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公开(公告)号：CN107342259A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710197165.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/823475 , H01L21/30604 , H01L21/3085 , H01L21/76895 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L23/535 , H01L27/088 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76877
Abstract: 方法包括沉积蚀刻停止层于基板上；图案化蚀刻停止层，使图案化的蚀刻停止层覆盖第一区的基板，且图案化的蚀刻停止层的开口露出第二区的基板；沉积第一介电层于第一区中的蚀刻停止层上以及第二区中的基板上；图案化第一介电层，以形成第一沟槽穿过第一区中的第一介电层，且第一沟槽露出蚀刻停止层；形成金属结构于第一沟槽中；沉积第二介电层于第一区中的金属结构上以及第二区中的第一介电层上；以及进行图案化工艺，以形成第二沟槽穿过第一区中的第二介电层，并形成第三沟槽穿过第二区中的第二介电层与第一介电层。
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公开(公告)号：CN114690587A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210080593.1
申请日：2022-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本揭示案揭示一种微影方法、微影制程与微影系统。微影方法包括得到污染层厚度和补偿能量之间的关系，其中污染层形成在光罩上且补偿能量可移除污染层。微影方法还包括从厚度量测装置得到第一污染层的第一厚度，其中第一污染层形成在光罩上。微影方法还包括对引导至光罩的光施加第一补偿能量，其中通过得到的关系而计算出第一补偿能量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206413A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510310465.1
申请日：2015-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成栅极结构。该栅极结构包括第一硬掩模层。该方法还包括在邻近栅极结构的衬底中形成源极/漏极(S/D)部件，且沿着栅极结构的侧壁形成侧壁间隔件。侧壁间隔件的外边缘在其上部背朝栅极结构。该方法还包括沿着栅极结构的侧壁和沿着侧壁间隔件的外边缘形成第二间隔件、在栅极结构上方形成介电层、形成延伸穿过介电层以暴露出源极/漏极部件的沟槽，同时第一硬掩模层和具有第二间隔件的侧壁间隔件保护栅极结构。该方法还包括在沟槽中形成接触部件。本发明还提供了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN107342259B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201710197165.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 方法包括沉积蚀刻停止层于基板上；图案化蚀刻停止层，使图案化的蚀刻停止层覆盖第一区的基板，且图案化的蚀刻停止层的开口露出第二区的基板；沉积第一介电层于第一区中的蚀刻停止层上以及第二区中的基板上；图案化第一介电层，以形成第一沟槽穿过第一区中的第一介电层，且第一沟槽露出蚀刻停止层；形成金属结构于第一沟槽中；沉积第二介电层于第一区中的金属结构上以及第二区中的第一介电层上；以及进行图案化工艺，以形成第二沟槽穿过第一区中的第二介电层，并形成第三沟槽穿过第二区中的第二介电层与第一介电层。
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公开(公告)号：CN106206413B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201510310465.1
申请日：2015-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成栅极结构。该栅极结构包括第一硬掩模层。该方法还包括在邻近栅极结构的衬底中形成源极/漏极(S/D)部件，且沿着栅极结构的侧壁形成侧壁间隔件。侧壁间隔件的外边缘在其上部背朝栅极结构。该方法还包括沿着栅极结构的侧壁和沿着侧壁间隔件的外边缘形成第二间隔件、在栅极结构上方形成介电层、形成延伸穿过介电层以暴露出源极/漏极部件的沟槽，同时第一硬掩模层和具有第二间隔件的侧壁间隔件保护栅极结构。该方法还包括在沟槽中形成接触部件。本发明还提供了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN107799433B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201610807369.2
申请日：2016-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体制造装置，用以检测并研磨一晶圆的一背表面，该装置包括一研磨模块以及一检测系统。前述研磨模块用以研磨晶圆的背表面，检测系统用以检测晶圆的背表面。其中，前述检测系统固定于研磨模块上并传递一信号至研磨模块，研磨模块接收前述信号并根据信号研磨背表面。
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公开(公告)号：CN107799433A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610807369.2
申请日：2016-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体制造装置，用以检测并研磨一晶圆的一背表面，该装置包括一研磨模块以及一检测系统。前述研磨模块用以研磨晶圆的背表面，检测系统用以检测晶圆的背表面。其中，前述检测系统固定于研磨模块上并传递一信号至研磨模块，研磨模块接收前述信号并根据信号研磨背表面。
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