公开(公告)号：CN101026202A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610137928.X

申请日：2006-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张毓华 ,  钟明达 ,  翁睿均 ,  林明毅

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/035272 ,  B05D1/36 ,  B81C1/0038

Abstract: 本发明提供一种避免沉积厚膜发生脱层的方法及其制造的太阳能电池，在该方法中，在形成一厚膜后、在后续的热处理程序之前，将其分割成多个分离的区块。通过上述分割的步骤，可减少膜应力对上述厚膜与其下层材料之间的界面的作用，而避免在上述厚膜形成之后的后续热处理过程中发生脱层。已分割的厚膜的图形密度至少为80％，且上述分离的区块不会个别地作为元件结构。本发明所述的避免沉积厚膜发生脱层的方法及其制造的太阳能电池，避免了沉积厚膜发生脱层，提升了整个半导体装置的品质。

公开(公告)号：CN103456768B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201310080401.8

申请日：2013-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许鸿生 ,  杨岱宜 ,  吴威鼎 ,  钟明达 ,  游绍祺

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0649 ,  H01L2221/1047

Abstract: 一种器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的接触塞；以及位于半导体衬底上方的层间介电(ILD)层，并且接触塞设置在ILD层中。气隙被ILD层的一部分和半导体衬底密封。气隙形成环绕半导体衬底的一部分的完整的气隙环。本发明提供了深沟槽中具有气隙的半导体隔离结构。

公开(公告)号：CN103456768A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310080401.8

申请日：2013-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许鸿生 ,  杨岱宜 ,  吴威鼎 ,  钟明达 ,  游绍祺

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0649 ,  H01L2221/1047

Abstract: 一种器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的接触塞；以及位于半导体衬底上方的层间介电(ILD)层，并且接触塞设置在ILD层中。气隙被ILD层的一部分和半导体衬底密封。气隙形成环绕半导体衬底的一部分的完整的气隙环。本发明提供了深沟槽中具有气隙的半导体隔离结构。

公开(公告)号：CN100461466C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610137928.X

申请日：2006-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张毓华 ,  钟明达 ,  翁睿均 ,  林明毅

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/035272 ,  B05D1/36 ,  B81C1/0038

Abstract: 本发明提供一种避免沉积厚膜发生脱层的方法及其制造的太阳能电池，在该方法中，在形成一厚膜后、在后续的热处理程序之前，将其分割成多个分离的区块。通过上述分割的步骤，可减少膜应力对上述厚膜与其下层材料之间的界面的作用，而避免在上述厚膜形成之后的后续热处理过程中发生脱层。已分割的厚膜的图形密度至少为80%，且上述分离的区块不会各别地作为元件结构。本发明所述的避免沉积厚膜发生脱层的方法及其制造的太阳能电池，避免了沉积厚膜发生脱层，提升了整个半导体装置的品质。