公开(公告)号：CN115863262A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202210712689.5

申请日：2022-06-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 粘耀仁 ,  梁耀祥 ,  钟明锦 ,  吕学汉 ,  吴钧儒

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括设置在衬底上方的第一层间介电(ILD)层、设置在第一ILD层上方且包含硅和氧的控制层、以及设置在控制层上方的电阻布线。控制层的氧浓度大于第一ILD层的氧浓度。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106158931B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201610146084.9

申请日：2016-03-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪奇成 ,  陈科维 ,  王喻生 ,  钟明锦 ,  吴家扬

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L21/28

摘要： 一种半导体结构包括半导体衬底、至少一个介电层、介电间隔件衬垫(DSL)层和至少一个导体。该介电层存在于半导体衬底上。该介电层具有至少一个接触孔，其曝光半导体衬底的至少一部分。该半导体衬底具有与接触孔连通的至少一个凹槽。该凹槽具有底表面和至少一个侧壁。该DSL层至少存在于凹槽的该侧壁上。导体至少部分地存在于接触孔中并且电连接至半导体衬底。本发明还提供了用于制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN106981413B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201610683007.7

申请日：2016-08-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪奇成 ,  王喻生 ,  陈文成 ,  魏浩涵 ,  钟明锦 ,  郑志成

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/423

摘要： 本发明揭露一种制造氮化钽隔离层的方法及金属栅极堆。制造用于超低临界电压半导体装置的氮化钽隔离层的方法包含：形成一高介电常数介电层于一半导体基材上。接着，形成一氮化钽隔离层于该高介电常数介电层上，其中该氮化钽隔离层具有一钽氮比(Ta:N)介于1.2至3之间。再来，沉积多个第一金属栅极于该氮化钽隔离层上，并且图案化位于该于该氮化钽隔离层上的该多个第一金属栅极。最后，形成一第二金属栅极于该氮化钽隔离层上。氮化钽隔离层的钽氮比可精准调整，且氮化钽隔离层抑制不同层间物质扩散，介电泄滞的情况大幅减少。

公开(公告)号：CN106981413A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610683007.7

申请日：2016-08-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪奇成 ,  王喻生 ,  陈文成 ,  魏浩涵 ,  钟明锦 ,  郑志成

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/423

摘要： 本发明揭露一种制造氮化钽隔离层的方法及金属栅极堆。制造用于超低临界电压半导体装置的氮化钽隔离层的方法包含：形成一高介电常数介电层于一半导体基材上。接着，形成一氮化钽隔离层于该高介电常数介电层上，其中该氮化钽隔离层具有一钽氮比(Ta:N)介于1.2至3之间。再来，沉积多个第一金属栅极于该氮化钽隔离层上，并且图案化位于该于该氮化钽隔离层上的该多个第一金属栅极。最后，形成一第二金属栅极于该氮化钽隔离层上。氮化钽隔离层的钽氮比可精准调整，且氮化钽隔离层抑制不同层间物质扩散，介电泄滞的情况大幅减少。

公开(公告)号：CN106158931A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610146084.9

申请日：2016-03-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪奇成 ,  陈科维 ,  王喻生 ,  钟明锦 ,  吴家扬

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L21/28

摘要： 一种半导体结构包括半导体衬底、至少一个介电层、介电间隔件衬垫(DSL)层和至少一个导体。该介电层存在于半导体衬底上。该介电层具有至少一个接触孔，其曝光半导体衬底的至少一部分。该半导体衬底具有与接触孔连通的至少一个凹槽。该凹槽具有底表面和至少一个侧壁。该DSL层至少存在于凹槽的该侧壁上。导体至少部分地存在于接触孔中并且电连接至半导体衬底。本发明还提供了用于制造半导体结构的方法。