公开(公告)号：CN101276786A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710194671.6

申请日：2007-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  于洪宇

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/823842

Abstract: 一种双功函数半导体装置的制造方法，包括：提供第一区域于半导体基底中，且包括至少一个第一电极；提供至少一个第二区域于该半导体基底中，且包括至少一个第二电极；提供第一金属层于该第一区域的第一电极之上且该第一金属层包括至少一个第一金属和至少一个第一功函数调整元素；提供第二金属层于该第二区域的第二电极之上且该第二金属层包括至少一个第二金属；以及对该第一电极施以第一硅化工艺，且对该第二电极施以第二硅化工艺，其中该第一硅化工艺和该第二硅化工艺同时进行。本发明的优点在于通过使用一合金材料的硅化工艺，可使得栅极电极的功函数值具有较广的调整范围。

公开(公告)号：CN101221922A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810003129.2

申请日：2008-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  于洪宇 ,  卫罗索·安那贝拉 ,  傅莉塔 ,  辜伯克·史蒂芬 ,  贝思曼·斯基 ,  辛葛马拉·瑞休纳 ,  劳斯·安妮 ,  杨希亚·巴特

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/785

Abstract: 一种双功函数半导体装置及其制造方法，该制造方法包括在基底的第一区域上形成第一装置以及在该基底的第二区域上形成第二装置，包括下列步骤：在该基底的该第一区域与该第二区域上形成介电层，在该第一区域内与该第二区域内的该介电层同时沉积而成；以及提供栅电极在该第一区域与该第二区域的该介电层之上，位于该第一区域内与该第二区域内的该栅电极同时沉积而成。该双功函数半导体装置的制造方法还包括形成上盖层于该第一区域上并介于该介电层与该栅电极之间，以改变该第一区域内的该第一装置的功函数；以及注入杂质于该栅介电层与该栅电极间的界面处，以改变该第二区域内的该第二装置的功函数。本发明能够简化工艺流程。

公开(公告)号：CN101170127A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710181741.4

申请日：2007-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  凯特·乔治·爱得恩 ,  于洪宇 ,  劳斯·安妮 ,  卫罗索·安那贝拉

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28097 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN101471303A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810173352.1

申请日：2008-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  汤玛斯·Y·哈夫曼 ,  玻陀斯·杰佛瑞 ,  于洪宇

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7845

Abstract: 一种制作双功函数半导体元件的方法，包括提供具有第一区与第二区的基底，于第一区与第二区上形成栅极介电层，于栅极介电层上形成金属栅极层，其中金属栅极层具有第一(初镀)功函数，第一(初镀)功函数可以通过于其上引发应变而调整，以及选择性形成第一应变导电层于第一区的金属栅极层上，第一应变导电层施加选定的应变于金属栅极层上，因而引发第一区的金属栅极层的第一(初镀)功函数产生第一预定功函数偏移(ΔWF1)。本发明还提供以上述方法而制得的双功函数半导体元件。本发明能够使金属氧化物半导体场效应晶体管元件中的启始电压得到改善，并且工艺简单，成本较低。

公开(公告)号：CN101494200A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910002600.0

申请日：2009-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 赵学柱 ,  安娜贝拉·费洛索 ,  于洪宇 ,  史蒂芬·库比塞克 ,  张守仁

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/513

Abstract: 一种双功函数半导体装置及其制造方法。该装置包含：一第一晶体管于一基底的一第一区上，其具有一第一栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及一第二晶体管于基底的一第二区上，其具有一第二栅极堆叠结构，第二栅极堆叠结构具有一第二有效功函数；其中第一栅极堆叠结构与第二栅极堆叠结构各具有一主介电质、一栅极、与一第二介电顶盖层，且第二栅极堆叠结构还额外具有一第一介电顶盖层；第一介电顶盖层是决定第二介电顶盖层的第二有效功函数；第二介电顶盖层不会对第二栅极堆叠结构的第二有效功函数造成实质影响；以及金属层是与第二介电顶盖层一起决定第一栅极堆叠结构的第一有效功函数。本发明具有优异的半导体性能。

公开(公告)号：CN101494200B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910002600.0

申请日：2009-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 赵学柱 ,  安娜贝拉·费洛索 ,  于洪宇 ,  史蒂芬·库比塞克 ,  张守仁

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/513

Abstract: 一种双功函数半导体装置及其制造方法。该装置包含：一第一晶体管于一基底的一第一区上，其具有一第一栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及一第二晶体管于基底的一第二区上，其具有一第二栅极堆叠结构，第二栅极堆叠结构具有一第二有效功函数；其中第一栅极堆叠结构与第二栅极堆叠结构各具有一主介电质、一栅极、与一第二介电顶盖层，且第二栅极堆叠结构还额外具有一第一介电顶盖层；第一介电顶盖层是决定第二栅极堆叠结构的第二有效功函数；第二介电顶盖层不会对第二栅极堆叠结构的第二有效功函数造成实质影响；以及金属层是与第二介电顶盖层一起决定第一栅极堆叠结构的第一有效功函数。本发明具有优异的半导体性能。

公开(公告)号：CN101170127B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200710181741.4

申请日：2007-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  凯特·乔治·爱得恩 ,  于洪宇 ,  劳斯·安妮 ,  卫罗索·安那贝拉

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28097 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN102222610A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010518060.4

申请日：2010-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于雄飞 ,  李威养 ,  李达元 ,  许光源 ,  邱远鸿 ,  陶宏远 ,  于洪宇 ,  吴灵

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供半导体基板。于半导体基板上形成一第一高介电常数介电层。对第一高介电常数介电层进行一第一处理工艺。在一实施例中，上述处理工艺可包括于氧气及/或在臭氧环境下的紫外线辐射工艺。于处理后第一高介电常数介电层上形成一第二高介电常数介电层。以及对第二高介电常数介电层进行一第二处理工艺。在一实施例中，上述高介电常数介电层形成一场效应晶体管的一栅极介电层。本发明的优点包括增强减少半导体装置的等效氧化层厚度(EOT)。

公开(公告)号：CN102222610B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201010518060.4

申请日：2010-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于雄飞 ,  李威养 ,  李达元 ,  许光源 ,  邱远鸿 ,  陶宏远 ,  于洪宇 ,  吴灵

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供半导体基板。于半导体基板上形成一第一高介电常数介电层。对第一高介电常数介电层进行一第一处理工艺。在一实施例中，上述处理工艺可包括于氧气及/或在臭氧环境下的紫外线辐射工艺。于处理后第一高介电常数介电层上形成一第二高介电常数介电层。以及对第二高介电常数介电层进行一第二处理工艺。在一实施例中，上述高介电常数介电层形成一场效应晶体管的一栅极介电层。本发明的优点包括增强减少半导体装置的等效氧化层厚度(EOT)。