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公开(公告)号：CN107403802A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710351861.8
申请日：2017-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括以下操作。栅极结构设置于半导体结构的衬底的第一有源区、第二有源区和非有源区上方。第一有源区和第二有源区由非有源区间隔开。触点设置于第一有源区和第二有源区上方。至少一个栅极通孔设置于第一有源区或第二有源区上方。所述至少一个栅极通孔与栅极结构电耦合。至少一个局域互连选择性地设置于非有源区上方，以将位于第一有源区上方的至少一个触点耦合到第二有源区上方的至少一个触点。本发明实施例涉及半导体结构及其方法。
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公开(公告)号：CN101694996B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910206007.8
申请日：2007-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/35613
Abstract: 本发明涉及一种电压电平转换器，该电压电平转换器包括：一第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，该第一PMOS晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源和一第二正电压电源连接的一栅极、一源极和一衬底；以及一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有分别与一第三正电压电源、一输出节点和该第二正电压电源连接的一源极、一漏极和一衬底；其中，该第一和第二PMOS晶体管形成在一单N井中。
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公开(公告)号：CN119789533A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510226759.X
申请日：2018-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D89/10
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，包括第一布局图案，所述第一布局图案包括第一标准单元，所述第一标准单元包括：多条第一信号线，设置为相互平行并且每条第一信号线的中心位于相应的第一布线轨道上；以及两条第一电源线，平行地设置在所述多条第一信号线的相对两侧并且具有相同的宽度；以及其中，所述两条第一电源线的中心线限定为所述第一标准单元的边界。该半导体装置通过改变布线轨道，缩小标准单元，同时增加缩小的标准单元的电源线的宽度来解决布线问题和电迁移。本发明还提供了半导体装置的设计方法及包括半导体装置的系统。
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公开(公告)号：CN107833881B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201710835486.4
申请日：2017-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: IC结构包括单元、第一导轨和第二导轨。单元包括第一有源区、第二有源区和第一栅极结构。第一有源区和第二有源区在第一方向上延伸并且位于第一层级处。第二有源区在第二方向上与第一有源区分离。第一栅极结构在第二方向上延伸，与第一有源区和第二有源区重叠，并且位于第二层级处。第一导轨在第一方向上延伸，与第一有源区重叠，配置为提供第一电源电压，并且位于第三层级处。第二导轨在第一方向上延伸，与第二有源区重叠，位于第三层级处，在第二方向上与第一导轨分离，并且配置为提供第二电源电压。本发明还提供了形成集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN110349947A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810284453.X
申请日：2018-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，包括第一布局图案，所述第一布局图案包括第一标准单元，所述第一标准单元包括：多条第一信号线，设置为相互平行并且每条第一信号线的中心位于相应的第一布线轨道上；以及两条第一电源线，平行地设置在所述多条第一信号线的相对两侧并且具有相同的宽度；以及其中，所述两条第一电源线的中心线限定为所述第一标准单元的边界。该半导体装置通过改变布线轨道，缩小标准单元，同时增加缩小的标准单元的电源线的宽度来解决布线问题和电迁移。本发明还提供了半导体装置的设计方法及包括半导体装置的系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101207380B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200710181912.3
申请日：2007-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/35613
Abstract: 本发明涉及一种电压电平转换器，该电压电平转换器包括：一第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，该第一PMOS晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源和一第二正电压电源连接的一栅极、一源极和一基质；以及一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有分别与一第三正电压电源、一输出节点和该第二正电压电源连接的一源极、一漏极和一基质；其中，该第一和第二PMOS晶体管形成在一单N井中。
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公开(公告)号：CN101694996A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910206007.8
申请日：2007-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/35613
Abstract: 本发明涉及一种电压电平转换器，该电压电平转换器包括：一第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，该第一PMOS晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源和一第二正电压电源连接的一栅极、一源极和一基质；以及一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有分别与一第三正电压电源、一输出节点和该第二正电压电源连接的一源极、一漏极和一基质；其中，该第一和第二PMOS晶体管形成在一单N井中。
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公开(公告)号：CN107305862B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710256641.7
申请日：2017-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本案揭露一种集成电路及其制造方法。本案提供一集成电路实例，此集成电路具有含金属切割的高阶二维金属连接，且提供制造此集成电路的方法。用于制造集成电路的导电互连层的示例性方法可包含：通过使用远紫外线微影术在集成电路的导电互连层上图案化导电连接件部分，其中导电连接件部分经图案化以横穿集成电路的不同层中的多个半导体结构而延伸；及将导电连接件部分切割为多个导电连接件段，其中导电连接件部分是通过从半导体结构之间的金属连接件部分的一或更多个位置上移除导电材料而切割的。本案的制造方法透过远紫外线微影术图案化导电连接件部分及移除导电材料切割导电连接件部分，如此使金属连接制程在单个半导体层上提供金属互连装置。
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公开(公告)号：CN113268945A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110164347.X
申请日：2021-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 一种制造集成电路的方法包括以下步骤：产生集成电路的单元的布局图；及将产生的布局图储存在非暂时性计算机可读媒体上。在产生该单元的布局图的步骤中，在单元的边界内配置第一主动区域。第一主动区域沿着第一方向延伸。在边界内配置至少一个栅极区域。至少一个栅极区域沿着横切第一方向的第二方向跨越第一主动区域延伸。配置第一导电区域以与第一主动区域及边界的第一边缘重叠。第一导电区域用以形成至第一主动区域的电连接。
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公开(公告)号：CN110875307A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910962444.6
申请日：2019-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体单元结构包括四个晶体管、两个栅极条、四对导电区段以及多个水平布线。该两个栅极条中的每一个与第一类型主动区域和第二类型主动区域相交。第一导电区段设置为具有第一电源电压。第二导电区段设置为具有第二电源电压。第一栅极条导电地连接到第二导电区段。每个水平布线在一个或多个相应的交叉点上与一个或多个导电区段相交，同时在一个或多个相应的交叉点中的每一个处与一个或多个导电区段在导电上隔离。
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