公开(公告)号：CN101170127B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200710181741.4

申请日：2007-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  凯特·乔治·爱得恩 ,  于洪宇 ,  劳斯·安妮 ,  卫罗索·安那贝拉

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28097 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN101221922A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810003129.2

申请日：2008-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  于洪宇 ,  卫罗索·安那贝拉 ,  傅莉塔 ,  辜伯克·史蒂芬 ,  贝思曼·斯基 ,  辛葛马拉·瑞休纳 ,  劳斯·安妮 ,  杨希亚·巴特

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/785

Abstract: 一种双功函数半导体装置及其制造方法，该制造方法包括在基底的第一区域上形成第一装置以及在该基底的第二区域上形成第二装置，包括下列步骤：在该基底的该第一区域与该第二区域上形成介电层，在该第一区域内与该第二区域内的该介电层同时沉积而成；以及提供栅电极在该第一区域与该第二区域的该介电层之上，位于该第一区域内与该第二区域内的该栅电极同时沉积而成。该双功函数半导体装置的制造方法还包括形成上盖层于该第一区域上并介于该介电层与该栅电极之间，以改变该第一区域内的该第一装置的功函数；以及注入杂质于该栅介电层与该栅电极间的界面处，以改变该第二区域内的该第二装置的功函数。本发明能够简化工艺流程。

公开(公告)号：CN101170127A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710181741.4

申请日：2007-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  凯特·乔治·爱得恩 ,  于洪宇 ,  劳斯·安妮 ,  卫罗索·安那贝拉

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28097 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。