公开(公告)号：CN117878160A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311632591.X

申请日：2023-11-30

申请人： 合肥维信诺科技有限公司 ,  昆山国显光电有限公司

发明人： 李胜斌 ,  孟冰 ,  刘俊伟 ,  王淑鹏 ,  刘家川

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

摘要： 本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、一种阵列基板及一种显示面板。薄膜晶体管包括导电功能层，导电功能层用于吸附薄膜晶体管中的氢原子。通过在薄膜晶体管中设置用于吸附氢原子导电功能层，从而可以俘获后续膜层沉积工艺中解离出来的氢原子，有效阻挡氢原子扩散至有源层内，以提升器件性能。

公开(公告)号：CN117673168A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311649351.0

申请日：2023-11-29

申请人： 合肥维信诺科技有限公司 ,  昆山国显光电有限公司

发明人： 李胜斌 ,  康国飞 ,  孟冰 ,  李静 ,  张露

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H10K59/121 ,  H01L29/06

摘要： 本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，涉及显示技术领域。薄膜晶体管包括叠层设置的衬底基板和有源层，有源层包括沟道区以及位于沟道区两侧的导体化区；其中，有源层还包括叠层设置的第一氧化物层和第二氧化物层，第一氧化物层包括位于沟道区的第一子部；在由导体化区指向沟道区的方向上，第三子部的长度小于沟道区的长度；第一氧化物层的电子浓度大于第二氧化物层的电子浓度。如此，第一氧化物层在提高沟道区的电子浓度，增大薄膜晶体管的载流子迁移率的同时，由于第一氧化物层的长度小于沟道区的长度，可以阻断电子的遂穿或漂移，避免薄膜晶体管出现导通或者阈值电压偏负的情况。

公开(公告)号：CN118660538A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202311629412.7

申请日：2023-11-28

申请人： 合肥维信诺科技有限公司 ,  昆山国显光电有限公司

发明人： 许永磊 ,  康国飞 ,  李胜斌 ,  孟冰 ,  林昶

IPC分类号： H10K59/122 ,  H10K59/12 ,  H10K71/10

摘要： 本申请提供了一种显示面板及其制备方法和电子设备，涉及显示技术领域。该显示面板包括阵列基板、像素定义层和发光器件层，像素定义层叠置于阵列基板的一侧，像素定义层包括像素定义部，像素定义层设置有开口，像素定义部围成开口；发光器件层与像素定义层叠置于阵列基板的同一侧，发光器件层位于开口内；像素定义部的侧壁包括向内凹且容纳发光器件层的凹槽，凹槽在阵列基板上的正投影和发光器件层在阵列基板上的正投影存在交叠，从而使像素定义层复用为隔离柱，从而无需专门为设置隔离柱结构而扩大像素定义层的尺寸，即像素定义层的尺寸较小，减小了各个子像素之间的距离，提高了显示面板的分辨率。同时，保护了发光器件层不受水氧侵蚀。

公开(公告)号：CN118156313A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410223894.4

申请日：2024-02-28

申请人： 昆山国显光电有限公司 ,  合肥维信诺科技有限公司

发明人： 李胜斌 ,  孟冰 ,  刘雅迪 ,  王丽娟

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

摘要： 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示模组、显示装置，薄膜晶体管包括衬底，第一栅极部，第一绝缘层，有源层，第二绝缘层和第二栅极部，其中，第一栅极部设置在衬底一侧；第一绝缘层设置在第一栅极部背离衬底一侧；有源层设置在第一绝缘层背离衬底一侧，有源层包括沿着第一方向设置的源区、沟道区以及漏区；第二绝缘层设置在有源层背离第一绝缘层一侧；第二栅极部设置在第二绝缘层背离衬底一侧，其中，薄膜晶体管设有贯穿第二绝缘层和第一绝缘层的第一过孔、第二过孔，第一栅极部和第二栅极部通过第一过孔、第二过孔电连接，通过上述设计，可有效解决薄膜晶体管漏电流较高的问题。

公开(公告)号：CN117316956A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311244697.2

