公开(公告)号：CN110838432A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910760074.8

申请日：2019-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仲豪 ,  陈启通

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种处理半导体基板的方法及沉积腔室。处理半导体基板的方法包括将具有相对于晶圆台的表面的第一静摩擦系数的半导体基板的第一主侧转换为相对于晶圆台的表面的第二静态摩擦系数，其中第二静摩擦系数小于第一静摩擦系数。在具有第一静摩擦系数的半导体基板的第二主侧上施加光阻层。第二主侧与第一主侧相对。将半导体基板放置在晶圆台上，使得半导体基板的第一主侧面向晶圆台。

公开(公告)号：CN110838432B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201910760074.8

申请日：2019-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仲豪 ,  陈启通

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种处理半导体基板的方法及沉积腔室。处理半导体基板的方法包括将具有相对于晶圆台的表面的第一静摩擦系数的半导体基板的第一主侧转换为相对于晶圆台的表面的第二静摩擦系数，其中第二静摩擦系数小于第一静摩擦系数。在具有第一静摩擦系数的半导体基板的第二主侧上施加光阻层。第二主侧与第一主侧相对。将半导体基板放置在晶圆台上，使得半导体基板的第一主侧面向晶圆台。

公开(公告)号：CN105845676B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201510437337.3

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周庭暐 ,  吴文朗 ,  陈启通 ,  陈顺利 ,  江庭玮 ,  田丽钧

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 在一些实施例中，半导体器件包括第一有源区、第二有源区和导电金属结构。第二有源区与第一有源区分隔开。导电金属结构布置为连接第一有源区与第二有源区。导电金属结构包括第一支柱、第二支柱和主体。第二支柱与第一支柱分隔开且主体在第一支柱和第二支柱之间延伸并连接第一支柱和第二支柱。本发明涉及半导体器件及其布局方法。

公开(公告)号：CN105845676A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201510437337.3

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周庭暐 ,  吴文朗 ,  陈启通 ,  陈顺利 ,  江庭玮 ,  田丽钧

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 在一些实施例中，半导体器件包括第一有源区、第二有源区和导电金属结构。第二有源区与第一有源区分隔开。导电金属结构布置为连接第一有源区与第二有源区。导电金属结构包括第一支柱、第二支柱和主体。第二支柱与第一支柱分隔开且主体在第一支柱和第二支柱之间延伸并连接第一支柱和第二支柱。本发明涉及半导体器件及其布局方法。