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公开(公告)号：CN110783410A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910694119.6
申请日：2019-07-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有源极/漏极和栅极的晶体管。半导体器件也包括用于晶体管的导电接触件。导电接触件提供至晶体管的源极/漏极或栅极的电连接。导电接触件包括多个阻挡层。阻挡层具有彼此不同的深度。根据本申请的实施例，还提供了另一种半导体器件以及一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN108231665B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201711137421.9
申请日：2017-11-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 一种形成半导体装置的方法，包括蚀刻层间介电(ILD)以形成暴露源极/漏极的一部分的接触开口。方法还包括将含钛材料沉积进接触开口中，其中沉积含钛材料的能量足以导致源极/漏极的材料沿ILD的侧壁再沉积以形成自源极/漏极的顶表面延伸的突出。方法还包括退火半导体装置以在源极/漏极中及在突出中形成硅化物层。
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公开(公告)号：CN106158931B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201610146084.9
申请日：2016-03-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L21/28
摘要： 一种半导体结构包括半导体衬底、至少一个介电层、介电间隔件衬垫(DSL)层和至少一个导体。该介电层存在于半导体衬底上。该介电层具有至少一个接触孔，其曝光半导体衬底的至少一部分。该半导体衬底具有与接触孔连通的至少一个凹槽。该凹槽具有底表面和至少一个侧壁。该DSL层至少存在于凹槽的该侧壁上。导体至少部分地存在于接触孔中并且电连接至半导体衬底。本发明还提供了用于制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN109427662A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711206931.7
申请日：2017-11-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/782
摘要： 本揭示内容描述了一种硅化金属形成制程，其在金属沉积制程期间，通过施加基板偏电压以在硅-锗源极/漏极区域中形成非晶层。例如，方法包括提供一基板，基板具有设置于其上的一栅极结构和与栅极结构相邻的一源极/漏极区域。形成一介电质于栅极结构和源极/漏极区域之上。形成一接触件开口于介电质中，以暴露出栅极结构的一部分和源极/漏极区域的一部分。形成一非晶层于源极/漏极区域的暴露部分中，其中非晶层具有基于施加到基板的一可调偏电压的一厚度和一组成。此外，执行一退火以形成一硅化金属于源极/漏极区域上。
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公开(公告)号：CN110783410B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201910694119.6
申请日：2019-07-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有源极/漏极和栅极的晶体管。半导体器件也包括用于晶体管的导电接触件。导电接触件提供至晶体管的源极/漏极或栅极的电连接。导电接触件包括多个阻挡层。阻挡层具有彼此不同的深度。根据本申请的实施例，还提供了另一种半导体器件以及一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109786318A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811347065.8
申请日：2018-11-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含形成介电结构于晶体管上，形成第一凹陷于介电结构中，以及形成第一阻障层于第一凹陷的第一内壁上。第一阻障层具有第一开口位于介电结构的第一部分之上，且靠近第一凹陷的第一底表面的第一阻障层比靠近介电结构的顶表面的第一阻障层厚。此方法还包含经由第一开口移除第一部分，以形成第二凹陷于介电结构中，以及形成第二阻障层于第二凹陷的第二内壁上，第二阻障层具有第二开口于第二凹陷中。此方法也包含形成接点层于第一开口和第二开口中。
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公开(公告)号：CN108231665A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711137421.9
申请日：2017-11-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/285 , H01L21/2855 , H01L21/768 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76897 , H01L29/165 , H01L29/40 , H01L29/401 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/665 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7848 , H01L21/76841 , H01L21/76853 , H01L29/66477
摘要： 一种形成半导体装置的方法，包括蚀刻层间介电(ILD)以形成暴露源极/漏极的一部分的接触开口。方法还包括将含钛材料沉积进接触开口中，其中沉积含钛材料的能量足以导致源极/漏极的材料沿ILD的侧壁再沉积以形成自源极/漏极的顶表面延伸的突出。方法还包括退火半导体装置以在源极/漏极中及在突出中形成硅化物层。
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公开(公告)号：CN106158931A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610146084.9
申请日：2016-03-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L21/28
摘要： 一种半导体结构包括半导体衬底、至少一个介电层、介电间隔件衬垫(DSL)层和至少一个导体。该介电层存在于半导体衬底上。该介电层具有至少一个接触孔，其曝光半导体衬底的至少一部分。该半导体衬底具有与接触孔连通的至少一个凹槽。该凹槽具有底表面和至少一个侧壁。该DSL层至少存在于凹槽的该侧壁上。导体至少部分地存在于接触孔中并且电连接至半导体衬底。本发明还提供了用于制造半导体结构的方法。
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