申请日：2023-09-25

申请人： 合肥维信诺科技有限公司 ,  昆山国显光电有限公司

发明人： 李胜斌 ,  许永磊 ,  肖志慧

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本申请公开了一种阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板，阵列基板，包括：基板；半导体层，设于基板一侧，半导体层具有沟道区、位于沟道区外侧的轻掺杂区以及位于轻掺杂区外侧的重掺杂区；栅极层，设于半导体层背离基板一侧；遮蔽层，设于半导体层和栅极层之间，遮蔽层包括相连的主体部和延伸部，在沿平行基板所在平面的方向上，延伸部向远离主体部的方向延伸预定距离，主体部在基板上的正投影位于栅极层在基板上的正投影内，延伸部在半导体层上的正投影位于轻掺杂区内。只需一次离子掺杂注入即可形成半导体层的轻掺杂区和重掺杂区，工艺简单，且成本低。

公开(公告)号：CN117525087A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311269653.5

申请日：2023-09-28

申请人： 云谷(固安)科技有限公司 ,  合肥维信诺科技有限公司

发明人： 王淑鹏 ,  刘俊伟 ,  李胜斌 ,  王丹丹 ,  刘亚伟

IPC分类号： H01L27/12

摘要： 本申请实施例提供的一种显示模组及电子设备，涉及显示设备技术领域，用于解决现有技术中显示产品的边框处设置有栅极驱动电路和电源走线等，从而导致显示产品的边框不容易进一步被压缩，进而影响到用户的体验感的技术问题。所述显示模组包括柔性衬底，所述柔性衬底包括显示区、翻折至所述显示区背面的翻折区及连接于所述显示区与所述翻折区之间的第一弯折区；至少部分栅极驱动电路和/或至少部分电源走线和/或至少部分封装保护区设置于所述翻折区。本申请通过将至少部分栅极驱动电路和/或至少部分电源走线和/或至少部分封装保护区翻折至显示区的背面，可以更容易将该显示模组的边框进一步被压缩，从而可以提高用户的体验感。

公开(公告)号：CN116722044A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310708877.5

申请日：2023-06-14

申请人： 合肥维信诺科技有限公司

发明人： 李胜斌 ,  白青 ,  王勇 ,  康国飞

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H10K59/121 ,  G02F1/1362 ,  G03F7/42

摘要： 本申请涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，薄膜晶体管包括衬底基板、有源层、第一绝缘层、第一金属层、金属保护层、第二绝缘层及第二金属层；有源层设于衬底基板上，有源层具有第一区域和位于第一区域的两侧且与其邻接的第二区域；第一绝缘层设于有源层上且覆盖第一区域；第一金属层设于第一绝缘层上，第一金属层包括栅极；金属保护层设于有源层上且覆盖第二区域；第二绝缘层设于金属保护层和第一金属层上；第二金属层设于第二绝缘层上，第二金属层包括源极和漏极，源极和所述漏极分别与第二区域电性连接。本申请的薄膜晶体管不会出现因有源层与第二绝缘层发生反应而导致的导体化失效的问题，提升了薄膜晶体管的使用可靠性。

公开(公告)号：CN115132747A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210700195.5

申请日：2022-06-20

申请人： 昆山国显光电有限公司

发明人： 王杰 ,  白青 ,  杜哲 ,  李胜斌 ,  孙鹏 ,  黄志杰

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32

摘要： 本发明公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括：基板；扫描驱动电路，设于基板一侧，扫描驱动电路包括第一驱动晶体管，第一驱动晶体管包括层叠设置的第一有源层以及第一栅极；像素驱动电路包括第二驱动晶体管，第二驱动晶体管包括层叠设置的第二有源层和第二栅极，第二有源层和第一有源层同层设置，第一有源层和第二有源层均包括层叠设置的至少两层子有源层，至少两层子有源层中靠近第一栅极的子有源层的迁移率大于至少两层子有源层中靠近第二栅极的子有源层的迁移率。通过第一有源层和第二有源层均包括层叠设置的至少两层子有源层，以实现迁移率与稳定性的平衡，进而实现了扫描驱动电路的高驱动能力与像素驱动电路驱动的高寿命的需求。