公开(公告)号：CN106935488A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610819304.X

申请日：2016-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈劲达 ,  谢铭峯 ,  吴汉威 ,  林育贤 ,  刘柏均 ,  陈彦廷

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/764

Abstract: 一种半导体结构与其制造方法。制造方法包括：第一、第二及第三沟渠形成于一基板上的一层中。第三沟渠实质上宽于第一及第二沟渠。第一、第二及第三沟渠部分填入一第一导电材料。一第一抗反射材料覆盖于第一、第二及第三沟渠之上。第一抗反射材料有一第一表面形貌变化。执行一第一回蚀刻制程以部分移除第一抗反射材料。之后，一第二抗反射材料覆盖于第一抗反射材料之上。第二抗反射材料有一小于第一表面形貌变化的第二表面形貌变化。执行一第二回蚀刻制程以部分移除第一及第二沟渠中的第二抗反射材料。之后，部分移除第一及第二沟渠中的第一导电材料。

公开(公告)号：CN114649206A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202110387374.3

申请日：2021-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈劲达 ,  林华泰 ,  吴汉威 ,  黄建元

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。在形成图案的方法中，在底层之上形成第一图案，该第一图案包括主图案和横向突起，该横向突起的厚度小于主图案的厚度的25％；在第一图案之上形成硬掩模层；执行平坦化操作，以在不暴露横向突起的情况下暴露第一图案；通过在横向突起被硬掩模层覆盖的同时去除第一图案，来形成硬掩模图案；并且使用硬掩模图案作为蚀刻掩模，来图案化底层。

公开(公告)号：CN106935488B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610819304.X

申请日：2016-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈劲达 ,  谢铭峯 ,  吴汉威 ,  林育贤 ,  刘柏均 ,  陈彦廷

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体结构与其制造方法。制造方法包括：第一、第二及第三沟渠形成于一基板上的一层中。第三沟渠实质上宽于第一及第二沟渠。第一、第二及第三沟渠部分填入一第一导电材料。一第一抗反射材料覆盖于第一、第二及第三沟渠之上。第一抗反射材料有一第一表面形貌变化。执行一第一回蚀刻制程以部分移除第一抗反射材料。之后，一第二抗反射材料覆盖于第一抗反射材料之上。第二抗反射材料有一小于第一表面形貌变化的第二表面形貌变化。执行一第二回蚀刻制程以部分移除第一及第二沟渠中的第二抗反射材料。之后，部分移除第一及第二沟渠中的第一导电材料。

公开(公告)号：CN108987275A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710948014.X

申请日：2017-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈劲达 ,  陈彦廷 ,  吴汉威

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 提供半导体装置的结构及其制造方法，在第一鳍片上形成第一功函数层，且与相邻的第二鳍片相比，第一功函数层终止于更靠近第一鳍片。在第一功函数层上形成第二功函数层，且与相邻的第一鳍片相比，第二功函数层终止于更靠近第二鳍片。在第二功函数层和第二鳍片上形成第三功函数层。在第三功函数层上形成导电层。

公开(公告)号：CN106992119A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201611024497.6

申请日：2016-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈劲达 ,  吴汉威 ,  谢铭峯

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/401

Abstract: 一种半导体装置的制造方法包括形成延伸穿过位于一基底上的一介电层的第一、第二及第三沟槽。形成一材料层于第一、第二及第三沟槽内。形成一牺牲层，以完全填满剩下的第一及第二沟槽。回蚀位于第一沟槽及第二沟槽内的牺牲层，且回蚀位于第一沟槽及第二沟槽内的材料层。在回蚀材料层之后，第一沟槽内余留的材料层的上表面与余留的牺牲层的上表面为共平面，而第二沟槽内余留的材料层的上表面与余留的牺牲层的上表面为共平面。上述方法也包括去除位于第一沟槽及第二沟槽内余留的牺牲层。