公开(公告)号：CN110660661A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910572254.3

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶雅雯 ,  沈育佃 ,  黄世钧 ,  张博钦 ,  林纬良 ,  严永松 ,  吴伟豪 ,  林立德 ,  林斌彦 ,  刘如淦

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体元件制造方法，在基板之上形成底层结构。在底层结构之上形成薄膜。测量薄膜的表面形貌，并将表面形貌存储为形貌数据。使用方向性蚀刻执行局部蚀刻，并扫描基板，使得薄膜的整个表面承受方向性蚀刻。根据形貌数据调整方向性蚀刻的电浆束强度。

公开(公告)号：CN110967934B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201910325048.2

申请日：2019-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李志杰 ,  黄世钧 ,  张世明 ,  谢艮轩 ,  严永松 ,  刘如淦

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种执行光刻工艺的方法包括提供测试图案。测试图案包括以第一间距布置的第一组线、以第一间距布置的第二组线，并且还包括在第一组线和第二组线之间的至少一条参考线。用辐射源曝光测试图案，以在衬底上形成测试图案结构，辐射源提供不对称的单极照射轮廓。然后测量测试图案结构，并且将测量的距离与光刻参数的偏移相关联。基于光刻参数的偏移来调整光刻工艺。本发明的实施例还涉及光刻工艺监测方法。

公开(公告)号：CN109817517A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811251230.X

申请日：2018-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄世钧 ,  叶雅雯 ,  赖建文 ,  林纬良 ,  张雅惠 ,  严永松 ,  刘如淦 ,  林进祥 ,  沈育佃

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308

Abstract: 方法沉积材料于基板上的隆起结构的一侧壁(而非两侧壁)上，且方法包括倾斜基板的法线以偏离沉积材料源，或倾斜沉积材料源以偏离基板法线。方法的实施方式可为等离子体增强化学气相沉积技术。

公开(公告)号：CN110967934A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910325048.2

申请日：2019-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李志杰 ,  黄世钧 ,  张世明 ,  谢艮轩 ,  严永松 ,  刘如淦

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种执行光刻工艺的方法包括提供测试图案。测试图案包括以第一间距布置的第一组线、以第一间距布置的第二组线，并且还包括在第一组线和第二组线之间的至少一条参考线。用辐射源曝光测试图案，以在衬底上形成测试图案结构，辐射源提供不对称的单极照射轮廓。然后测量测试图案结构，并且将测量的距离与光刻参数的偏移相关联。基于光刻参数的偏移来调整光刻工艺。本发明的实施例还涉及光刻工艺监测方法。

公开(公告)号：CN109786219A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810570106.3

申请日：2018-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄世钧 ,  叶雅雯 ,  沈育佃 ,  赖建文 ,  林纬良 ,  张雅惠 ,  严永松 ,  林进祥 ,  刘如淦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 半导体装置的制作方法包括形成硬掩模层于基板上。多层光致抗蚀剂形成于硬掩模层上。蚀刻多层光致抗蚀剂，形成多个开口于多层光致抗蚀剂中，以露出部分硬掩模层。依角度方向性地提供离子至多层光致抗蚀剂，使离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。在一实施例中，通过依角度导向的蚀刻离子，可方向性地蚀刻多层光致抗蚀剂，且蚀刻离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。在另一实施例中，通过依角度导向的注入离子，可方向性地注入多层光致抗蚀剂，且注入离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。

公开(公告)号：CN110970292A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910864853.2

申请日：2019-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧志民 ,  赖建文 ,  黄世钧 ,  严永松 ,  赖志明 ,  刘如淦

IPC: H01L21/033

Abstract: 一种定义图案的方法包括在多层硬遮罩的第一层内形成多个切口形状及多个第一开口，以暴露第二层的第一部分。通过将蚀刻速率改变的物质布植在多个切口形状的部分中来形成多个蚀刻终止层。在切口形状处定向地蚀刻此第一层以使得蚀刻终止层得以保留。在此第一层及此些第一部分上形成间隔物层。在此间隔物层内形成多个第二开口以暴露此第二层的第二部分。定向地蚀刻此间隔物层以自蚀刻终止层的侧壁移除此间隔物层。蚀刻此第二层的经由第一开口及第二开口暴露的部分。

公开(公告)号：CN109786226A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811360328.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄世钧 ,  陈秋翔 ,  叶雅雯 ,  沈育佃 ,  张博钦 ,  赖建文 ,  林纬良 ,  张雅惠 ,  严永松 ,  林立德 ,  林斌彦 ,  刘如淦 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 半导体装置的形成方法包括以光刻与蚀刻步骤形成第一硬遮罩于基板上的下方层上；形成多个侧壁间隔物图案，其具有第一侧壁部分与第二侧壁部分于第一硬遮罩的两侧侧壁上；蚀刻第一侧壁部分、蚀刻第一硬遮罩、与保留第二侧壁部分以桥接蚀刻的第一硬遮罩的间隙；以及采用第二硬遮罩，并对下方层进行工艺。