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公开(公告)号：CN102403415A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110276404.X
申请日：2011-09-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/405
摘要： 一种发光二极管的制造方法，包括：一种发光二极管形成于一蓝宝石基板之上，该蓝宝石基板可借由研磨与接着蚀刻而自该发光二极管处移除。该蓝宝石基板采用单一或多重研磨料而先研磨至一第一特定厚度。借由干蚀刻或湿蚀刻以移除剩余的蓝宝石基板。本发明可改善制造工艺，制作出高效率与机械上耐用的发光二极管。
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公开(公告)号：CN103066169A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210306855.8
申请日：2012-08-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种LED管芯以及用于接合、切割、和形成LED管芯的方法。在实例中，该方法包括形成LED晶圆，其中，LED晶圆包括衬底和设置在衬底上方的多个外延层，其中，将多个外延层配置成形成LED；将LED晶圆接合至基板以形成LED对；以及在接合之后，切割LED对，其中，切割包括：同时切割LED晶圆和基板，从而形成LED管芯。本发明还提供了一种厚窗口层LED制造。
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公开(公告)号：CN102376840B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201110022196.0
申请日：2011-01-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L33/44 , H01L21/2654 , H01L2933/0025
摘要： 本发明公开一种发光二极管及发光二极管的制造方法，该发光二极管包含一发光结构，此发光结构含有一置于横跨一第一掺杂层的垂直侧壁上的钝化层、一发光层，及至少完全覆盖上述发光层侧壁的一第二掺杂层。通过等离子体轰击(plasma bombardment)或发光结构的离子注入来形成钝化层。如此可在后续工艺步骤中保护侧壁且防止发光层周围的电流泄漏。
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公开(公告)号：CN103219435A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310003824.X
申请日：2013-01-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/405 , H01L2933/0016
摘要： 本发明涉及一种制造发光装置的方法。该方法包括在衬底上方形成第一III-V族化合物层。该第一III-V族化合物层具有第一导电类型。在第一III-V族化合物层上方形成多量子阱(MQW)层。然后在该MQW层上方形成第二III-V族化合物层。该第二III-V族化合物层具有与第一导电类型不同的第二导电类型。此后，在第二III-V族化合物层上方形成多个导电元件。然后在第二III-V族化合物层上方以及在导电元件上方形成反光层。导电元件每一个都比反光层具有更好的粘着特性和导电特性。本发明提供了具有嵌入式纳米级结构的光子器件。
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公开(公告)号：CN103137814A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210384465.2
申请日：2012-10-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L2933/0091
摘要： 本发明公开了一种发光二极管结构及其制造方法。在一实例中，发光二极管结构包括具有大于或者等于约250μm厚度的晶体衬底，其中所述晶体衬底具有第一粗糙表面和第二粗糙表面，所述第二粗糙表面与所述第一粗糙表面相对置；设置在所述第一粗糙表面上的多个外延层，所述多个外延层被配置成为发光二极管；以及与所述晶体衬底接合的另一衬底，使得所述多个外延层设置在所述另一衬底和所述晶体衬底的第一粗糙表面之间。本发明还公开了改善出光效率的发光二级管及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102468384A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110329787.2
申请日：2011-10-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/20
摘要： 本发明涉及一种制造LEDs的方法，该方法在向台面结构上沉积有源层和其余外延层之前，通过为n-掺杂的外延层形成图案和蚀刻来形成n-掺杂层粗糙的表面区域以及临近粗糙的表面区域的台面结构。该方法包括生长LED的外延层，该外延层包括非掺杂层和在生长衬底的晶圆上的n-掺杂层。该方法还包括为n-掺杂层形成图案以形成n-掺杂层的第一区域和临近该第一区域的n-掺杂层的台面区域。该方法进一步包括蚀刻n-掺杂层的第一区域以生成粗糙的表面。该方法进一步包括生长附加的LED外延层，该附加的外延层包括有源层和在n-掺杂层的台面区域上的p-掺杂层。
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公开(公告)号：CN102468384B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110329787.2
申请日：2011-10-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/20
摘要： 本发明涉及一种制造LEDs的方法，该方法在向台面结构上沉积有源层和其余外延层之前，通过为n-掺杂的外延层形成图案和蚀刻来形成n-掺杂层粗糙的表面区域以及临近粗糙的表面区域的台面结构。该方法包括生长LED的外延层，该外延层包括非掺杂层和在生长衬底的晶圆上的n-掺杂层。该方法还包括为n-掺杂层形成图案以形成n-掺杂层的第一区域和临近该第一区域的n-掺杂层的台面区域。该方法进一步包括蚀刻n-掺杂层的第一区域以生成粗糙的表面。该方法进一步包括生长附加的LED外延层，该附加的外延层包括有源层和在n-掺杂层的台面区域上的p-掺杂层。
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公开(公告)号：CN102376840A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110022196.0
申请日：2011-01-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L33/44 , H01L21/2654 , H01L2933/0025
摘要： 本发明公开一种发光二极管及发光二极管的制造方法，该发光二极管包含一发光结构，此发光结构含有一置于横跨一第一掺杂层的垂直侧壁上的钝化层、一发光层，及至少完全覆盖上述发光层侧壁的一第二掺杂层。通过等离子体轰击(plasma bombardment)或发光结构的离子注入来形成钝化层。如此可在后续工艺步骤中保护侧壁且防止发光层周围的电流泄漏。
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