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公开(公告)号：CN110931481B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201910818260.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D89/10 , G06F30/392 , G06F30/39
Abstract: 本揭露提供一种集成电路元件设计的制备方法，此方法包括以下步骤：分析初步元件布局以识别第一单元与第二单元之间的垂直邻接、第一单元与第二单元内的内部金属切口的位置、及内部金属切口之间的间隔；通过N个接触多晶硅间隙相对于第一单元定位第二单元以定义一或多个中间元件布局以定义具有改善的内部金属切割间隔的更改的元件布局，以抑制密度梯度效应及着陆效应。
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公开(公告)号：CN115440724A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210632574.5
申请日：2022-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：衬底；以及单元区，具有相对于第一方向相对的第一侧和第二侧，单元区包括形成在衬底中在第一方向上延伸的有源区；相对于在垂直于第一方向的第二方向上的假想第一参考线，有源区的第一多数具有与第一参考线对齐的第一端部，第一侧平行于且靠近第一参考线；相对于在第二方向上的假想第二参考线，有源区的第二多数具有与第二参考线对齐的第二端部，第二侧平行于且靠近第二参考线；以及栅极结构，对应地位于有源区中的第一有源区和第二有源区上；以及其中，相对于第二方向，栅极结构中的所选择栅极结构的第一端部邻接位于第一有源区和第二有源区之间的中间区。
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公开(公告)号：CN105845676B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201510437337.3
申请日：2015-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L27/092 , H01L21/77 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 在一些实施例中，半导体器件包括第一有源区、第二有源区和导电金属结构。第二有源区与第一有源区分隔开。导电金属结构布置为连接第一有源区与第二有源区。导电金属结构包括第一支柱、第二支柱和主体。第二支柱与第一支柱分隔开且主体在第一支柱和第二支柱之间延伸并连接第一支柱和第二支柱。本发明涉及半导体器件及其布局方法。
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公开(公告)号：CN109920788A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201811112150.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种集成电路包括位于衬底中的有源区组、第一组导电结构、浅沟槽隔离(STI)区、栅极组和第一组通孔。有源区组在第一方向上延伸并且位于第一层级上。第一组导电结构和STI区至少在第一方向或第二方向上延伸、位于第一层级上、并且位于有源区组之间。STI区位于有源区组与第一组导电结构之间。栅极组在第二方向上延伸并与第一组导电结构重叠。第一组通孔将第一组导电结构连接至栅极组。本发明的实施例还提供了集成电路的形成方法。
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公开(公告)号：CN108231602A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710954200.4
申请日：2017-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F2217/12 , H01L21/77 , Y02P90/265 , H01L21/50
Abstract: 一种布局方法，其包含：将多个功能单元放置于集成电路的布局中，其中所述布局对应于至少一设计文件；以及插入经配置为无切割图案的至少一填充单元，以填充在上述多个功能单元之间的至少一空区域，其中上述多个功能单元的每一者在邻接该至少一空区域的至少一边缘上包含至少一切割图案，以满足放置及布线规则的要求，并且不会违反处理限制规则。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107833881A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710835486.4
申请日：2017-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: IC结构包括单元、第一导轨和第二导轨。单元包括第一有源区、第二有源区和第一栅极结构。第一有源区和第二有源区在第一方向上延伸并且位于第一层级处。第二有源区在第二方向上与第一有源区分离。第一栅极结构在第二方向上延伸，与第一有源区和第二有源区重叠，并且位于第二层级处。第一导轨在第一方向上延伸，与第一有源区重叠，配置为提供第一电源电压，并且位于第三层级处。第二导轨在第一方向上延伸，与第二有源区重叠，位于第三层级处，在第二方向上与第一导轨分离，并且配置为提供第二电源电压。本发明还提供了形成集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN107452796A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710259948.2
申请日：2017-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03K19/0948 , H01L21/76895 , H01L21/823431 , H01L23/535 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H03K19/21 , H01L29/785 , H01L27/0207
Abstract: 本发明实施例的半导体装置包括：至少一个有源区；至少一个氧化物上覆盖金属区，形成于所述至少一个有源区的一部分上；及至少一个栅极电极，形成于所述至少一个有源区的与形成有氧化物上覆盖金属区的有源区的部分不同的一部分上。半导体装置还包括至少一个金属层，其位于所述至少一个有源区的至少一部分上，且位于半导体装置的与上面形成有所述至少一个氧化物上覆盖金属区的层及上面形成有所述至少一个栅极电极的层不同的层上。通孔形成于所述至少一个有源区上且将所述至少一个栅极电极中的一者连接至所述至少一个金属层中的一者。所述至少一个金属层用以使所述至少一个栅极电极能够连接另一个至少一个栅极电极及/或至少一个氧化物上覆盖金属区。
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公开(公告)号：CN106935585A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610916999.3
申请日：2016-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括衬底和鳍。鳍形成在衬底的第一区域和第二区域上。第一区域包括第一凹槽。相对于第一区域定位第二区域。第一凹槽设置在第一区域的侧部处，并且面向第二区域。第一凹槽在第二区域的侧部上的投影区域基本平坦。本发明的实施例还提供了一种半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN106407491A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510755841.8
申请日：2015-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种全局连接件布线的方法，包括：确定用于在电路布局中使用的单元的全局连接件容限，其中单元包括多个引脚以及相对于单元限定的多条布线轨迹。方法还包括确定单元内的阻挡轨迹的数量。方法还包括比较全局连接件容限与阻挡轨迹的数量。方法还包括：如果全局连接件容限和阻挡轨迹的数量不满足预定条件，则调节电路布局内的单元的位置。本发明实施例涉及全局连接件布线方法及其执行系统。
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公开(公告)号：CN105845676A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510437337.3
申请日：2015-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L27/092 , H01L21/77 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 在一些实施例中，半导体器件包括第一有源区、第二有源区和导电金属结构。第二有源区与第一有源区分隔开。导电金属结构布置为连接第一有源区与第二有源区。导电金属结构包括第一支柱、第二支柱和主体。第二支柱与第一支柱分隔开且主体在第一支柱和第二支柱之间延伸并连接第一支柱和第二支柱。本发明涉及半导体器件及其布局方法。
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