-
公开(公告)号：CN113946104B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202110507633.1
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本文涉及用于减少套刻误差的系统和方法。提供了半导体处理装置和方法，其中翻转半导体晶圆并且然后分别在通过第一掩模板和第二掩模板在对半导体晶圆的正面和背面进行图案化之间来旋转半导体晶圆。在一些实施例中，方法包括当半导体晶圆的第一侧朝向第一方向时，通过第一掩模板对半导体晶圆的第一侧上的第一层进行图案化。翻转半导体晶圆。在翻转半导体晶圆之后，半导体晶圆的与第一侧相反的第二侧朝向第一方向。然后围绕沿第一方向延伸的旋转轴旋转半导体晶圆，并且通过第二掩模板对半导体晶圆的第二侧上的第二层进行图案化。
-
公开(公告)号：CN113948572A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110906994.3
申请日：2021-08-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及具有背面电源轨的半导体器件及其形成方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成鳍结构，在鳍结构之上形成牺牲栅极结构，以及蚀刻鳍结构的源极/漏极(S/D)区域以形成S/D凹部。该鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。该方法还包括在S/D凹部中沉积绝缘电介质层，在绝缘电介质层的底部部分之上沉积蚀刻保护层，以及部分地去除绝缘电介质层。该方法还包括在S/D凹部中生长外延S/D特征。绝缘电介质层的底部插入外延S/D特征和衬底。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107728429A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710542909.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/0226 , H01L21/02266 , H01L21/02282 , H01L21/02343 , H01L21/0271 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , G03F7/0035
Abstract: 依据本发明某些实施例，提供一种光刻方法。该光刻方法包括：于一基板上形成一表面修饰层，该表面修饰层包含一亲水性顶部表面；于该表面修饰层上涂布一光致抗蚀剂层；以及将该光致抗蚀剂层显影，从而形成一图案化光致抗蚀剂层。
-
公开(公告)号：CN107799433B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201610807369.2
申请日：2016-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体制造装置，用以检测并研磨一晶圆的一背表面，该装置包括一研磨模块以及一检测系统。前述研磨模块用以研磨晶圆的背表面，检测系统用以检测晶圆的背表面。其中，前述检测系统固定于研磨模块上并传递一信号至研磨模块，研磨模块接收前述信号并根据信号研磨背表面。
-
公开(公告)号：CN107799433A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610807369.2
申请日：2016-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体制造装置，用以检测并研磨一晶圆的一背表面，该装置包括一研磨模块以及一检测系统。前述研磨模块用以研磨晶圆的背表面，检测系统用以检测晶圆的背表面。其中，前述检测系统固定于研磨模块上并传递一信号至研磨模块，研磨模块接收前述信号并根据信号研磨背表面。
-
公开(公告)号：CN115527995A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211040646.3
申请日：2022-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体装置及其层对齐方法，半导体装置包括基于绕射的覆盖(DBO)标记，该基于绕射的覆盖标记具有设置在下层图案上的上层图案，且具有大于约5微米的最小尺寸。该装置进一步包括校正标记，该校正标记具有设置在下层图案上的上层图案，大体上定位在该DBO标记的中心处，且具有该DBO标记的该最小尺寸的大小的小于约1/5的最小尺寸。
-
公开(公告)号：CN113946104A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110507633.1
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本文涉及用于减少套刻误差的系统和方法。提供了半导体处理装置和方法，其中翻转半导体晶圆并且然后分别在通过第一掩模板和第二掩模板在对半导体晶圆的正面和背面进行图案化之间来旋转半导体晶圆。在一些实施例中，方法包括当半导体晶圆的第一侧朝向第一方向时，通过第一掩模板对半导体晶圆的第一侧上的第一层进行图案化。翻转半导体晶圆。在翻转半导体晶圆之后，半导体晶圆的与第一侧相反的第二侧朝向第一方向。然后围绕沿第一方向延伸的旋转轴旋转半导体晶圆，并且通过第二掩模板对半导体晶圆的第二侧上的第二层进行图案化。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.026 seconds)
