化合物，围绕裸片；以及重布线结构，其中裸片的裸片连接物贴合至重布线结构的第一侧，其中重布线结构包括：介电层；导线，沿着面向裸片的介电层的第一表面延伸；以及翘曲调整层，沿着面向裸片的导线的第一表面延伸并接触导线的第一表面，其中导线的第一热膨胀系数小于翘曲调整层的第二热膨胀系数。

公开(公告)号：CN220914214U

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202322270175.1

申请日：2023-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  杨峻岳 ,  赖杰隆 ,  林孟良 ,  郑心圃

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498

Abstract: 提供一种集成电路封装体，包括中介层，中介层包括第一重分布层、第二重分布层、介电层、第三重分布层以及第一直接通孔，第二重分布层在中介层的中央区域中的第一重分布层之上，介电层在中介层的周边中的第一重分布层之上，介电层在俯视图中围绕第二重分布层，第三重分布层在第二重分布层以及介电层之上，第一直接通孔延伸通过介电层。第三重分布层的导电特征通过第一直接通孔耦接到第一重分布层的导电特征。

公开(公告)号：CN221057423U

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202322387669.8

申请日：2023-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖杰隆 ,  杨峻岳 ,  陈宪伟 ,  林孟良

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/52 ,  H01L25/18 ,  H01L25/16

Abstract: 提供一种基板上晶圆上芯片(CoWoS)装置结构，包括：封装基板；中介层，在封装基板上方；第一晶粒与第二晶粒，设置在中介层上，其中第一晶粒具有第一底表面且第二晶粒具有第二底表面，其中与第一底表面和第二底表面共平面的平面具有大于零的斜率，且其中第一晶粒在第一晶粒的第一边缘处与第二晶粒间隔第一距离，且在第一晶粒的第二边缘处与第二晶粒间隔第二距离，第二边缘与第一边缘相对，且其中第一距离等于第二距离。