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公开(公告)号：CN105023909B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410332205.X
申请日：2014-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/743 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/535 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/1601
Abstract: 本发明公开了一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法。该方法包括制备用于与半导体封装接合的晶圆。该晶圆包括低电阻衬底，低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用。RDL包括穿过低电阻衬底并且两侧均由隔离沟槽划界的导电路径。TSV由隔离沟槽和RDL划界。制备用于接合的晶圆可以包括：制备隔离沟槽，该隔离沟槽对穿过低电阻衬底的用于RDL的导电路径划界以及对低电阻衬底中的用于TSV的立柱中的垂直导电路径划界；在隔离沟槽中填充隔离沟槽材料；以及制备晶圆接合面。本发明还公开了提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的结构和方法。
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公开(公告)号：CN103456768B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310080401.8
申请日：2013-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/76264 , H01L21/76283 , H01L21/76289 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/823475 , H01L27/088 , H01L29/0649 , H01L2221/1047
Abstract: 一种器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的接触塞；以及位于半导体衬底上方的层间介电(ILD)层，并且接触塞设置在ILD层中。气隙被ILD层的一部分和半导体衬底密封。气隙形成环绕半导体衬底的一部分的完整的气隙环。本发明提供了深沟槽中具有气隙的半导体隔离结构。
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公开(公告)号：CN105967137A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510450702.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B7/0048 , B81B7/0051 , B81B7/0054 , B81B7/007 , H01L2224/04026 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/2957 , H01L2224/29624 , H01L2224/29644
Abstract: 本发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外，上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合环的侧壁延伸。该凹槽吸收诱导应力，从而缓解管芯中的任何器件偏移。本发明的实施例还涉及为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法。
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公开(公告)号：CN110745773A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911039434.1
申请日：2014-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于气密密封的薄膜结构。本发明涉及具有气密密封结构的MEMS器件以及相关的方法。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯在接合界面区处接合以形成腔室。共形薄膜结构设置为覆盖接合界面区的外侧壁以提供气密密封。在一些实施例中，共形薄膜结构是覆盖第二管芯的外表面和第一管芯的顶面的连续薄层。在一些其他实施例中，共形薄膜结构包括纵向设置的若干离散的薄膜补片。
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公开(公告)号：CN105967138B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510446511.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/096 , B81C2203/0109 , G01K13/00 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , G01N27/221 , G01N2027/222
Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105967138A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510446511.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/096 , B81C2203/0109 , G01K13/00 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , G01N27/221 , G01N2027/222
Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
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公开(公告)号：CN105023909A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410332205.X
申请日：2014-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/743 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/535 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/1601
Abstract: 本发明公开了一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法。该方法包括制备用于与半导体封装接合的晶圆。该晶圆包括低电阻衬底，低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用。RDL包括穿过低电阻衬底并且两侧均由隔离沟槽划界的导电路径。TSV由隔离沟槽和RDL划界。制备用于接合的晶圆可以包括：制备隔离沟槽，该隔离沟槽对穿过低电阻衬底的用于RDL的导电路径划界以及对低电阻衬底中的用于TSV的立柱中的垂直导电路径划界；在隔离沟槽中填充隔离沟槽材料；以及制备晶圆接合面。本发明还公开了提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的结构和方法。
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公开(公告)号：CN105967137B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510450702.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外，上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合环的侧壁延伸。该凹槽吸收诱导应力，从而缓解管芯中的任何器件偏移。本发明的实施例还涉及为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法。
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公开(公告)号：CN105271100A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410507488.7
申请日：2014-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于气密密封的薄膜结构。本发明涉及具有气密密封结构的MEMS器件以及相关的方法。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯在接合界面区处接合以形成腔室。共形薄膜结构设置为覆盖接合界面区的外侧壁以提供气密密封。在一些实施例中，共形薄膜结构是覆盖第二管芯的外表面和第一管芯的顶面的连续薄层。在一些其他实施例中，共形薄膜结构包括纵向设置的若干离散的薄膜补片。
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