公开(公告)号：CN105845676B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201510437337.3

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周庭暐 ,  吴文朗 ,  陈启通 ,  陈顺利 ,  江庭玮 ,  田丽钧

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 在一些实施例中，半导体器件包括第一有源区、第二有源区和导电金属结构。第二有源区与第一有源区分隔开。导电金属结构布置为连接第一有源区与第二有源区。导电金属结构包括第一支柱、第二支柱和主体。第二支柱与第一支柱分隔开且主体在第一支柱和第二支柱之间延伸并连接第一支柱和第二支柱。本发明涉及半导体器件及其布局方法。

公开(公告)号：CN105845676A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201510437337.3

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周庭暐 ,  吴文朗 ,  陈启通 ,  陈顺利 ,  江庭玮 ,  田丽钧

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 在一些实施例中，半导体器件包括第一有源区、第二有源区和导电金属结构。第二有源区与第一有源区分隔开。导电金属结构布置为连接第一有源区与第二有源区。导电金属结构包括第一支柱、第二支柱和主体。第二支柱与第一支柱分隔开且主体在第一支柱和第二支柱之间延伸并连接第一支柱和第二支柱。本发明涉及半导体器件及其布局方法。

公开(公告)号：CN104835780B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410332555.6

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  刘胜杰 ,  陈禾秉 ,  吴文朗 ,  崔成章

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和金属栅极。金属栅极包括金属填充层并设置在衬底上方。半导体结构还包括金属填充层上方的介电材料并且将金属填充层与导电线路间隔开。导电线路位于介电材料上方。半导体结构还包括纵向延伸穿过介电材料并且沿着横向方向终止于金属填充层内部的横向侵蚀部的导电塞。横向方向基本垂直于导电塞的纵向方向。

公开(公告)号：CN104835780A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201410332555.6

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  刘胜杰 ,  陈禾秉 ,  吴文朗 ,  崔成章

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和金属栅极。金属栅极包括金属填充层并设置在衬底上方。半导体结构还包括金属填充层上方的介电材料并且将金属填充层与导电线路间隔开。导电线路位于介电材料上方。半导体结构还包括纵向延伸穿过介电材料并且沿着横向方向终止于金属填充层内部的横向侵蚀部的导电塞。横向方向基本垂直于导电塞的纵向方向。