功率模块寿命评估方法、装置、设备、存储介质和产品

    公开(公告)号:CN118584218A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410634935.9

    申请日:2024-05-21

    IPC分类号: G01R31/00

    摘要: 本申请涉及一种功率模块寿命评估方法、装置、设备、存储介质和产品。该方法包括:获取目标车辆处于上电状态下,目标车辆中的功率模块对应的结温数据;其中,功率模块用于驱动目标车辆的电机;根据结温数据,确定功率模块的阈值电压变化情况和损伤率,并对阈值电压变化情况和损伤率进行存储;根据阈值电压变化情况和损伤率,对功率模块的使用寿命进行评估。采用本方法能够使得功率模块的寿命评估结果更加准确。

    MOS管栅极驱动电路、逆变系统的串扰测试装置及方法

    公开(公告)号:CN118554930A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410710668.9

    申请日:2024-06-03

    摘要: 本申请涉及一种MOS管栅极驱动电路、逆变系统的串扰测试装置及方法。MOS管栅极驱动电路包括可调驱动电路,与MOS管的栅极连接,用于接收上位机输出的PWM信号和控制信号,根据PWM信号和控制信号输出驱动信号;米勒钳位电路,包括比较器单元和开关单元,比较器单元的第二输入端分别与MOS管的栅极、开关单元的第一端连接,比较器单元的输出端与开关单元的控制端连接,开关单元的第二端与负极性电源连接;比较器单元用于在驱动信号的电压减小至阈值电压的情况下,输出电平信号至开关单元的控制端,导通开关单元,以将驱动信号的电压钳位至负极性电源的电压。本申请的MOS管栅极驱动电路可以有效抑制MOS管导通和关断时产生的串扰。

    功率模块封装结构及车辆
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118538719A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410692253.3

    申请日:2024-05-30

    摘要: 本申请涉及一种功率模块封装结构及车辆。该功率模块封装结构,包括:功率负极层;PCB叠层,位于所述功率负极层,所述PCB叠层至少包括沿第一方向交替层叠的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第三导电层;功率正极层,位于所述第三导电层远离所述功率负极层的一侧;多个功率芯片,位于所述第一绝缘层内;多个驱动芯片,位于所述第二绝缘层内;多个导电柱,位于所述PCB叠层内,沿所述第一方向延伸,其中,部分所述导电柱分别用于连接所述功率芯片和第一导电层、第二导电层、第三导电层,以及连接所述驱动芯片和所述第二导电层。本申请的功率模块封装结构具有集成度高、散热能力强、寄生电感小、对外部电路电磁辐射弱的优点。

    车辆转向系统的过载保护控制方法、装置、车辆及介质

    公开(公告)号:CN118529126A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410590998.9

    申请日:2024-05-13

    IPC分类号: B62D5/04 B60K35/26

    摘要: 本发明公开了一种车辆转向系统的过载保护控制方法、装置、车辆及介质,属于车辆技术领域,其中过载保护控制方法包括:获取左前转向电机、右前转向电机、左后转向电机和右后转向电机的运行信号;当任意一个转向电机的运行信号为过载信号时,获取车辆的方向盘的转角信号或扭矩信号;当转角信号或扭矩信号在预设时间内的变化幅度在预设阈值范围内时,控制所有的转向电机停止运行,并控制驱动系统驱动车辆反向移动预设距离后停止运行,通过执行上述步骤能够在转向电机出现过载时主动介入进行控制,使车辆能够脱离路肩或其他障碍物,保护车辆免受碰撞带来的对车轮等零部件的损害,实现对四轮转向系统的保护,提高驾驶安全性。

    一种芯片的版图设计方法及芯片
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118504509A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410666346.9

    申请日:2024-05-27

    IPC分类号: G06F30/392 G06F119/08

    摘要: 本申请实施例提供一种芯片的版图设计方法及芯片。所述芯片的版图设计方法,包括:获取芯片的电流分布情况和温度分布情况,其中,所述芯片包括至少两个元胞分布区域,所述电流分布情况包括各所述元胞分布区域对应的平均电流,所述温度分布情况包括各所述元胞分布区域对应的平均温度;根据所述电流分布情况和所述温度分布情况中的至少一者,确定所述芯片内元胞的密度分布情况,其中,所述密度分度情况包括各所述元胞分布区域对应的所述元胞的分布密度;基于所述密度分布情况,确定所述元胞的排布版图。可以改善芯片的热量分布,抑制芯片的局部过热现象,降低芯片的降温难度,降低芯片的烧毁风险,提高芯片的可靠性和稳定性,延长芯片的使用寿命。