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公开(公告)号：CN107779836A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201711299250.X
申请日：2017-12-08
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种磁控溅射装置及其磁场分布调节方法，涉及磁控溅射领域，可有效改善平面靶材斑纹不良、提高靶材利用率和成膜均匀性。该磁控溅射装置包括：溅射腔室和设置在所述溅射腔室内的平面靶材；设置在所述平面靶材远离被溅射一侧的至少三组电磁线圈，每组所述电磁线圈的一端朝向所述平面靶材、另一端远离所述平面靶材；驱动单元，配置成控制每组所述电磁线圈的开关和磁性方向；与每组所述电磁线圈一一对应的连接线，配置成电性连接每组所述电磁线圈与所述驱动单元。
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公开(公告)号：CN107779836B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201711299250.X
申请日：2017-12-08
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种磁控溅射装置及其磁场分布调节方法，涉及磁控溅射领域，可有效改善平面靶材斑纹不良、提高靶材利用率和成膜均匀性。该磁控溅射装置包括：溅射腔室和设置在所述溅射腔室内的平面靶材；设置在所述平面靶材远离被溅射一侧的至少三组电磁线圈，每组所述电磁线圈的一端朝向所述平面靶材、另一端远离所述平面靶材；驱动单元，配置成控制每组所述电磁线圈的开关和磁性方向；与每组所述电磁线圈一一对应的连接线，配置成电性连接每组所述电磁线圈与所述驱动单元。
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公开(公告)号：CN107359126A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710564648.5
申请日：2017-07-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，涉及显示技术领域。制备方法包括：在基底上依次形成有源层、栅绝缘层和栅电极，其中，有源层包括沟道区域和导体化区域，栅电极在基底上的正投影包含沟道区域在基底上的正投影。薄膜晶体管包括：依次设置在基底上的有源层、栅绝缘层和栅电极，有源层包括沟道区域和与沟道区域两侧相接的导体化区域，栅电极在基底上的正投影包含沟道区域在基底上的正投影。阵列基板包含该薄膜晶体管，显示面板包含该阵列基板。该制备方法降低了顶栅型薄膜晶体管的开态电阻，使得开态电流增加，降低了显示器件的功耗，提高了显示面板的显示质量。
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公开(公告)号：CN107359126B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710564648.5
申请日：2017-07-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，涉及显示技术领域。制备方法包括：在基底上依次形成有源层、栅绝缘层和栅电极，其中，有源层包括沟道区域和导体化区域，栅电极在基底上的正投影包含沟道区域在基底上的正投影。薄膜晶体管包括：依次设置在基底上的有源层、栅绝缘层和栅电极，有源层包括沟道区域和与沟道区域两侧相接的导体化区域，栅电极在基底上的正投影包含沟道区域在基底上的正投影。阵列基板包含该薄膜晶体管，显示面板包含该阵列基板。该制备方法降低了顶栅型薄膜晶体管的开态电阻，使得开态电流增加，降低了显示器件的功耗，提高了显示面板的显示质量。
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公开(公告)号：CN107422605A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710651692.X
申请日：2017-08-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , G02F1/1362 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，该正性光刻胶组合物中包括有光致异构化合物，受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构，降低了该正性光刻胶与有机膜层间的附着力，有利于过孔形成后的剥离，提高产品的生产良率。该正性光刻胶组合物包括，主体胶材、光敏剂；光致异构化合物；所述光致异构化合物受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构。
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公开(公告)号：CN107422605B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710651692.X
申请日：2017-08-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , G02F1/1362 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，该正性光刻胶组合物中包括有光致异构化合物，受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构，降低了该正性光刻胶与有机膜层间的附着力，有利于过孔形成后的剥离，提高产品的生产良率。该正性光刻胶组合物包括，主体胶材、光敏剂；光致异构化合物；所述光致异构化合物受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构。
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公开(公告)号：CN107706312A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710916001.4
申请日：2017-09-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铜纳米纤维及其制备方法、显示面板，该铜纳米纤维包括铜纳米纤维本体，所述铜纳米纤维本体的外表面设有铝掺杂氧化锌层以及在所述铝掺杂氧化锌层远离所述铜纳米纤维本体的一侧设有钝化层；该显示面板包括电极，所述电极包括至少一个如上所述的铜纳米纤维；该铜纳米纤维在保证电导率的同时，实现了具有耐腐蚀和抗氧化的特性。
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